FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
2002年10月
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
N沟道的PowerTrench
MOSFET
100V ， 61A ， 16mΩ
特点
r
DS （ ON）
= 14mΩ （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 61A
Q
g
（ TOT ）= 41nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低米勒电荷
低Q
RR
体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
符合AEC Q101
以前发育类型82769
应用
DC / DC转换器和离线式UPS
分布式电源架构和VRM的
主开关的24V和48V系统
高压同步整流器
直喷/柴油喷射系统
42V汽车负载控制
电子气门驱动系统
漏
（法兰）
门
来源
漏
门
漏
（法兰）
来源
漏
门
D
来源
G
TO-263AB
FDB系列
TO-220AB
FDP系列
漏
（法兰）
TO-262AA
FDI系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
I
D
连续（T
C
= 100℃ ，V
GS
= 10V)
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ） ，其中R
θJA
= 43 ℃/ W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注1 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
o
参数
评级
100
±20
61
43
9
图4
182
150
1.0
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 220 ， TO- 263 ， TO- 262
热阻结到环境TO- 220 ， TO- 263 ， TO- 262 （注2 ）
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
1.0
62
43
o
o
o
C / W
C / W
C / W
该产品的设计，以满足极端测试条件和环境，汽车行业要求。对于
要求副本，请AEC Q101为： http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html ：可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
2002仙童半导体公司
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652版本B
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
包装标志和订购信息
器件标识
FDB3652
FDP3652
FDI3652
设备
FDB3652
FDP3652
FDI3652
包
TO-263AB
TO-220AB
TO-262AA
带尺寸
330mm
管
管
胶带宽度
24mm
不适用
不适用
QUANTITY
800个
50个单位
50个单位
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 80V
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
C
= 150 C
o
105
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 61A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 30A ，V
GS
= 6V
I
D
= 61A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
2
-
-
-
-
0.014
0.018
0.035
4
0.016
0.026
0.043
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 50V
I
D
= 61A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
2880
390
100
41
5
15
10
10
-
-
-
53
6.5
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
(V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 50V ，我
D
= 61A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 6.8
-
-
-
-
-
-
-
12
85
26
45
-
146
-
-
-
-
107
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 61A
I
SD
= 30A
I
SD
= 61A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 61A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
62
45
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.228mH ，我
AS
= 40A.
2:
脉冲宽度= 100秒
2002仙童半导体公司
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652版本B
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
75
功耗乘法器
1.0
I
D
，漏电流（ A）
0
25
50
75
100
125
(
o
C)
150
175
0.8
50
0.6
0.4
25
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
1000
T
C
= 25
o
C
对于温度
跨
可能限流
在这个区域
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
I
DM
峰值电流（ A）
100
50
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
2002仙童半导体公司
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652版本B
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
10s
100
100s
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
1ms
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
200
10ms
DC
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
I
AS
，雪崩电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
100
起始物为
J
= 25
o
C
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
10
起始物为
J
= 150
o
C
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
125
125
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
100
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
100
I
D
，漏电流（ A）
75
T
J
= 175 C
50
T
J
= 25
o
C
25
T
J
= -55
o
C
o
75
50
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
25
V
GS
= 5V
0
3
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
4
7
0
0
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
图7.传热特性
20
漏极至源极导通电阻（ MΩ）
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
18
V
GS
= 6V
图8.饱和特性
3.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
2.5
2.0
16
1.5
1.0
14
V
GS
= 10V
12
0
20
40
I
D
，漏电流（ A）
60
0.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 61A
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS漏
当前
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
2002仙童半导体公司
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652版本B
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.2
归一化门
阈值电压
归一漏极至源极
击穿电压
1.2
I
D
= 250A
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
0.9
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
5000
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= 50V
8
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C，电容（pF ）
1000
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
C
RSS
=
C
GD
4
100
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
40
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
100
2
任意波形
降序排列：
I
D
= 61A
I
D
= 30A
0
10
20
30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
40
50
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
门电流
2002仙童半导体公司
FDB3652 / FDP3652 / FDI3652版本B
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