【FDP36722003年9月FDP3672N沟道的PowerTrenchMOSFET105V ， 4】,IC型号FDP3672,FDP3672 PDF资料,FDP3672经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDP3672

2003年9月

FDP3672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

105V ， 41A ， 33mΩ

特点

r

DS （ ON）

= 25MΩ （典型值），V

GS

= 10V ，我

D

= 41A

Q

g

（ TOT ）= 28nC （典型值），V

GS

= 10V

低米勒电荷

低Q

RR

体二极管

在高频率效率优化

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

应用

DC / DC转换器和离线式UPS

分布式电源架构和VRM的

主开关的24V和48V系统

高压同步整流器

直喷/柴油喷射系统

42V汽车负载控制

电子气门驱动系统

以前发育类型82760

D

漏

（法兰）

来源

漏

门

TO-220AB

FDP系列

G

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

I

D

连续（T

C

= 100

o

C，V

GS

= 10V)

连续（T

AMB

=

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

减免上述

25

o

C

工作和存储温度

25

o

C,

V

GS

= 10V ，R

θJA

=

62

o

C / W ）

41

31

5.9

图4

48

135

0.9

-55至175

A

mJ

W

W/

o

C

o

参数

评级

105

±20

单位

V

C

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻结到外壳TO- 220

热阻结到环境TO- 220 （注2 ）

1.11

62

o

C / W

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于

要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/

http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

认证。

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

包装标志和订购信息

器件标识

FDP3672

设备

FDP3672

包

TO-220AB

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

50个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 80V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

105

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 41A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 21A ，V

GS

= 6V,

I

D

= 41A ，V

GS

= 10V,

T

C

= 175

o

C

2

-

0.025

0.031

0.063

4

0.033

0.055

0.070

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 50V

I

D

= 41A

I

g

= 1.0毫安

-

1670

240

55

28

3.9

12

8.0

6.5

-

37

5

-

pF

nC

电阻开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 50V ，我

D

= 41A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 11.0

-

12

48

24

27

-

90

-

77

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 41A

I

SD

= 21A

I

SD

= 41A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 41A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

39

42

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.11mH ，我

AS

= 30A.

2:

脉冲宽度= 100秒

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

50

V

GS

= 10V

功耗乘法器

1.0

I

D

，漏电流（ A）

0

25

50

75

100

125

150

175

40

0.8

30

0.6

0.4

20

0.2

10

0

T

C

，外壳温度（

o

C)

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与

环境温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

t

1

t

2

单脉冲

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

10

-1

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

0

10

1

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

500

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

V

GS

= 10V

I = I

25

175 - T

C

150

100

30

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（S ）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

200

100

200

10s

I

AS

，雪崩电流（ A）

100

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

I

D

，漏电流（ A）

100s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

起始物为

J

= 25

o

C

10

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

1ms

10ms

DC

起始物为

J

= 150

o

C

1

100

200

0.001

0.01

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

图5.正向偏置安全工作区

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

80

T

C

= 25

o

C

60

V

GS

= 10V

V

GS

= 7V

V

GS

= 6V

80

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 175

o

C

40

T

J

=

20

T

J

= -55

o

C

25

o

C

40

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

20

V

GS

= 5V

0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

V

GS

，门源电压（ V）

6.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

DS

，漏源极电压（ V）

3.0

图7.传热特性

40

漏极至源极导通电阻（M

)

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

35

V

GS

= 6V

30

归一漏极至源极

抗性

图8.饱和特性

2.5

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

2.0

1.5

25

V

GS

= 10V

1.0

V

GS

= 10V ，我

D

= 41A

0.5

20

15

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图9.漏极至源极导通电阻VS漏

当前

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

1.0

归一化门

阈值电压

归一漏极至源极

击穿电压

1.2

I

D

= 250A

1.1

0.8

1.0

0.6

0.4

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

0.9

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

3000

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C

OSS

C

DS

+ C

GD

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

GS

，门源电压（ V）

V

DD

= 50V

8

1000

C，电容（pF ）

6

C

RSS

=

C

GD

100

4

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

10

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

任意波形

降序排列：

I

D

= 41A

I

D

= 6A

0

5

10

15

20

25

30

0

Q

g

，栅极电荷（ NC）

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

门电流

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

2003年9月

FDP3672

N沟道的PowerTrench

MOSFET

105V ， 41A ， 33mΩ

特点

r

DS （ ON）

= 25MΩ （典型值），V

GS

= 10V ，我

D

= 41A

Q

g

（ TOT ）= 28nC （典型值），V

GS

= 10V

低米勒电荷

低Q

RR

体二极管

在高频率效率优化

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

符合AEC Q101

应用

DC / DC转换器和离线式UPS

分布式电源架构和VRM的

主开关的24V和48V系统

高压同步整流器

直喷/柴油喷射系统

42V汽车负载控制

电子气门驱动系统

以前发育类型82760

D

漏

（法兰）

来源

漏

门

TO-220AB

FDP系列

G

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V)

