FDP4020P
2000年9月
FDP4020P/FDB4020P
P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管
概述
这种P沟道低门槛MOSFET一直
设计用作用于低电压，线性调整元件
输出。此外，该部分可以用作一个低电压
电源开启或关闭开关输出时，负载开关
管理。部分也可以结合使用
使用DC -DC转换器需要P通道。
特点
-16 ， -20 V.
DS （ ON）
= 0.08
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.11
@ V
GS
= -2.5 V.
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
TO- 220和TO- 263 （ D2PAK ）封装为
通孔和表面贴装应用。
?? 175°C最高结温额定值。
S
G
D
一个bsolute米的Axim嗯评级
SYM BOL
V
DSS
V
摹SS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JC
R
θ
JA
漏-S环境允许的V oltage
摹吃-S环境允许的V oltage
漏电流
- 连续
- P ulsed
T
A
= 25 ° C除非otherw ISE注意
PARAM ETER
FD P4020P
-20
±
8
-16
-48
37.5
FD B 4020P
ü尼特
V
V
A
W
W /
°
C
°
C
°
C / W
°
C / W
总磷奥尔耗散@ T
C
= 25
°
C
减免上述25
°
C
操作摄像和S torage结tem温度范围
0.25
-65到+175
千卡人极特
千卡人热阻，结点到外壳
千卡人热阻，结点到A M关环境
（N OTE 1 ）
4
62.5
40
包装 utlines和O的rdering通知通报BULLETIN
evice M烯王
FDP 4020P
evice
FDP 4020P
鳗鱼大小
13’’
TAPE W ID
12m m
Q uantity
2500台
2000
仙童半导体国际
FDP4020P版本B
FDP4020P
电气特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
-20
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
A
电压
击穿电压
I
D
= -250
A，参考25
°
C
温度COEF网络cient
零栅压漏电流V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
（注2 ）
-28
-1
100
-100
毫伏/
°
C
A
nA
nA
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A，参考25
°
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A,
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -8 A ，T
J
=125
°
C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -7 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -5 V，I
D
= -8 A
-0.4
-0.58
2
0.068
0.098
0.096
-1
V
毫伏/
°
C
0.08
0.13
0.110
I
D（上）
g
FS
-20
14
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
665
270
70
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -5 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
24
50
29
16
38
80
45
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -5 V,
I
D
= -16 A，V
GS
= -4.5 V
9.5
1.3
2.2
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -16 A
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
-16
-48
-1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是的总和juntion到外壳和外壳到环境的热resistance.For T0-263的设备被安装在电路板上有1英寸
2
PAD
的2盎司铜。
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDP4020P版本B
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
放弃
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师F1
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