FDMS7682的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2010年7月
FDMS7682
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30 V ， 6.3毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 6.3毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A
最大
DS （ ON）
= 10.4毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11 A
先进的封装和硅结合的低R
DS （ ON）
和高效率
下一代增强
专为软恢复
MSL1稳健包装设计
100 ％ UIL测试
符合RoHS
体
二极管
技术，
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
提高了整体效率和最大限度地减少开关节点
使用的DC / DC转换振铃同步或
传统开关PWM controllers.It已被优化
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
，开关速度快和体
二极管的反向恢复性能。
应用
IMVP Vcore电压切换为笔记本电脑
VRM核心电压转换为台式机和服务器
OringFET /负载开关
DC- DC转换器
顶部
底部
销1
S
S
D
S
G
D
D
D
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
G
S
S
S
电源56
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注4 ）
参数
评级
30
±20
22
59
16
80
29
33
2.5
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
3.7
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS7682
设备
FDMS7682
包
电源56
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
2010仙童半导体公司
FDMS7682 Rev.C
1
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FDMS7682的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
30
15
1
100
V
毫伏/°C的
μA
nA
门源漏电流，正向V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 11 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 14 A
1.25
1.9
-6
5.2
8.0
7.0
70
6.3
10.4
8.5
S
mΩ
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
1416
479
50
0.7
1885
640
75
2.4
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V,
I
D
= 14 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
9.4
2.7
22
2.2
21
9.9
4.3
2.8
19
10
35
10
30
14
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 14 A
I
F
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
I
F
= 14 A， di / dt的= 300 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.74
0.83
27
10
20
17
1.2
1.3
43
21
36
30
V
ns
nC
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一个），安装在一个时50℃ / W的
1年
2
2盎司纯铜垫
二）安装在当125° C / W的
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
29兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 0.3 mH的，我
AS
= 14 A，V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.1 mH的，我
AS
= 21 A.
4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。
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2
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