FDMS86101的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2009年5月
FDMS86101
N沟道的PowerTrench
MOSFET
100 V, 49 A, 8米
特点
最大
DS ( ON)
= 8 m
在V
GS
= 10 V,I
D
= 13 A
在V
GS
= 6 V,I
D
= 9.5 A
最大
DS ( ON)
= 13.5 m
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
过程吴丹有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
先进的封装和硅结合的低R
DS ( ON)
和高效率
MSL1稳健包装设计
100 % UIL测试
符合RoHS
应用
DC- DC转换器
顶部
底部
S
销1
S
D
S
G
D
D
D
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续(包装有限公司)
I
D
- 连续(硅有限公司)
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
(注1A )
(注3)
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
(注1A )
参数
评级
100
±20
49
80
12.4
100
135
104
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
R
JC
JA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1A )
1.2
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS86101
设备
FDMS86101
包
电源56
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
2009仙童半导体公司
FDMS86101 C1版本
1
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FDMS86101的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ,除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流,正向
I
D
= 250 A,V
GS
= 0 V
I
D
= 250 A,参考25℃
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
100
66
800
100
V
毫伏/°C的
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
r
DS ( ON)
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 A,参考25℃
V
GS
= 10 V,I
D
= 13 A
V
GS
= 6 V,I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 13 A,T
J
= 125 °C
V
DS
= 10 V,I
D
= 13 A
2.0
2.9
-9
6.3
8.4
10.9
45
8
13.5
14
S
m
4.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
2255
460
30
1.0
3000
610
45
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至5 V
V
DD
= 50 V,
I
D
= 13 A
V
DD
= 50 V,I
D
= 13 A,
V
GS
= 10 V ,R
根
= 6
15
11
27
7
39
22
9.5
10.8
27
20
44
13
55
31
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 13 A
(注2 )
(注2 )
0.7
0.8
56
61
1.2
1.3
90
98
V
ns
nC
I
F
= 13 A, di / dt的= 100 A / S
注意事项:
1. R
JA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
JC
由设计而
CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当50℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300秒,占空比< 2.0 % 。
3.起始物为
J
= 25
°
C,L = 0.3 mH的,我
AS
= 30 A,V
DD
= 75 V, V
GS
= 10 V
2009仙童半导体公司
FDMS86101 C1版本
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典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
100
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 6 V
5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 5.5 V
脉冲持续时间= 80年代
占空比= 0.5 % MAX
80
I
D
,
漏电流( A)
4
3
2
1
V
GS
= 5 V
V
GS
= 5.5 V
60
V
GS
= 10 V
40
20
V
GS
= 5 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 4.5 V
脉冲持续时间= 80年代
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,
漏源极电压( V)
0
0
20
40
60
80
100
I
D
,
漏电流( A)
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
2.0
归
漏极至源极导通电阻
40
源导通电阻
(
m
)
I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 13 A
脉冲持续时间= 80年代
占空比= 0.5 % MAX
30
r
DS (ON ) ,
漏
20
T
J
= 125
o
C
10
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压( V)
图3.归一导通电阻
VS结温
100
脉冲持续时间= 80年代
占空比= 0.5 % MAX
I
S
,反向漏电流( A)
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
V
GS
= 0 V
80
I
D
,漏电流( A)
V
DS
= 5 V
10
T
J
= 150
o
C
60
T
J
= 150
o
C
1
T
J
= 25
o
C
40
T
J
= 25
o
C
20
T
J
= -55
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
0
2
3
4
5
6
V
GS
,门源电压( V)
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
10
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 13 A
V
DD
= 50 V
10000
C
国际空间站
V
DD
= 75 V
8
V
DD
= 25 V
电容(pF)
1000
C
OSS
6
4
2
100
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
0
0
10
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
30
40
10
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
90
I
D
,
漏电流( A)
100
I
AS
,雪崩电流( A)
75
60
45
不限按包
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 100
o
C
V
GS
= 10 V
30
R
JC
= 1.2
o
T
J
= 125
o
C
C / W
V
GS
= 6 V
15
0
25
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
50
75
100
o
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
c
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
200
100
I
D
,漏电流( A)
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
2000
1000
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率( W)
V
GS
= 10 V
单脉冲
R
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
1毫秒
100
10毫秒
1
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
JA
= 125
o
100毫秒
1s
10 s
DC
10
C / W
0.01
0.01
T
A
= 25
o
C
0.1
1
10
100
500
1
0.5
-3
10
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
T,脉冲宽度(秒)
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
t
1
t
2
单脉冲
0.001
0.0005
-3
10
R
JA
-2
= 125℃ / W
o
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
JA
个R
JA
+ T
A
10
10
-1
1
10
100
1000
吨,矩形脉冲持续时间(秒)
图13.结至环境瞬态热响应曲线
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