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FDMS7700S双N沟道PowerTrench

MOSFET

2009年12月

FDMS7700S

双N沟道PowerTrench

MOSFET

N通道： 30 V ， 30 A ， 7.5 mΩ的N通道： 30 V ， 40 A ， 2.4 mΩ的

特点

Q1 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 7.5毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A

最大

DS （ ON）

= 12毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

Q2 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 2.4毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

最大

DS （ ON）

= 2.9毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 18 A

符合RoHS

概述

该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的

双MLP package.The交换节点已在内部

连接，可方便地放置和同步路由

降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步

SyncFET （Q 2 ）的目的是为了提供最佳的功率

EF网络效率。

应用

计算

通讯

负载的通用点

笔记本VCORE

S2

S1/D2

D1

顶部

电源56

D1

S2

G2

S2

5

6

7

8

Q2

4

D1

3

D1

2

D1

Q1

G1

底部

G2

1

G1

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

I

D

- 连续（包装有限公司）

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

P

D

T

J

, T

英镑

功率消耗单操作

工作和存储结温范围

T

A

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

参数

Q1

30

±20

30

50

12

1a

Q2

30

±20

40

120

22

1b

60

2.5

1b

1.0

1d

单位

V

A

40

2.2

1a

1.0

1c

W

°C

-55到+150

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

57

1a

125

1c

3.5

50

1b

120

1d

2

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS7700S

设备

FDMS7700S

包

电源56

带尺寸

13 ”

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2009仙童半导体公司

FDMS7700S Rev.C

1

www.fairchildsemi.com

FDMS7700S双N沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250

A,

V

GS

= 0 V

I

D

= 1毫安， V

GS

= 0 V

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

I

D

= 1毫安，参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

30

15

14

1

500

100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

门源阈值电压

温度COEF网络cient

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

A

V

GS

= V

DS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

I

D

= 1毫安，参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 12 A，T

J

= 125 °C

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 18 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A，T

J

= 125 °C

V

DS

= 5 V，I

D

= 12 A

V

DS

= 5 V，I

D

= 20 A

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

1

1.8

1.5

-6

-4

6.0

8.5

8.3

1.9

2.2

2.1

63

160

7.5

12

2.4

2.9

3.4

3

V

毫伏/°C的

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

m

Q2

Q1

Q2

g

FS

正向跨导

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

Q1:

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q2:

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

1315

7240

445

2690

45

185

0.9

0.8

1750

9630

600

3580

70

280

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V Q1

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 0 V至4.5 V I

D

= 12 A

Q2

V

DD

= 15 V,

I

D

= 20 A

Q1:

V

DD

= 15 V，I

D

= 12 A，R

根

= 6

Q2:

V

DD

= 15 V，I

D

= 20 A，R

根

= 6

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

8.6

21

2.5

9.2

20

58

2.3

6.8

20

105

9.3

48

4.3

19

2.2

11

18

34

10

18

32

93

10

14

28

147

13

67

ns

nC

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FDMS7700S双N沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 12 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 20 A

Q1

I

F

= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的

Q2

I

F

= 20 A， di / dt的= 300 A / μs的

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

0.8

0.7

27

53

10

100

1.2

43

85

18

160

V

ns

nC

注意事项：

1:

R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计，同时保证

R

= CA

确定

深受用户的电路板设计。

一。安装在57 ° C / W

在A 1

2

2盎司纯铜垫

B 。装在当50℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

。安装在一个时120℃ / W的

2盎司纯铜最小焊盘

2:

脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％。

3:

作为一个N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲ocurrence 。没有连续得分的暗示。

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FDMS7700S双N沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 ° C除非另有说明

40

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10 V

4

V

GS

= 6 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

，漏电流（ A）

30

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

3

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4 V

20

2

V

GS

= 4.5 V

10

V

GS

= 3.5 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1

V

GS

= 6 V

0

10

20

I

D

,

漏电流（ A）

30

V

GS

= 10 V

0

0.0

0.5

1.0

1.5

V

DS

,

漏源极电压（ V）

2.0

40

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

40

源导通电阻

(

m

)

1.6

归

漏极至源极导通电阻

I

D

= 12 A

V

GS

= 10 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

r

DS （ON ），

漏

1.4

30

I

D

= 12 A

1.2

20

T

J

= 125

o

C

1.0

10

T

J

= 25

o

C

0.8

-75

0

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

40

I

S

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

40

V

GS

= 0 V

10

I

D

，漏电流（ A）

30

V

DS

= 5 V

T

J

= 150

o

C

1

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

20

0.1

T

J

= 25

o

C

10

T

J

= -55

o

C

0.01

T

J

= -55

o

C

0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDMS7700S双N沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 12 A

2000

1000

C

国际空间站

8

6

V

DD

= 15 V

电容（pF）

V

DD

= 10 V

C

OSS

4

V

DD

=

20 V

100

2

0

5

10

Q

g

，栅极电荷（ NC）

C

RSS

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

15

20

10

0.1

1

10

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

100

60

V

GS

= 10 V

R

θ

JC

= 3.5 C / W

I

D

，漏电流（ A）

o

I

D

,

漏电流（ A）

100us

10

1毫秒

40

V

GS

= 4.5 V

1

这个区域是

LIMITED BY的RDS

(

on

)

10毫秒

100毫秒

20

不限按包

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1s

10s

DC

1

10

100

200

0

25

50

75

100

o

125

150

0.01

0.1

T

C

,

外壳温度

(

C

)

V

DS

，漏源极电压（ V）

图9.最大连续漏极

电流与外壳温度

1000

P

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

图10.正向偏置安全

工作区

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

100

T

A

= 25 C

10

1

0.5

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

T，脉冲宽度（ S）

图11.单脉冲最大功率耗散

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