FDP036N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2011年7月
FDP036N10A
N沟道的PowerTrench
MOSFET
100V ， 214A ， 3.6mΩ
特点
R
DS （ ON）
= 3.2mΩ （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
符合RoHS
tm
描述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体Semicon-产生
导体的已埃斯佩先进的PowerTrench工艺
cially针对减少通态电阻，但
保持出色的开关性能。
应用
直流到直流转换器/同步整流
D
漏
（法兰）
来源
漏
门
G
TO-220AB
FDP系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
- 连续（T
C
= 25
o
C，硅有限公司）
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25
o
C)
- 减免上述25℃
o
参数
评级
100
±20
214*
151*
120
856
658
6.0
333
2.22
-55到+175
300
单位
V
V
A
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
= 100℃ ，硅有限公司）
- 连续（T
C
= 25℃ ，封装有限公司）
- 脉冲
（注1 ）
（注2 ）
（注3）
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*计算的连续电流，基于最大允许结温。套餐限制电流为120A 。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
评级
0.45
62.5
单位
o
C / W
2011仙童半导体公司
FDP036N10A牧师A3
1
www.fairchildsemi.com
FDP036N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDP036N10A
设备
FDP036N10A
包
TO-220
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
50
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V ，T
C
=
150
o
C
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
100
-
-
-
-
-
0.07
-
-
-
-
-
1
500
±100
V
V/
o
C
μA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
DS
= 10V ，我
D
= 75A
（注4 ）
2.0
-
-
3.0
3.2
167
4.0
3.6
-
V
mΩ
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 80V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
5485
2430
210
89
24
8
25
7295
3230
315
116
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
ESR
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
等效串联电阻（G -S）
V
DD
= 50V ，我
D
= 75A
V
GS
= 10V ，R
根
= 4.7Ω
-
-
-
-
-
22
54
37
11
1.2
54
118
84
32
-
ns
ns
ns
ns
Ω
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 75A ，V
DD
= 80V
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
72
129
214
856
1.25
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2.起始物为
J
= 25℃时，L = 1MH ，我
AS
= 36.3A
3. I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDP036N10A牧师A3
2
www.fairchildsemi.com
FDP036N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
600
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
图2.传输特性
300
100
I
D
，漏电流[ A]
o
I
D
，漏电流[ A]
100
150 C
o
10
25 C
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s脉冲测试
o
10
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
2
0.02
1
0.1
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
2
3
4
5
V
GS
，栅源电压[V]
6
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.0040
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
500
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
I
S
，反向漏电流[ A]
100
150 C
o
o
0.0035
V
GS
= 10V
25 C
0.0030
V
GS
= 20V
10
0.0025
0
*注：t
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
60
120
180
240
I
D
，漏电流[ A]
300
360
1
0.2
2. 250
μ
s脉冲测试
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.2
图5.电容特性
10000
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
8
电容[ pF的]
C
国际空间站
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
V
DS
= 20V
V
DS
= 50V
V
DS
= 80V
6
5000
C
OSS
4
2
*注：我
D
= 75A
C
RSS
100
0.1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
30
60
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
90
FDP036N10A牧师A3
3
www.fairchildsemi.com
FDP036N10A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型性能特性
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.10
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.1
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
1.8
1.05
1.5
1.00
1.2
0.95
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 10毫安
0.9
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 75A
0.90
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
0.6
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
2000
1000
10us
图10.最大漏极电流
与外壳温度
250
I
D
，漏电流[ A]
200
100
100us
1ms
10ms
DC
I
D
，漏电流[ A]
150
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100
1
*注意：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
50
不限按包
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
300
0
25
50
75
100
125
150
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
175
图11.非钳位感应开关能力
100
I
AS
，雪崩电流（ A）
如果R = 0
t
AV
= (L)
(
I
AS
)
/
(
1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
)
如果R = 0
t
AV
= （ L / R） 。在
[(
I
AS
*R
)
/
(
1.3 *额定BV
DSS
-V
DD
)
+1
]
起始物为
J
= 25 C
o
10
起始物为
J
= 150 C
o
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
FDP036N10A牧师A3
4
www.fairchildsemi.com
FDP036N0A的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型性能特性
图12.瞬态热响应曲线
1
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
o
0.01
0.02
0.01
单脉冲
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.45 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.001
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
1
FDP036N10A牧师A3
5
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
