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FDMS86200 N沟道功率沟槽

MOSFET

2012年11月

FDMS86200

N沟道功率沟槽

MOSFET

150 V， 49 A， 18毫欧

特点

最大

DS （ ON）

= 18毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 9.6 A

最大

DS （ ON）

= 21毫欧，在V

GS

= 6 V，I

D

= 8.8 A

先进的封装和硅结合的低R

DS （ ON）

和高效率

MSL1稳健包装设计

100 ％ UIL测试

符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进电源海沟

过程中有

特别是针对已尽量减少通态电阻和

同时保持出色的开关性能。

应用

DC- DC转换器

顶部

底部

销1

S

S

S

S

G

S

S

D

D

D

G

D

D

D

D

D

电源56

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续

-Continuous

-Pulsed

单脉冲雪崩能量

功耗

功耗

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

参数

评级

150

±20

49

9.6

100

220

104

2.5

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

1.2

50

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS86200

设备

FDMS86200

包

电源56

带尺寸

13 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2012仙童半导体公司

FDMS86200 Rev.C3

1

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FDMS86200 N沟道功率沟槽

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

DS

= 120 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

150

110

1

100

V

毫伏/°C的

μA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

μA

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 9.6 A

V

GS

= 6 V，I

D

= 8.8 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 9.6 A，T

J

= 125 °C

V

DD

= 10 V，I

D

= 9.6 A

2.0

2.5

-10

15

17

28

33

18

21

34

S

mΩ

4.0

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 75 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

2041

203

10

1.2

2715

270

16

3

pF

pF

pF

Ω

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

总栅极电荷

总栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至5 V

V

DD

= 75 V

I

D

= 9.6 A

V

DD

= 75 V，I

D

= 9.6 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

Ω

13

7.9

27

5.8

33

18

7.9

7.7

23

16

44

12

46

26

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 2 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 9.6 A

I

F

= 9.6 A， di / dt的= 100 A / μs的

（注2 ）

（注2 ）

0.69

0.77

76

113

1.2

1.3

120

181

V

ns

nC

注意事项：

1. R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。装在当50℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

安装时b.125 ° C / W

2盎司纯铜最低垫

SS

SF

DS

DF

G

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

μs,

占空比< 2.0 ％。

3. E

AS

220兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

°

C，L = 1 mH的，我

AS

= 21 A，V

DD

= 150 V, V

GS

= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.1 mH的，我

AS

= 46 A.

SS

SF

DS

DF

G

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2

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FDMS86200 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

V

GS

= 10 V

V

GS

= 6 V

V

GS

= 5 V

归

漏极至源极导通电阻

100

80

I

D

,

漏电流（ A）

4

V

GS

= 4 V

3

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 6 V

60

40

20

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

2

V

GS

= 4.5 V

1

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4 V

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

,

漏源极电压（ V）

0

0

20

40

60

80

100

I

D

,

漏电流（ A）

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

50

源导通电阻

(

m

Ω

)

2.4

归

漏极至源极导通电阻

2.0

1.6

1.2

0.8

I

D

= 9.6 A

V

GS

= 10 V

r

DS （ON ），

漏

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

40

I

D

= 9.6 A

30

T

J

= 125

o

C

20

T

J

= 25

o

C

0.4

-75

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

10

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

100

80

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

= 5 V

I

S

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

100

V

GS

= 0 V

10

T

J

= 150

o

C

60

T

J

= 150

o

C

1

0.1

0.01

T

J

= 25

o

C

40

T

J

= 25

o

C

20

T

J

= -55

o

C

T

J

= -55

o

C

0

2

3

4

5

6

V

GS

，门源电压（ V）

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDMS86200 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 9.6 A

V

DD

= 75 V

电容（pF）

5000

C

国际空间站

8

V

DD

= 50 V

V

DD

= 100 V

1000

6

4

2

C

OSS

100

10

0

0

5

10

15

20

25

30

35

Q

g

，栅极电荷（ NC）

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

RSS

5

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

60

I

D

,

漏电流（ A）

100

I

AS

，雪崩电流（ A）

45

不限按包

V

GS

= 10 V

T

J

= 25

o

C

10

T

J

= 100

o

C

30

V

GS

= 6 V

15

R

θ

JC

= 1.2 C / W

o

T

J

= 125

o

C

1

0.001

0.01

0.1

1

10

50

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

c

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

300

100

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

1000

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

V

GS

= 10 V

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

10

1毫秒

100

1

0.1

0.01

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

1s

10 s

DC

10

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1

0.5

-3

10

10

-2

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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FDMS86200 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

0.001

-3

10

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.瞬态热响应曲线

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