电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
FDMS7676的N-沟道PowerTrench
MOSFET
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流，正向
I
D
= 250 A，V
GS
= 0 V
I
D
= 250 A，参考25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
30
15
1
100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250 A
I
D
= 250 A，参考25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 19 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 19 A
1.25
2.0
-7
3.8
5.4
5.2
64
5.5
7.6
7.5
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
2225
685
90
0.7
2960
910
130
1.5
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V,
I
D
= 19 A
V
DD
= 15 V，I
D
= 19 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
13
5
25
4
31
14
7.6
3.7
23
10
40
10
44
19
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
S
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
柔软度（T
b
/t
a
)
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 19 A， di / dt的= 300 A / S
I
F
= 19 A， di / dt的= 100 A / S
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 19 A
（注2 ）
（注2 ）
0.7
0.8
32
14
15
17
1.1
26
25
42
40
ns
nC
0.95
1.1
51
24
V
ns
nC
nC
nC
注意事项：
1. R
JA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
JC
由设计而
CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当50℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300秒，占空比< 2.0 ％ 。
3. E
AS
72兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C，L = 1 mH的，我
AS
= 12 A，V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.3 mH的，我
AS
= 17 A.
4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。
FDMS7676版本A
2
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