FDPF085N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2011年5月
FDPF085N10A
N沟道的PowerTrench
MOSFET
100V ，40A， 8.5mW
特点
R
DS （ ON）
= 6.5mW （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
这一直是安森美半导体的前进的PowerTrench工艺
特别是针对减少通态电阻，但
保持出色的开关性能。
应用
DC到DC转换
同步整流的服务器/电信电源
- 电池充电器
交流电机驱动器和不间断电源
离线式UPS
D
G
GDS
TO-220F
（可伸缩）
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
=
25
o
C)
25
o
C
- 减额以上
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
参数
评级
100
±20
40
28
160
269
6.0
33.3
0.22
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
评级
4.5
62.5
单位
o
C / W
2011仙童半导体公司
FDPF085N10A牧师A1
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FDPF085N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDPF085N10A
设备
FDPF085N10A
包
TO-220F
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
的dBV
DSS
DT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250毫安，V
GS
= 0V
I
D
= 250毫安，参考25
o
C
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V ，T
C
= 150 C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
o
100
-
-
-
-
-
0.07
-
-
-
-
-
1
500
±100
V
V/
o
C
mA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
V
DS
= 10V ，我
D
= 40A
（注4 ）
2.0
-
-
-
6.5
76
4.0
8.5
-
V
mW
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
（ ER）的
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
ESR
输入电容
输出电容
反向传输电容
Engry相关输出电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅极电荷Threshoid到高原
栅漏“米勒”充电
等效串联电阻（G -S）
开漏， F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 50V
I
D
= 96A
（注4,5）
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2025
468
20
752
31
9.7
5.0
7.5
0.97
2695
620
-
-
40
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
W
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 50V ，我
D
= 96A
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7W
（注4,5）
-
-
-
-
18
22
29
8
46
54
68
26
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 40A
V
DD
= 50V,V
GS
= 0V时，我
SD
= 96A
dI
F
/ DT = 100A / MS
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
59
80
40
160
1.3
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2. L = 3 mH的，我
AS
= 13.4 A，R
G
= 25W ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
40 A ， di / dt的
200A / MS ，V
DD
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
300毫秒，双循环
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
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FDPF085N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
500
V
GS
= 15.0V
10.0V
8.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
图2.传输特性
300
100
I
D
，漏电流[ A]
175 C
25 C
o
o
I
D
，漏电流[ A]
100
10
-55 C
o
10
5
0.1
*注意：
1. 250
m
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
DS
= 10V
2. 250
m
s脉冲测试
1
V
DS
，漏源电压[V]
5
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅源电压[V]
7
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
18
16
R
DS （ ON）
[
m
W
]
,
漏源导通电阻
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
500
*注：t
C
= 25 C
I
S
，反向漏电流[ A]
175 C
o
o
100
12
V
GS
= 10V
25 C
o
10
8
V
GS
= 20V
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
m
s脉冲测试
4
0
100
200
300
I
D
，漏电流[ A]
400
1
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.5
图5.电容特性
10000
C
国际空间站
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 20V
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
8
电容[ pF的]
1000
C
OSS
6
100
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
4
C
RSS
2
*注：我
D
= 96A
10
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
100
0
7
14
21
28
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
35
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MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.12
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
1.08
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.0
1.04
1.5
1.00
0.96
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
m
A
1.0
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 96A
0.92
-80
-40
0
40
80
120 160
o
T
J
，结温
[
C
]
200
0.5
-80
-40
0
40
80
120 160
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
500
100
I
D
，漏电流[ A]
图10.最大漏极电流
与外壳温度
45
V
GS
= 10V
100
m
s
1ms
10ms
36
10
I
D
，漏电流[ A]
27
1
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
o
100ms
DC
18
0.1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
9
R
q
JC
= 4.5 C / W
o
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
100 200
0
25
50
75
100
125
150
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
175
图11. EOSS与漏极至源极电压
2.5
I
AS
，雪崩电流（ A）
图12.非钳位感应
交换能力
30
如果R = 0
t
AV
= (L)
(
I
AS
)
/
(
1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
)
如果R = 0
t
AV
= （ L / R） 。在
[(
I
AS
*R
)
/
(
1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
)
+1
]
2.0
10
E
OSS
,
[
m
J
]
1.5
起始物为
J
= 25 C
o
o
1.0
起始物为
J
= 150 C
0.5
0.0
0
20
40
60
80
V
DS
，漏源极电压
[
V
]
100
1
0.01
0.1
1
10
100 300
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
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MOSFET
典型性能特性
（续）
图13.瞬态热响应曲线
6
热响应
[
Z
q
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
*注意：
t
2
o
0.1
0.02
0.01
1. Z
q
JC
（ T） = 4.5 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
q
JC
(t)
单脉冲
0.01
-5
10
10
-4
10
10
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
-1
10
100
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