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FDMS7660的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2009年4月

FDMS7660

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30 V ， 2.8毫欧

特点

最大

DS （ ON）

= 2.8毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A

最大

DS （ ON）

= 3.5毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 19 A

先进的封装和硅结合的低R

DS （ ON）

和

高效率

新一代增强型体二极管技术，工程

软恢复。肖特基提供类似性能

最小的EMI同步降压转换器应用

MSL1稳健包装设计

100 ％ UIL测试

符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

提高了整体效率和最大限度地减少开关节点

使用的DC / DC转换振铃同步或

传统开关PWM控制器。它已被优化

低栅极电荷，低R

DS （ON ），

快速的开关速度和身体

二极管的反向恢复性能。

应用

IMVP Vcore电压切换为笔记本电脑

VRM核心电压转换为台式机和服务器

OringFET /负载开关

DC- DC转换器

顶部

底部

S

销1

S

G

D

5

6

7

8

4

3

2

1

G

S

电源56

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注4 ）

参数

评级

30

±20

42

144

25

150

128

78

2.5

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

1.6

50

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS7660

设备

FDMS7660

包

电源56

1

带尺寸

13 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

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2009仙童半导体公司

FDMS7660启示录

D

FDMS7660的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流，正向

I

D

= 250

A,

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

30

17

1

100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 19 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 25 A，T

J

= 125 °C

V

DS

= 5 V，I

D

= 25 A

1.25

1.9

-7

1.9

2.7

2.5

250

2.8

3.5

3.7

S

m

3.0

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

4185

1380

125

0.9

5565

1830

190

2.0

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至4.5 V V

DD

= 15 V,

I

D

= 25 A

V

DD

= 15 V，I

D

= 25A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

17

9

37

7

60

27

12.3

7.2

31

18

60

13

84

38

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

t

a

t

b

S

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复下降时间

反向恢复上升时间

柔软度（T

b

/t

a

)

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

F

= 25 A， di / dt的= 300 A / μs的

I

F

= 25 A， di / dt的= 100 A / μs的

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.1 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 25 A

（注2 ）

0.7

0.8

46

26

19

27

1.4

36

43

58

68

ns

nC

0.95

1.1

74

42

V

ns

nC

注意事项：

1. R

θJA

与安装在1英寸的设备决定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装在当50℃ / W的

1年

2

垫2盎司纯铜。

B 。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％。

3. E

AS

128兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

°

C，L = 1 mH的，我

AS

= 16 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.3 mH的，我

AS

= 23 A.

4.由于有N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。

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D

2

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

150

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10 V

14

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

V

GS

= 3.5 V

12

V

GS

= 3 V

120

I

D

,

漏电流（ A）

10

8

V

GS

= 3.5 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

90

60

6

4

2

0

30

60

90

120

150

I

D

,

漏电流（ A）

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

30

V

GS

= 3 V

0

0.5

1.0

1.5

V

DS

,

漏源极电压（ V）

2.0

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

10

源导通电阻

(

m

)

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

8

I

D

= 25 A

r

DS （ON ），

漏

6

4

T

J

= 125

o

C

2

T

J

= 25

o

C

0

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

150

120

I

D

，漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

200

100

V

GS

= 0 V

V

DS

= 5 V

T

J

= 150

o

C

90

T

J

= 150

o

C

10

T

J

= 25

o

C

60

T

J

= 25

o

C

1

T

J

= -55

o

C

30

T

J

=

-55

o

C

0

1

2

3

4

5

V

GS

，门源电压（ V）

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 25 A

10000

C

国际空间站

电容（pF）

V

DD

= 15 V

8

1000

C

OSS

6

V

DD

= 10 V

V

DD

= 20 V

4

2

100

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

RSS

0

15

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

45

60

10

0.1

1

10

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

150

I

D

,

漏电流（ A）

100

I

AS

，雪崩电流（ A）

120

V

GS

= 10 V

T

J

= 25

o

C

90

V

GS

= 4.5 V

10

T

J

= 100

o

C

T

J

= 125

o

C

60

30

不限按包

R

θ

JC

= 1.6 C / W

o

1

0.01

0.1

1

10

100

1000

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

c

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

500

100

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

2000

1000

V

GS

= 10 V

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

100美

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

10

1毫秒

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

1

10毫秒

100毫秒

1s

10 s

DC

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

0.01

0.1

1

10

100

1

0.5

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

0.001

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

0.0001

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.结至环境瞬态热响应曲线

图15 。

30

25

20

电流（A ）

的di / dt = 300 A /

s

15

10

5

0

-5

0

40

80

120

160

200

240

时间（纳秒）

图14.体二极管反向

恢复特性

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