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FDPF15N65 N沟道的UniFET

TM

MOSFET

2013年3月

FDPF15N65

N沟道的UniFET

TM

MOSFET

650 V， 15 A ， 440 m

特点

R

DS （ ON）

= 440 m （最大） @ V

GS

= 10 V，I

D

= 7.5 A

低栅极电荷（典型值48.5 NC ）

低C

RSS

（典型值23.6 pF的）

100 ％雪崩测试

描述

的UniFET

TM

MOSFET是飞兆半导体

的高电压

MOSFET系列基于平面条形和DMOS技术。

这种MOSFET被定制，以减少通态电阻，并

提供更好的开关性能和更高的雪崩

能源强度。该系列器件适用于开关

功率转换器的应用，如功率因数校正

（PFC），平板显示器（FPD）电视电源， ATX和电子

灯镇流器。

应用

LCD / LED / PDP TV和监视器

·不间断电源

D

G

D

S

TO-220F

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GSS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

P

D

T

J,

T

英镑

T

L

漏源电压

漏电流

栅源电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

功耗

(T

C

= 25C)

- 减免上述25℃

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

参数

- 连续（T

C

= 25C)

- 连续（T

C

= 100C)

- 脉冲

（注1 ）

FDPF15N65

650

15*

9.5*

60*

30

637

15

25.0

4.5

38.5

0.3

-55到+150

300

单位

V

A

V

mJ

A

mJ

V / ns的

W

W / ℃，

C

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

1/8 ？从案例5秒

*漏电流受最高结termperature 。

热特性

符号

R

θJC

R

θJA

参数

热阻，结到外壳，马克斯。

热阻，结到环境，马克斯。

1

FDPF15N65

3.3

62.5

单位

° C / W

2006仙童半导体公司

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FDPF15N65版本C0

FDPF15N65 N沟道的UniFET

TM

MOSFET

包装标志和订购信息

器件标识

FDPF15N65

设备

FDPF15N65

包

TO-220F

T

C

= 25 ° C除非另有说明

带尺寸

--

胶带宽度

--

QUANTITY

50

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，正向

门体漏电流，反向

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA ，T

J

= 25C

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

DS

= 650V, V

GS

= 0V

V

DS

= 520V ，T

C

= 125C

V

GS

= 30V, V

DS

= 0V

V

GS

= -30V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 7.5A

V

DS

= 40V ，我

D

= 7.5A

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

民

650

--

3.0

--

典型值

--

0.65

--

0.36

19.2

2380

295

23.6

65

125

105

65

48.5

14.0

21.2

最大

--

1

10

100

-100

5.0

0.44

--

3095

385

35.5

140

260

220

140

63.0

--

单位

V

V /°C的

A

nA

V

S

pF

ns

nC

基本特征

动态特性

开关特性

V

DD

= 325V ，我

D

= 15A

R

G

= 21.7

（注4 ）

--

（注4 ）

V

DS

= 520V ，我

D

= 15A

V

GS

= 10V

--

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 15A

V

GS

= 0V时，我

S

= 15A

dI

F

/ DT = 100A / μs的

--

496

5.69

15

60

1.4

--

A

V

ns

C

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 5.23mH ，我

AS

= 15A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= 25C

3. I

SD

15A ， di / dt的

200A / μs的，V

DD

BV

DSS

，起始物为

J

= 25C

4.基本上是独立的工作温度典型特征

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2

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MOSFET

典型性能特性

图1.区域特征

图2.传输特性

V

GS

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

底部： 5.5 V

上图：

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

1

10

1

150 C

25 C

-55 C

*注意：

1. V

DS

= 40V

2. 250

s脉冲测试

o

10

0

*注意：

1. 250

s脉冲测试

2. T

C

= 25 C

o

10

-1

10

0

10

-1

10

0

10

1

2

4

6

8

10

12

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

图4.体二极管正向电压

变化与源电流

和Temperatue

1.0

R

DS （ ON）

[

],

漏源导通电阻

0.8

0.6

V

GS

= 10V

I

DR

，反向漏电流[ A]

10

1

0.4

150 C

25 C

o

V

GS

= 20V

0.2

*注：t

J

= 25 C

o

*注意：

1. V

GS

= 0V

2. 250

s脉冲测试

0.0

0

10

20

30

40

50

10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

5000

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

图6.栅极电荷特性

12

V

GS

，栅源电压[V]

4000

C

OSS

C

国际空间站

C

RSS

= C

gd

10

V

DS

= 130V

V

DS

= 325V

V

DS

= 520V

电容[ pF的]

8

3000

6

2000

*注;

1. V

GS

= 0 V

2. F = 1 MHz的

4

1000

C

RSS

2

*注：我

D

= 15A

0

-1

10

0

10

1

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

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MOSFET

典型性能特性

（续）

图7.击穿电压变化

与温度的关系

1.2

图8.导通电阻变化

与温度的关系

3.0

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

R

DS （ ON）

,

导通电阻

漏源

（归一化）

漏源导通电阻

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

*注意：

= 10 V

1. V

GS

1. V

I

GS

= 5.5

V

2.

= 10

A

0.9

*注意：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

A

0.5

2. I

D

= 7.5 A

D

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

,

结温C]

T

J

,

结温[

[

C]

图9.安全工作区

图10.最大漏极电流

与外壳温度

18

10

2

15

10

s

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

1

100

s

1毫秒

10毫秒

100毫秒

DC

12

9

10

0

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

6

10

-1

*注意：

o

1. T

C

= 25 C

2. T

J

= 150 C

3.单脉冲

o

3

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

0

25

50

75

100

o

125

150

V

DS

，漏源电压[V]

T

C

，外壳温度[C]

图11.瞬态热响应曲线

D = 0 .5

（T ），热响应

10

0

0 .2

0 .1

0 .0 5

10

-1

P

DM

t

1

* N释：

0 .0 2

0 .0 1

t

2

o

JC

1 . Z

J·C

( t) = 3 .3

-2

C / W M A X 。

2 。 ü TY F A C到R，D = T

1

/t

2

Z

10

S IN克乐P ü LS ê

-5

3 . T

J·M

- T

C

= P

D M

* Z

J·C

( t)

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

t

1

，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]

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栅极电荷测试电路波形&

电阻开关测试电路波形&

非钳位感应开关测试电路波形&

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