【FDN342P1999年8月FDN342PP沟道2.5V指定的PowerTrenchTMMOSFET】,IC型号FDN342P,FDN342P PDF资料,FDN342P经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDN342P

1999年8月

FDN342P

P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET产生的

飞兆半导体的一个坚固的门版本

先进的PowerTrench工艺。它已被优化

用于电源管理的应用范围广

栅极驱动电压（ 2.5V - 12V ）。

特点

-2 A ， -20 V.

DS （ ON）

= 0.08

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.13

@ V

= -2.5 V.

坚固的门等级（ ± 12V ）。

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

增强的电源SuperSOT

-3 （ SOT -23 ）。

应用

负荷开关

电池保护

电源管理

SuperSOT -3

= 25 ° C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

-20

（注1A ）

单位

°C

±12

-2

-10

0.5

0.46

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

包装纲要和订货信息

器件标识

FDN342P

设备

FDN342P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

1999

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDN342P版本B

FDN342P

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

GSSF

GSSR

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

（注2 ）

测试条件

= 0 V，I

= -250

μA ，引用

至25℃

= -16 V, V

= 0 V

= 12 V, V

= 0 V

= -12 V, V

= 0 V

民

-20

典型值

最大

单位

开关特性

-16

-1

100

-100

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= -250

μA ，引用

至25℃

= -4.5 V，I

= -2 A

= -4.5 V，I

= -2 A ，T

=125°C

= -2.5 V，I

= -1.5 A

= -4.5 V, V

= -5 V

= -5 V，I

= -5 A

-0.6

-1.05

0.062

0.086

0.099

-1.5

毫伏/°C的

0.08

0.14

0.13

D（上）

-5

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= -10 V, V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

635

175

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V，I

= -1 A

= -4.5 V ，R

根

= 6

= -10 V，I

= -2 A

= -4.5 V,

6.3

1.5

1.7

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V，I

= -0.42 A

（注2 ）

-0.42

-0.7

-1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装

的漏极引脚表面。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一个），安装时250℃ / W的

在0.02

垫2盎司铜。

二）安装时， 270℃ / W的

在最低限度垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%

FDN342P版本B

FDN342P

典型特征

-4.0V

-3.5V

-3.0V

-2.5V

-2.0V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= -4.5V

-I

，漏源电流（A ）

1.8

= -2.5V

1.6

-3.0V

1.4

-3.5V

1.2

0.8

- I

，漏电流（ A）

-4.0V

-4.5V

-V

，漏源电压（V ）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化

与漏极电流和栅极电压。

0.3

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= -2.0A

= -4.5V

1.4

= -1A

0.2

1.2

0.1

= 125

= 25

0.8

0.6

-50

-25

100

125

150

，结温（ C）

-V

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

与温度。

= -55 C

25 C

125

-I

，反向漏电流（ A）

100

图4.导通电阻变化

同门 - 源电压。

= 0V

0.1

0.01

0.001

0.0001

= 125

-55

= -5V

-I

，漏电流（ A）

0.4

1.4

2.4

3.4

-V

，门源电压（ V）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDN342P版本B

FDN342P

典型特征

-V

，栅源电压（V ）

= -2A

（续）

1000

= -5V

-10V

电容（pF）

-15V

800

国际空间站

600

F = 1MHz的

= 0 V

400

200

OSS

RSS

，栅极电荷（ NC）

-V

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

图8.电容特性。

100

单脉冲

= 270℃ / W

=25 C

功率（W）的

1ms

10ms

-I

，漏电流（ A）

DS （ ON）

极限

= -4.5V

单脉冲

θJA

= 270

C / W

= 25

0.01

0.1

10s

100ms

0.1

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

-V

，漏源电压（V ）

单脉冲时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

瞬态热阻

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.002

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

P（ PK）

R（T ），规范有效

（吨） = R （t）的R *

= 270 ° C / W

- T

= P * R

JA （T ）

占空比D = T

100

300

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。

FDN342P版本B

SuperSOT

-3磁带和卷轴数据和封装尺寸

SSOT- 3包装

CON组fi guration ：

图1.0

自定义标签

包装说明：

SSOT - 3部分运胶带。载带是

从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯

树脂。盖带是一种多层膜（热激活

粘合剂的性质），主要由聚酯薄膜，

粘合剂层，密封剂和防静电喷洒剂。

在标准选项，这些摇摇晃晃的部分是随

3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是

深蓝色的颜色，是由聚苯乙烯塑料（抗

静电涂层）。其他选项来10000个单位13"

