FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
2007年10月
的UniFET
TM
FDP52N20 / FDPF52N20T
N沟道MOSFET
200V ， 52A ， 0.049Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.041Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
低栅极电荷（典型值49nC ）
低C
RSS
（典型值66pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
tm
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP52N20
FDPF52N20T
200
±30
52*
33*
208*
2520
52
35.7
4.5
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
52
33
208
357
2.86
-55到+150
300
38.5
0.3
W
W/
o
C
o
C
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境
FDP52N20
0.35
0.5
62.5
FDPF52N20T
3.3
-
62.5
o
C / W
单位
2007仙童半导体公司
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
1
www.fairchildsemi.com
FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP52N20
FDPF52N20T
设备
FDP52N20
FDPF52N20T
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
o
200
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
V
DS
= 40V ，我
D
= 26A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.041
35
5.0
0.049
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 160V ，我
D
= 52A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
2230
540
66
49
19
24
2900
700
100
63
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 100V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
53
175
48
29
115
359
107
68
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
162
1.3
52
204
1.5
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 1.4mH ，我
AS
= 52A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
52A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
2
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
2
150
°
C
10
1
25
°
C
-55
°
C
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
0.08
V
GS
= 10V
0.06
I
DR
，反向漏电流[ A]
0.10
10
2
10
1
150
℃
25
℃
0.04
V
GS
= 20V
0.02
*注：t
J
= 25
°
C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.00
0
25
50
75
100
125
150
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
5000
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
电容[ pF的]
4000
C
OSS
C
国际空间站
8
3000
6
2000
*注;
1. V
GS
= 0 V
4
1000
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 52A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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3
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 26 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结TEM
规律[
°
C
]
T
J
，结TEM
规律[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
- FDP52N20
10
3
图9-2 。最大安全工作区
- FDPF52N20T
10
3
10
s
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
10
s
100
s
1毫秒
10
1
10毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100毫秒
DC
10
0
10
0
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
0
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
10
1
10
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流
60
50
I
D
，漏电流[ A]
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
°
C]
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4
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线 - FDP52N20
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
DM
t
1
* N TES ：
t
2
0
0.01
单脉冲
1 . Z
θ
JC
（ T） = 0.3 5℃ /女男斧头。
2 。 UTY F演员，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q u的W上的已经P ü LSE uration [ SE C]
图11-2 。瞬态热响应曲线 - FDPF52N20T
D=0.5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
P
DM
t
1
t
2
0
0.02
0.01
* N OTES ：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.3 ℃/女男斧头。
2。D UTY因子，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
单脉冲
10
-2
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
10
10
10
10
10
10
10
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
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2007年10月
的UniFET
TM
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N沟道MOSFET
200V ， 52A ， 0.049Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.041Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
低栅极电荷（典型值49nC ）
低C
RSS
（典型值66pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
tm
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP52N20
FDPF52N20T
200
±30
52*
33*
208*
2520
52
35.7
4.5
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
52
33
208
357
2.86
-55到+150
300
38.5
0.3
W
W/
o
C
o
C
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境
FDP52N20
0.35
0.5
62.5
FDPF52N20T
3.3
-
62.5
o
C / W
单位
2007仙童半导体公司
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
1
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP52N20
FDPF52N20T
设备
FDP52N20
FDPF52N20T
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
o
200
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
V
DS
= 40V ，我
D
= 26A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.041
35
5.0
0.049
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 160V ，我
D
= 52A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
2230
540
66
49
19
24
2900
700
100
63
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 100V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
53
175
48
29
115
359
107
68
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
162
1.3
52
204
1.5
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 1.4mH ，我
AS
= 52A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
52A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
2
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
2
150
°
C
10
1
25
°
C
-55
°
C
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
0.08
V
GS
= 10V
0.06
I
DR
，反向漏电流[ A]
0.10
10
2
10
1
150
℃
25
℃
0.04
V
GS
= 20V
0.02
*注：t
J
= 25
°
C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.00
0
25
50
75
100
125
150
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
5000
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
电容[ pF的]
4000
C
OSS
C
国际空间站
8
3000
6
2000
*注;
1. V
GS
= 0 V
4
1000
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 52A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
