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1998年4月
FDP6030L / FDB6030L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这很
高密度工艺特别是针对减少
通态电阻。这些设备特别适合
对于低电压应用，如直流/直流转换器和
高效率的开关电路中快速切换，低
在线需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
52 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.0135
@ V
GS
=10 V
R
DS （ ON）
= 0.020
@ V
GS
=4.5 V
.
改善置换
NDP6030L/NDB6030L.
低栅极电荷（典型的34 NC） 。
低的Crss （典型值175 pF的） 。
快速开关速度。
_________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有笔记
FDP6030L
30
±20
52
156
75
0.5
-65 175
FDB6030L
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
T
J
,T
英镑
R
θ
JC
R
θJA
工作和存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2
62.5
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
FDP6030L Rev.C
1
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
单脉冲漏源雪崩能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 15 V，I
D
= 21 A
150
21
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 μA ，参考25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 26 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 21 A
I
D（上）
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 26 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
60
15
37
o
o
30
37
10
100
-100
V
毫伏/
o
C
A
nA
nA
BV
DSS
/
T
J
击穿电压温度。系数
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注
1)
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压Temp.Coefficient
静态漏源导通电阻
1
1.6
-4
0.0095
0.014
0.015
3
V
毫伏/
o
C
V
GS （ TH）
/
T
J
R
DS （ ON）
0.0135
0.023
0.02
A
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注1 ）
1230
640
175
pF
pF
pF
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V，I
D
= 52 A
V
GS
= 10 V ，R
根
= 24
7.6
150
29
17
15
210
46
27
46
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
DS
= 12 V
I
D
= 26 A，V
GS
= 10 V
34
6
8
漏源二极管的特性
最大连续型漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 26 A
（注1 ）
52
0.91
0.8
1.3
1.2
A
V
T
J
= 125°C
记
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
FDP6030L Rev.C
1
典型电气特性
100
I
D
，漏源电流（A ）
3
80
7.0
6.0
5.0
4.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.5
2.5
V
GS
=3.5V
4.0
60
2
4.0
40
4.5
1.5
5.0
5.5
6.0
7.0
10
20
3.5
3.0
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.5
0
20
40
60
I
D
，漏电流（ A）
80
100
V
DS
，漏源电压（V ）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和门
电压。
0.05
1.8
漏源导通电阻
I
D
= 26A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
I
D
= 26A
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
R
DS （ ON）
，归一化
V
GS
= 10V
0.04
0.03
0.02
T
A
= 125°C
0.01
25°C
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
T
J
，结温（ ° C）
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
60
60
V
DS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
T
A
= -55°C
25°C
125°C
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
=0V
10
1
0.1
TA = 125℃
25°C
-55°C
0.01
0.001
0.0001
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6 。体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDP6030L Rev.C
1
典型电气特性
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
4000
I
D
= 26A
电容（pF）
8
V
DS
= 6.0V
12V
24V
2000
西塞
800
6
科斯
4
300
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
CRSS
1
3
10
30
0
100
0.1
0.3
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
300
200
I
D
，漏电流（ A）
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.5
R
)
（上
DS
3000
it
LIM
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JC
= 2
o
C / W
T
C
= 25 °C
1
3
5
10
ms
100
m
DC
s
功率（W）的
10
s
100
s
1ms
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
单脉冲
R
θ
JC
= 2 ° C / W
T
C
= 25°C
10
20
30
50
0.1
1
10
100
1,000
V
DS
，漏源电压（ V） ）
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
瞬态热阻
1
0.5
0.3
0.2
0.1
D = 0.5
R（T ） ，规范有效
0.2
R
θ
JC
（吨） = R （t）的R *
θ
JC
R
θ
JC
= 2.0 C / W
P（ PK）
0.1
0.05
0.05
0.03
0.02
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θ
JC （T ）
占空比D = T
1
/t
2
0.1
0.5
1
5
t
1
，时间（ ms）的
10
50
100
500
1000
0.01
0.01
0.05
图11.瞬态热响应曲线。
FDP6030L Rev.C
1
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