FDP6670S/FDB6670S
2001年9月
FDP6670S/FDB6670S
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET
在同步DC和并联肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDP6670S包括
使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDP6670S / FDB6670S作为一个低侧开关
同步整流器是从区分
该FDP6670A / FDB6670A并联的性能
与肖特基二极管。
特点
31 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 12.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 23nC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
°C
62
150
62.5
0.5
-55到+150
275
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.1
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670S
FDP6670S
设备
FDB6670S
FDP6670S
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注1 ）
测试条件
V
DD
= 25 V,
I
D
= 16.5 A
民
典型值
最大单位
285
16.5
mJ
A
漏源雪崩额定值
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
30
24
500
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
2.2
–4.5
5
8
10
3
V
毫伏/°C的
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 26.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
I
D
= 31 A
60
8.5
12.5
19
m
I
D（上）
g
FS
A
69
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2639
737
222
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
13
10
39
35
24
21
62
56
32
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 31 A,
23
9
8
漏源二极管特性
V
SD
t
rr
Q
rr
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 3.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注1 ）
（注1 ）
0.39
0.48
32
56
0.7
0.9
V
nS
nC
（注2 ）
注意事项：
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
150
2.2
5.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
120
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
2
V
GS
= 4.0V
4.5V
90
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
10V
60
4.0V
30
3.5V
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
5
0
30
60
90
I
D
，漏电流（ A）
120
150
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.027
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
I
D
= 31A
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.4
I
D
= 15.5A
0.022
0.017
1.2
T
A
= 125 C
0.012
T
A
= 25 C
0.007
o
o
1
0.8
0.002
2
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
80
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
60
T
A
= -55 C
25 C
125 C
o
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
o
V
GS
= 0V
T
A
= 125 C
1
25 C
0.1
-55 C
o
o
o
40
20
0
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，门源电压（ V）
4.5
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 31A
V
DS
= 10V
15V
3600
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3000
20V
电容（pF）
2400
1800
1200
600
C
RSS
0
C
OSS
C
国际空间站
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1000
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
10us
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
800
单脉冲
R
θJC
= 2.1 ° C / W
T
A
= 25°C
100
600
10
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJC
= 2.1 C / W
o
T
A
= 25 C
100ms
DC
400
200
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
J·C
（吨） = R （t）的R *
θ
J·C
R
θ
J·C
= 2.1 ° C / W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK
t
1
t
2
T
J
- 锝= P * R
θJ
C
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，时间（秒）
0.01
0.1
1
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
FDP6670S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
图14. SyncFET二极管的反向漏
相对于漏极 - 源极电压和
温度。
0.01
T
A
= 100 C
o
I
DSS
，反向漏电流（ A）
电流： 0.8A / DIV
0.001
0.0001
T
A
= 25 C
o
时间： 12.5ns / DIV
0.00001
图12. FDP6670S SyncFET体二极管
的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDP6670A).
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
电流： 0.8A / DIV
时间： 12.5ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDP6670A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
2001年9月
FDP6670S/FDB6670S
30V N沟道的PowerTrench
SyncFET
概述
该MOSFET的设计来取代单个MOSFET
在同步DC和并联肖特基二极管： DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率，提供了一个低
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该FDP6670S包括
使用集成的肖特基二极管飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
该FDP6670S / FDB6670S作为一个低侧开关
同步整流器是从区分
该FDP6670A / FDB6670A并联的性能
与肖特基二极管。
特点
31 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 8.5毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 12.5毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
低栅极电荷（ 23nC典型值）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
和快速开关
高功率和电流处理能力
D
D
G
G
D
TO-220
S
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1 ）
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
°C
62
150
62.5
0.5
-55到+150
275
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.1
62.5
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6670S
FDP6670S
设备
FDB6670S
FDP6670S
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
电气特性
符号
W
DSS
I
AR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
（注1 ）
测试条件
V
DD
= 25 V,
I
D
= 16.5 A
民
典型值
最大单位
285
16.5
mJ
A
漏源雪崩额定值
单脉冲漏源
雪崩能量
最大漏源雪崩
当前
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
30
24
500
100
–100
V
毫伏/°C的
A
nA
nA
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
2.2
–4.5
5
8
10
3
V
毫伏/°C的
I
D
= 26毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 26.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 31 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 10 V
I
D
= 31 A
60
8.5
12.5
19
m
I
D（上）
g
FS
A
69
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2639
737
222
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
13
10
39
35
24
21
62
56
32
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 31 A,
23
9
8
漏源二极管特性
V
SD
t
rr
Q
rr
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 7 A
I
F
= 3.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
（注1 ）
（注1 ）
0.39
0.48
32
56
0.7
0.9
V
nS
nC
（注2 ）
注意事项：
1.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
2.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
150
2.2
5.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
120
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
2
V
GS
= 4.0V
4.5V
90
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
10V
60
4.0V
30
3.5V
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
5
0
30
60
90
I
D
，漏电流（ A）
120
150
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.027
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
I
D
= 31A
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.4
I
D
= 15.5A
0.022
0.017
1.2
T
A
= 125 C
0.012
T
A
= 25 C
0.007
o
o
1
0.8
0.002
2
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
80
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
60
T
A
= -55 C
25 C
125 C
o
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
I
S
，反向漏电流（ A）
o
V
GS
= 0V
T
A
= 125 C
1
25 C
0.1
-55 C
o
o
o
40
20
0
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，门源电压（ V）
4.5
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 31A
V
DS
= 10V
15V
3600
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3000
20V
电容（pF）
2400
1800
1200
600
C
RSS
0
C
OSS
C
国际空间站
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
1000
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
10us
R
DS （ ON）
极限
100s
1ms
10ms
800
单脉冲
R
θJC
= 2.1 ° C / W
T
A
= 25°C
100
600
10
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θJC
= 2.1 C / W
o
T
A
= 25 C
100ms
DC
400
200
1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.0001
0.001
0.01
t
1
，时间（秒）
0.1
1
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
J·C
（吨） = R （t）的R *
θ
J·C
R
θ
J·C
= 2.1 ° C / W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P（ PK
t
1
t
2
T
J
- 锝= P * R
θJ
C
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
，时间（秒）
0.01
0.1
1
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
FDP6670S/FDB6670S
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。图12
FDP6670S.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
图14. SyncFET二极管的反向漏
相对于漏极 - 源极电压和
温度。
0.01
T
A
= 100 C
o
I
DSS
，反向漏电流（ A）
电流： 0.8A / DIV
0.001
0.0001
T
A
= 25 C
o
时间： 12.5ns / DIV
0.00001
图12. FDP6670S SyncFET体二极管
的反向恢复特性。
为了便于比较，图13显示了相反的
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDP6670A).
0
10
20
30
V
DS
，反向电压（V）的
电流： 0.8A / DIV
时间： 12.5ns / DIV
图13.非SyncFET （ FDP6670A ）体
二极管的反向恢复特性。
FDP6670S / FDB6670S版本E（ W）
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