或330厘米卷筒直径。这与一些其他选项是

在包装信息表中描述。

这些完整卷轴是单独标记并放在里面

一个标准的中间由可回收的瓦楞纸

牛皮纸与飞兆半导体的标志打印。一个比萨盒

包含最多八个卷轴。而这些中间

箱子被放置在一个标有出货箱，

有不同的大小取决于零件的数量

出货。

防静电盖带

人类可读的浮雕

LABEL

载带

SSOT - 3标准包装信息

包装选项

包装类型

每卷/管材/袋数量

带尺寸

箱尺寸（mm ）

每箱数量最多

每单位重量（克）

每卷重量（kg ）

注/评论

标准

（无流量代码）

TNR

3,000

7"迪亚

D87Z

TNR

10,000

13"

SSOT - 3标准单位座向

343毫米X 342毫米X 64毫米

为D87Z选项框的中间

人类可读的标签

187x107x183 343x343x64

24,000

0.0097

0.1230

30,000

0.0097

0.4150

人类可读的标签样本

人类可读

LABEL

SSOT - 3磁带片头和片尾

CON组fi guration ：

图2.0

187毫米X 107毫米X 183毫米

中间盒的标准选

载带

盖带

组件

拖车带

300毫米最小或

75皆空

引导带

500毫米最小或

125皆空

1999年8月，版本C

SMD型

产品speci fi cation

FDN342P

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET产生的

飞兆半导体的一个坚固的门版本

先进的PowerTrench工艺。它已被优化

用于电源管理的应用范围广

栅极驱动电压（ 2.5V - 12V ）。

特点

-2 A ， -20 V.

DS （ ON）

= 0.08

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.13

@ V

= -2.5 V.

坚固的门等级（ ± 12V ）。

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

增强的电源SuperSOT

-3 （ SOT -23 ）。

应用

负荷开关

电池保护

电源管理

SuperSOT -3

= 25 ° C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

-20

（注1A ）

单位

°C

±12

-2

-10

0.5

0.46

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

包装纲要和订货信息

器件标识

FDN342P

设备

FDN342P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

http://www.twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

产品speci fi cation

FDN342P

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

GSSF

GSSR

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流，

前锋

门体漏电流，

反向

（注2 ）

测试条件

= 0 V，I

= -250

μA ，引用

至25℃

= -16 V, V

= 0 V

= 12 V, V

= 0 V

= -12 V, V

= 0 V

民

-20

典型值

最大

单位

开关特性

-16

-1

100

-100

毫伏/°C的

基本特征

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

正向跨导

= V

, I

= -250

μA ，引用

至25℃

= -4.5 V，I

= -2 A

= -4.5 V，I

= -2 A ，T

=125°C

= -2.5 V，I

= -1.5 A

= -4.5 V, V

= -5 V

= -5 V，I

= -5 A

-0.6

-1.05

0.062

0.086

0.099

-1.5

毫伏/°C的

0.08

0.14

0.13

D（上）

-5

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= -10 V, V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

635

175

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V，I

= -1 A

= -4.5 V ，R

根

= 6

= -10 V，I

= -2 A

= -4.5 V,

6.3

1.5

1.7

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V，I

= -0.42 A

（注2 ）

-0.42

-0.7

-1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装

的漏极引脚表面。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一个），安装时250℃ / W的

在0.02

垫2盎司铜。

二）安装时， 270℃ / W的

在最低限度垫。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%

http://www.twtysemi.com

4008-318-123

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