FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
2013年3月
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ
N沟道的UniFET
TM
二MOSFET
600 V ， 12 A， 650 m
特点
R
DS （ ON）
= 530 m （典型值） @ V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
低栅极电荷（典型值26 NC ）
低C
RSS
（典型值12pF的）
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD性能改进
符合RoHS
描述
的UniFET
TM
II MOSFET是飞兆半导体
的高电压
年龄MOSFET系列基于先进的平面条形和
DMOS技术。这种先进的MOSFET系列拥有
间的平面型MOSFET最小的导通电阻，并且
还提供了出色的开关性能和更高的ava-
拦车的能量强度。此外，内部栅极 - 源极ESD
二极管允许的UniFET II MOSFET能承受超过2kV的HBM
激增的压力。该系列器件适用于开关电源
转换器的应用，如功率因数校正（PFC ），平
平板显示器（ FPD ）电视电源， ATX和电子镇流器。
应用
LCD / LED /等离子电视
- 照明
·不间断电源
D
G
G
D
S
TO-220
G
D
S
TO-220F
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
=
25
o
C)
o
C
参数
FDP12N60NZ FDPF12N60NZ
600
±30
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
240
2.0
-55到+150
300
12
7.2
48
565
12
24
20
10
39
0.3
12*
7.2*
48*
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
- 减免上述25
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳，马克斯。
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境，马克斯。
1
FDP12N60NZ FDPF12N60NZ
0.52
0.5
62.5
3.2
-
62.5
单位
o
C / W
2010仙童半导体公司
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ牧师C1
www.fairchildsemi.com
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP12N60NZ
FDPF12N60NZ
设备
FDP12N60NZ
FDPF12N60NZ
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
=
125
o
C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
600
-
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
-
1
10
±10
V
V/
o
C
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
V
DS
= 20V ，我
D
= 6A
3
-
-
-
0.53
13.5
5
0.65
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 480V ，我
D
= 12A
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
1260
150
12
26
6
10
1676
200
18
34
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 300V ，我
D
= 12A
R
G
= 25
（注4 ）
-
-
-
-
25
50
80
60
60
110
170
130
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 12A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 12A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
350
2.2
12
48
1.4
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1 ：重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
2： L = 7.85mH ，我
AS
= 12A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3: I
SD
12A,
的di / dt
200A/s,
V
DD
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4 ：基本上是独立的工作温度典型特征
2010仙童半导体公司
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ牧师C1
2
www.fairchildsemi.com
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
30
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
100
10
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
150 C
25 C
-55 C
o
o
o
1
1
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
0.1
0.1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
20
3
4
5
6
7
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
1.0
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS
(
on
)
[
]
,
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
0.9
150 C
o
0.8
V
GS
= 10V
10
25 C
o
0.7
V
GS
= 20V
0.6
*注：t
J
= 25 C
o
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.5
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流[ A]
25
30
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.4
图5.电容特性
5000
C
国际空间站
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
8
1000
电容[ pF的]
C
OSS
6
100
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
C
RSS
2
*注：我
D
= 12A
10
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
6
12
18
24
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
30
2010仙童半导体公司
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ牧师C1
3
www.fairchildsemi.com
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
图8.导通电阻变化
与温度
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 6A
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250uA
0.8
-80
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
-40
0
40
80
120
o
T
J
，结温
[
C
]
160
图9.最高安全工作区
-FDPF12N60NZ
100
30
s
100
s
图10.最大安全工作区
-FDP12N60NZ
100
10
s
100
s
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
1ms
10ms
10
1ms
10ms
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图11.最大漏极电流与外壳温度
15
12
I
D
，漏电流[ A]
9
6
3
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
2010仙童半导体公司
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ牧师C1
4
www.fairchildsemi.com
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ N沟道的UniFET
TM
II MOSFET
图12.瞬态热响应曲线
-FDPF12N60NZ
5
热响应
[
Z
JC
]
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
*注意：
t
2
1. Z
JC
（ T） = 3.2 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
o
0.001
-5
10
10
-4
10
-3
10
10
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-2
-1
10
2
10
3
图13.瞬态热响应曲线
-FDP12N60NZ
1
热响应
[
Z
JC
]
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
t
2
*注意：
1. Z
JC
（ T） = 0.52 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
JC
(t)
o
0.001
-5
10
10
-4
10
-3
10
10
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-2
-1
10
2
10
3
2010仙童半导体公司
FDP12N60NZ / FDPF12N60NZ牧师C1
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
