FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT N沟道MOSFET
2009年4月
FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT
N沟道MOSFET ， FRFET
600V ，9A ， 0.8Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.65Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
低栅极电荷（典型值31nC ）
低C
RSS
（典型值15pF的）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
的UniFET
TM
tm
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP10N60ZU
FDPF10N60ZUT
600
±30
9*
5.4*
36*
100
9
18
20
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
o
9
5.4
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
180
1.45
-55到+150
300
36
- 连续（T
C
= 100 C)
42
0.3
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
热阻，结到环境
FDP10N60ZU FDPF10N60ZUT
0.7
0.5
62.5
3.0
-
62.5
o
单位
C / W
2009仙童半导体公司
FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT版本A
1
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FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP10N60ZU
FDPF10N60ZUT
设备
FDP10N60ZU
FDPF10N60ZUT
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V ，T
C
=
125
o
C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
600
-
-
-
-
-
0.8
-
-
-
-
-
25
250
±10
V
V/
o
C
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= 40V ，我
D
= 4.5A
3.0
-
-
-
0.65
12.5
5.0
0.8
-
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 480V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V
（注4 ）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
1490
230
15
31
8
12
1980
240
25
40
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 300V ，我
D
= 10A
R
G
= 25Ω , V
GS
= 10V
（注4 ）
-
-
-
-
25
40
95
60
60
90
200
130
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 10A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 10A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
45
52
9
36
1.6
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 2MH ，我
AS
= 10A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.基本上是独立的工作温度典型特征
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2
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FDP10N60ZU / FDPF10N60ZUT N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
30
图2.传输特性
30
20
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
V
GS
=
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
20
25 C
o
o
10
150 C
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
μ
s脉冲测试
1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
20
1
3
4
5
6
7
V
GS
，栅源电压[V]
8
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
1.2
1.1
1.0
0.9
V
GS
= 10V
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
150 C
o
10
25 C
o
0.8
V
GS
= 20V
0.7
*注：t
J
= 25 C
o
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
0.6
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流[ A]
25
30
1
0.0
0.5
1.0
1.5
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
2.0
图5.电容特性
3000
2500
电容[ pF的]
2000
C
国际空间站
C
OSS
西塞=的Cgs + Cgd的（CDS =短路）
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 150V
V
DS
= 380V
V
DS
= 400V
8
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
6
1500
1000
500
0
0.1
4
2
*注：我
D
= 10A
C
RSS
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
10
20
30
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
40
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与Temperaure
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.最大安全工作区
- FDPF10N60ZUT
100
20
μ
s
100
μ
s
1.1
I
D
，漏电流[ A]
10
1ms
10ms
1.0
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
DC
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
0.1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.8
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温[C]
200
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
图9.最大漏极电流
与外壳温度
10
8
I
D
，漏电流[ A]
6
4
2
0
25
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度[C]
150
图10.瞬态热响应曲线 - FDPF10N60ZUT
5
热响应[Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.0 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
-3
o
0.01
-4
10
10
10
10
1
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-2
-1
10
2
10
3
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栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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