FDP6690S/FDB6690S
2001年9月
FDP6690S/FDB6690S
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET
在同步DC和并联肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDP6690S包括
使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDP6690S / FDB6690S作为一个低侧开关
同步整流器是从区分
该FDP6035AL / FDB6035AL并联的性能
与肖特基二极管。
特点
21 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 15.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 23.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 11nC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
°C
42
140
48
0.5
-55到+150
275
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.6
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6690S
FDP6690S
设备
FDB6690S
FDP6690S
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6690S / FDB6690S版本C （ W）
FDP6690S/FDB6690S
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注2 ）
测试条件
单脉冲，V
DD
= 25 V，I
D
=11A
民
典型值
最大单位
140
11
mJ
A
漏源雪崩额定值
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
30
25
500
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
2.2
–4
12.0
18.5
18.0
3
V
毫伏/°C的
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
I
D
= 23 A
60
15.5
23.0
22.5
m
I
D（上）
g
FS
A
33
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1238
342
104
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
11
9
23
13
20
18
37
23
15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 21A,
11
5
4
漏源二极管特性
V
SD
t
rr
Q
rr
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 3.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注1 ）
（注1 ）
0.51
0.69
21
25
0.7
V
nS
nC
（注2 ）
注意事项：
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDP6690S / FDB6690S版本C （ W）
FDP6690S/FDB6690S
典型特征
80
2.2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
6.0V
5.0V
V
GS
= 4.0V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I
D
，漏电流（ A）
60
4.5V
40
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
10V
4.0V
20
3.5V
0
0
1
2
3
4
V
S
，漏源电压（V ）
5
0
20
40
I
D
，漏电流（ A）
60
80
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.055
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 21A
V
GS
=10V
I
D
= 21 A
0.045
1.4
1.2
0.035
T
A
= 125 C
0.025
T
A
= 25 C
0.015
o
o
1
0.8
0.6
-50
0.005
-25
0
25
50
75
o
T
J
，结温（ C）
100
125
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
40
V
S
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
30
I
S
，反向漏电流（ A）
10
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
T
A
= -55 C
o
V
GS
= 0V
25 C
125 C
o
o
1
20
T
A
= 125 C
25 C
0.1
o
o
o
10
-55 C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6690S / FDB6690S版本C （ W）
FDP6690S/FDB6690S
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 21A
V
S
= 10V
15V
1600
C
国际空间站
电容（pF）
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
20V
6
800
C
OSS
400
4
2
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
1000
2000
图8.电容特性。
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
I
D
，漏电流（ A）
1600
单脉冲
R
θJC
= 2.6 ° C / W
T
A
= 25°C
10s
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
100ms
DC
100
1200
800
10
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJC
= 2.6 C / W
o
T
A
= 25 C
400
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
JC
（吨） = R （t）的R *
θ
J·C
R
θJ
C
= 2.6 ° C / W
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单身
脉冲
0.1
P（ PK
t
1
t
2
T
J
- 锝= P * R
θ
JC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，时间（秒）
0.01
0.1
1
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6690S / FDB6690S版本C （ W）
FDP6690S/FDB6690S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
FDP6690S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
0.01
I
DSS
，反向漏电流（ A）
T
A
= 100 C
0.001
o
电流： 0.8A / DIV
0.0001
o
T
A
= 25 C
0.00001
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
时间： 12.5ns / DIV
图14. SyncFET二极管的反向漏
相对于漏极 - 源极电压和
温度。
图12. FDP6690S SyncFET体二极管
的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDP6035AL).
电流： 0.8A / DIV
时间： 12.5ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDP6035AL ）
体二极管反向恢复
的特点。
FDP6690S / FDB6690S版本C （ W）
QQ：2881677436 复制