I

D

连续（T

C

= 100

o

C，V

GS

= 10V)

连续（T

AMB

=

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注1 ）

功耗

减免上述

25

o

C

工作和存储温度

25

o

C,

V

GS

= 10V ，R

θJA

=

62

o

C / W ）

41

31

5.9

图4

48

135

0.9

-55至175

A

mJ

W

W/

o

C

o

参数

评级

105

±20

单位

V

C

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻结到外壳TO- 220

热阻结到环境TO- 220 （注2 ）

1.11

62

o

C / W

该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于

要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/

http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。

所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试

认证。

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

包装标志和订购信息

器件标识

FDP3672

设备

FDP3672

包

TO-220AB

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

50个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 80V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

105

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 41A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 21A ，V

GS

= 6V,

I

D

= 41A ，V

GS

= 10V,

T

C

= 175

o

C

2

-

0.025

0.031

0.063

4

0.033

0.055

0.070

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷，在10V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至2V

V

DD

= 50V

I

D

= 41A

I

g

= 1.0毫安

-

1670

240

55

28

3.9

12

8.0

6.5

-

37

5

-

pF

nC

电阻开关特性

(V

GS

= 10V)

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

V

DD

= 50V ，我

D

= 41A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 11.0

-

12

48

24

27

-

90

-

77

ns

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 41A

I

SD

= 21A

I

SD

= 41A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 41A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

39

42

V

ns

nC

注意事项：

1:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.11mH ，我

AS

= 30A.

2:

脉冲宽度= 100秒

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

50

V

GS

= 10V

功耗乘法器

1.0

I

D

，漏电流（ A）

0

25

50

75

100

125

150

175

40

0.8

30

0.6

0.4

20

0.2

10

0

T

C

，外壳温度（

o

C)

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1.归功耗与

环境温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

t

1

t

2

单脉冲

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

10

-1

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

0

10

1

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

500

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

V

GS

= 10V

I = I

25

175 - T

C

150

100

30

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（S ）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2003仙童半导体公司

FDP3672牧师A3

FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

200

100

200

10s

I

AS

，雪崩电流（ A）

100

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

I

D

，漏电流（ A）

100s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

起始物为

J

= 25

o

C

10

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

1ms

10ms

DC

起始物为

J

= 150

o

C

1

100

200

0.001

0.01

0.1

1

10

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

图5.正向偏置安全工作区

注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

80

T

C

= 25

o

C

60

V

GS

= 10V

V

GS

= 7V

V

GS

= 6V

80

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 175

o

C

40

T

J

=

20

T

J

= -55

o

C

25

o

C

40

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

20

V

GS

= 5V

0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

V

GS

，门源电压（ V）

6.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

V

DS

，漏源极电压（ V）

3.0

图7.传热特性

40

漏极至源极导通电阻（M

)

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

35

V

GS

= 6V

30

归一漏极至源极

抗性

图8.饱和特性

2.5

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

2.0

1.5

25

V

GS

= 10V

1.0

V

GS

= 10V ，我

D

= 41A

0.5

20

15

0

10

20

30

I

D

，漏电流（ A）

40

50

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图9.漏极至源极导通电阻VS漏

当前

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

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FDP3672

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

1.0

归一化门

阈值电压

归一漏极至源极

击穿电压

1.2

I

D

= 250A

1.1

0.8

1.0

0.6

0.4

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

0.9

-80

-40

0

40

80

120

160

T

J

，结温（

o

C)

200

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

3000

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C

OSS

C

DS

+ C

GD

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

GS

，门源电压（ V）

V

DD

= 50V

8

1000

C，电容（pF ）

6

C

RSS

=

C

GD

100

4

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

10

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

100

任意波形

降序排列：

I

D

= 41A

I

D

= 6A

0

5

10

15

20

25

30

0

Q

g

，栅极电荷（ NC）

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

门电流

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