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FDMS8672AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
2007年11月
FDMS8672AS
N沟道
特点
最大
DS ( ON)
= 5.0mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 18A
最大
DS ( ON)
= 7.0mΩ在V
GS
= 4.5V ,我
D
= 15A
先进的封装和芯片组合
对于低R
DS ( ON)
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
符合RoHS
的PowerTrench
SyncFET
TM
概述
tm
30V , 28A , 5.0mΩ
该FDMS8672AS已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术,已被合并到提供的最低
r
DS ( ON)
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
销1
S
S
D
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
D
D
功率56 (底视图)
D
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续(包装有限公司)
I
D
- 连续(硅有限公司)
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
(注1A )
(注2 )
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
(注1A )
参数
评级
30
±20
28
99
18
200
253
70
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1A )
1.8
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS8672AS
设备
FDMS8672AS
电源56
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000units
2007仙童半导体公司
FDMS8672AS Rev.B2
1
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FDMS8672AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
30
27
500
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
r
DS ( ON)
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
GS
= 10V ,我
D
= 18A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 15A
V
GS
= 10V ,我
D
= 18A ,T
J
= 125°C
V
DD
= 10V ,我
D
= 18A
1.0
1.9
-5
4.0
5.4
5.6
85
5.0
7.0
7.6
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1955
1040
125
0.8
2600
1385
190
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
DD
= 15V,
V
GS
= 0V至4.5V
I
D
= 18A
V
DD
= 15V ,我
D
= 18A,
V
GS
= 10V ,R
= 6
12
4
27
3
28
15
5.6
3.4
22
10
44
10
40
21
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
S
=2A
(注3)
0.4
32
36
0.7
52
58
V
ns
nC
I
F
= 18A ,的di / dt = 300A / μs的
注意事项:
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
一。装在当50℃ / W的
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
2.起始物为
J
= 25 ,L = 3MH ,我
AS
= 13A ,V
DD
= 30V, V
GS
= 10V.
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
2007仙童半导体公司
FDMS8672AS Rev.B2
2
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FDMS8672AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
200
漏极至源极导通电阻
3.0
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4V
160
I
D
,
漏电流( A)
2.5
V
GS
= 4V
120
80
2.0
1.5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 10V
40
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
1.0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
0
0
0.5
0
40
80
120
160
200
I
D
,
漏极电流( A)
1
2
3
4
V
DS
,
漏源极电压( V)
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
16
源导通电阻
(
m
)
1.8
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 18A
V
GS
= 10V
I
D
= 18A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
12
r
DS ( ON)
,沥去
8
T
J
= 125
o
C
4
T
J
= 25
o
C
0
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
V
GS
,
栅极至源极电压
(
V
)
图3.归一导通电阻
VS结温
175
I
S
,反向漏电流( A)
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
10
1
0.1
V
GS
= 0V
140
I
D
,漏电流( A)
V
DS
= 5V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
105
70
T
J
=
125
o
C
T
J
= -55
o
C
35
T
J
=
25
o
C
T
J
=
-55
o
C
0.01
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
,门源电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 18A
5000
C
国际空间站
8
电容(pF)
V
DD
= 10V
C
OSS
6
4
2
0
0
5
1000
V
DD
= 15V
V
DD
= 20V
C
RSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
15
20
25
30
1
10
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
100
I
D
,
漏电流( A)
30
I
AS
,雪崩电流( A)
80
V
GS
= 10V
10
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
60
40
20
R
θ
JC
= 1.8 C / W
o
不限按包
V
GS
= 4.5V
1
0.01
0.1
1
10
100
500
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
300
100
s
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
500
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率( W)
100
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 10V
100
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
1ms
10ms
1
100ms
1s
10s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1
0.5
-3
10
10
-2
0.01
0.01
0.1
1
10
100
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
,漏源极电压( V)
T,脉冲宽度( S)
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.001
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图13.瞬态热响应曲线
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDMS8672AS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1269876724 复制 点击这里给我发消息 QQ:807746069 复制

电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
FDMS8672AS
FAIRCHILD
新年份
35600
DFN-8
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
FDMS8672AS
FAIRCHILD/仙童
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
FDMS8672AS
Fairchild Semiconductor
24+
10000
8-PQFN(5x6)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
FDMS8672AS
onsemi
24+
10000
8-PQFN(5x6)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
FDMS8672AS
FAIRCHILD/仙童
2443+
23000
QFN
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FDMS8672AS
FAIRCHIL
21+22+
27000
PQFN-8
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FDMS8672AS
FAIRCHIL
1008+/1003+
6411
原装正品,支持实单
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
FDMS8672AS
FAIRCHILD/仙童
24+
22000
PQFN-8
原装正品假一赔百!
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
FDMS8672AS
ON
23+
16320
QFN
全新原装现货热卖
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
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FDMS8672AS
ON
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