FDP16N50U / FDPF16N50UT N沟道
的UniFET
TM
超FRFET
TM
MOSFET
2013年4月
N沟道
的UniFET
TM
超FRFET
TM
MOSFET
500 V ， 15 A ， 480
m
DS （ ON）
=
FDP16N50U / FDPF16N50UT
特点
R
370 m
（典型值） @ V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
= LOW
栅极电荷
（典型值32 NC ）
低C
RSS
（典型值20 pF的）
100%
雪崩测试
改进的dv / dt
能力
符合RoHS
柔顺
描述
的UniFET
TM
MOSFET是飞兆半导体
的高电压MOSFET
家庭基于平面条形和DMOS技术。这是MOSFET
针对降低通态电阻，并提供更好的开关
性能和更高的雪崩能量强度。的UniFET超
FRFET
TM
MOSFET具有更优异的体二极管的反向恢复
性能。它的T
rr
小于50nsec和反向的dv / dt的免疫力是
20V / ns的，而正常的平面MOSFET的过200nsec和4.5V /
纳秒分别。因此的UniFET超FRFET MOSFET可以删除
附加的组分和改善在某些系统可靠性
需要的MOSFET的性能改进应用
体二极管。该系列器件适用于开关电源转换器
应用，如功率因数校正（PFC） ，平板显示
（ FPD ）电视电源， ATX和电子镇流器。
应用
LCD / LED /等离子电视
- 照明
·不间断电源
D
G
D
S
G
D
TO-220
S
G
TO-220F
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP16N50U
FDPF16N50UT单位
500
V
±30
V
15*
9*
60*
610
15
20
20
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
38.5
0.3
W
W/
o
C
o
C
o
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
15
9
60
200
1.59
-55到+150
300
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到管壳，
马克斯。
热阻，结到环境，
典型值。
热阻，结到环境，
马克斯。
FDP16N50U
0.63
0.5
62.5
FDPF16N50UT单位
3.3
-
62.5
o
C / W
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C0
1
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超FRFET
TM
MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP16N50U
FDPF16N50UT
设备
FDP16N50U
FDPF16N50UT
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
o
500
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
25
250
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 7.5A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.37
23
5.0
0.48
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 400V ，我
D
= 15A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
1495
235
20
32
8.5
14
1945
310
30
45
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 250V ，我
D
= 15A
R
G
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
40
150
65
80
90
310
140
170
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 15A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 15A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
65
0.1
15
60
1.6
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 5.5mH ，我
AS
= 15A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25C
3. I
SD
16A,
的di / dt
200A / μs的，V
DD
BV
DSS
，起始物为
J
= 25C
4.脉冲测试：脉冲宽度
300μS ，占空比
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
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典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
10
1
150 C
25 C
o
o
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
10
-1
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.6
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
R
DS （ ON）
[
] ，漏源导通电阻
0.5
V
GS
= 10V
0.4
I
DR
，反向漏电流[ A]
10
1
V
GS
= 20V
0.3
150
o
C
25 C
o
*注：t
J
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
4000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
3000
10
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
电容[ pF的]
C
OSS
8
2000
C
国际空间站
6
1000
C
RSS
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
*注：我
D
= 15A
0
-1
10
10
0
10
1
V
DS
，漏源电压[V]
0
0
10
20
30
40
Q T L克叔章
[ C]
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.最大安全工作区
- FDPF16N50UT
10
2
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
10
s
I
D
，漏电流[ A]
1.1
100
s
10
1
1毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1.0
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
10
-2
10
0
10
1
10
2
T
J
，结TEM
规律[ C]
V
DS
，漏源电压[V]
图9.最大漏极电流
与外壳温度 - FDPF16N50UT
15
I
D
，漏电流[ A]
10
5
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度[C]
图10.瞬态热响应曲线 - FDPF16N50UT
D=0.5
Z
JC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
P
DM
t
1
t
2
*注意：
1. Z
JC
（ T） = 3.3 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
o
0.02
0.01
10
-2
单脉冲
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
吨广场W AVE脉冲持续时间[秒]
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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