3
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 26 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结TEM
规律[
°
C
]
T
J
，结TEM
规律[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
- FDP52N20
10
3
图9-2 。最大安全工作区
- FDPF52N20T
10
3
10
s
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
10
s
100
s
1毫秒
10
1
10毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100毫秒
DC
10
0
10
0
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
0
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
10
1
10
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流
60
50
I
D
，漏电流[ A]
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
°
C]
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线 - FDP52N20
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
DM
t
1
* N TES ：
t
2
0
0.01
单脉冲
1 . Z
θ
JC
（ T） = 0.3 5℃ /女男斧头。
2 。 UTY F演员，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q u的W上的已经P ü LSE uration [ SE C]
图11-2 。瞬态热响应曲线 - FDPF52N20T
D=0.5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
P
DM
t
1
t
2
0
0.02
0.01
* N OTES ：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.3 ℃/女男斧头。
2。D UTY因子，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
单脉冲
10
-2
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
10
10
10
10
10
10
10
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
2007年10月
的UniFET
TM
FDP52N20 / FDPF52N20T
N沟道MOSFET
200V ， 52A ， 0.049Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.041Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
低栅极电荷（典型值49nC ）
低C
RSS
（典型值66pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
tm
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的，平面条形制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻，优越的开关perfor-
曼斯，并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
cient开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GD S
TO-220F
FDPF系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP52N20
FDPF52N20T
200
±30
52*
33*
208*
2520
52
35.7
4.5
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
- 连续（T
C
=
- 连续（T
C
=
- 脉冲
25
o
C)
100
o
C)
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
52
33
208
357
2.86
-55到+150
300
38.5
0.3
W
W/
o
C
o
C
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境
FDP52N20
0.35
0.5
62.5
FDPF52N20T
3.3
-
62.5
o
C / W
单位
2007仙童半导体公司
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
1
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
T
C
= 25
o
C除非另有说明
器件标识
FDP52N20
FDPF52N20T
设备
FDP52N20
FDPF52N20T
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
-
-
胶带宽度
-
-
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V ，T
C
= 125 C
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
o
200
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1
10
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 26A
V
DS
= 40V ，我
D
= 26A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.041
35
5.0
0.049
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 160V ，我
D
= 52A
V
GS
= 10V
（注4,5）
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
2230
540
66
49
19
24
2900
700
100
63
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 100V ，我
D
= 20A
R
G
= 25
（注4,5）
-
-
-
-
53
175
48
29
115
359
107
68
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 52A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
162
1.3
52
204
1.5
-
-
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 1.4mH ，我
AS
= 52A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
52A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
10
2
图2.传输特性
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部： 5.5 V
上图：
10
2
150
°
C
10
1
25
°
C
-55
°
C
*注意：
1. V
DS
= 40V
2. 250
s脉冲测试
10
0
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
R
DS （ ON）
[
],
漏源导通电阻
0.08
V
GS
= 10V
0.06
I
DR
，反向漏电流[ A]
0.10
10
2
10
1
150
℃
25
℃
0.04
V
GS
= 20V
0.02
*注：t
J
= 25
°
C
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
s脉冲测试
0.00
0
25
50
75
100
125
150
10
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
6000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
图6.栅极电荷特性
12
5000
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
电容[ pF的]
4000
C
OSS
C
国际空间站
8
3000
6
2000
*注;
1. V
GS
= 0 V
4
1000
C
RSS
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 52A
0
-1
10
10
0
10
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 26 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结TEM
规律[
°
C
]
T
J
，结TEM
规律[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
- FDP52N20
10
3
图9-2 。最大安全工作区
- FDPF52N20T
10
3
10
s
10
2
I
D
，漏电流[ A]
10
1
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
2
10
s
100
s
1毫秒
10
1
10毫秒
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100毫秒
DC
10
0
10
0
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
0
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
10
1
10
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流
60
50
I
D
，漏电流[ A]
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
°
C]
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
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FDP52N20 / FDPF52N20T N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线 - FDP52N20
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
DM
t
1
* N TES ：
t
2
0
0.01
单脉冲
1 . Z
θ
JC
（ T） = 0.3 5℃ /女男斧头。
2 。 UTY F演员，D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
， S Q u的W上的已经P ü LSE uration [ SE C]
图11-2 。瞬态热响应曲线 - FDPF52N20T
D=0.5
Z
θ
JC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
P
DM
t
1
t
2
0
0.02
0.01
* N OTES ：
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.3 ℃/女男斧头。
2。D UTY因子，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
单脉冲
10
-2
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
10
10
10
10
10
10
10
t
1
，广场W AVE脉冲持续时间[秒]
FDP52N20 / FDPF52N20T版本A
5
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