FDMS7600AS双N沟道PowerTrench
MOSFET
2009年12月
FDMS7600AS
双N沟道PowerTrench
MOSFET
N通道： 30 V ， 30 A ， 7.5 mΩ的N通道： 30 V ， 40 A ， 2.8 mΩ的
特点
Q1 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 7.5毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
最大
DS （ ON）
= 12毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
Q2 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 2.8毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
最大
DS （ ON）
= 3.3毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A
符合RoHS
概述
该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的
双MLP package.The交换节点已在内部
连接，可方便地放置和同步路由
降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步
SyncFET （Q 2 ）的目的是为了提供最佳的功率
EF网络效率。
应用
计算
通讯
负载的通用点
笔记本V
CORE
S2
S1/D2
D1
D1
顶部
电源56
D1
D1
S2
S2
G2
S2
S2
S2
5
6
7
8
Q2
4
D1
3
D1
2
D1
Q1
G1
底部
G2
1
G1
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
- 连续（包装有限公司）
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
P
D
T
J
, T
英镑
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
参数
Q1
30
±20
30
50
12
1a
Q2
30
±20
40
120
22
1b
60
2.5
1b
1.0
1d
单位
V
V
A
40
2.2
1a
1.0
1c
W
°C
-55到+150
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
57
1a
125
1c
3.5
50
1b
120
1d
2
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS7600AS
设备
FDMS7600AS
包
电源56
带尺寸
13 ”
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= 1毫安，参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
15
18
1
500
100
100
V
毫伏/°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= 1毫安，参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 12 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 20 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
1
1.8
1.5
-6
-5
6.0
8.5
8.3
2.2
2.6
2.6
63
190
7.5
12
12
2.8
3.3
3.8
3
3
V
毫伏/°C的
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
m
Q2
Q1
Q2
g
FS
正向跨导
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q1:
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
Q2:
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1315
5265
445
2150
45
200
0.9
0.3
1750
7005
600
2860
70
300
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
Q1:
V
DD
= 15 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Q2:
V
DD
= 15 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
V
GS
= 0 V至10 V Q1
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 0 V至4.5 V I
D
= 12 A
Q2
V
DD
= 15 V,
I
D
= 20 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8.6
18
2.5
7.6
20
45
2.3
5.2
20
81
9.3
37
4.3
13
2.2
9.6
18
32
10
16
32
72
10
10
28
113
13
52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 12 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 20 A
Q1
I
F
= 12 A， di / dt的= 100 A / μs的
Q2
I
F
= 20 A， di / dt的= 300 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
0.7
27
47
10
80
1.2
1.2
43
75
18
128
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
确定
深受用户的电路板设计。
一。安装在57 ° C / W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。装在当50℃ / W的
在A 1
2
2盎司纯铜垫
。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘
。安装在一个时120℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
3:
作为一个N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲ocurrence 。没有连续得分的暗示。
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典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 C ，除非另有说明
40
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
4
V
GS
= 6 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
，漏电流（ A）
30
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
3
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
20
2
V
GS
= 4.5 V
10
V
GS
= 3.5 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
V
GS
= 6 V
0
0
10
20
I
D
,
漏电流（ A）
30
V
GS
= 10 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
2.0
40
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
40
源导通电阻
(
m
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
r
DS （ON ） ，
漏
1.4
30
I
D
= 12 A
1.2
20
T
J
= 125
o
C
1.0
10
T
J
= 25
o
C
0.8
-75
0
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
40
I
S
，反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
40
V
GS
= 0 V
10
I
D
，漏电流（ A）
30
V
DS
= 5 V
T
J
= 150
o
C
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
20
0.1
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 12 A
2000
1000
C
国际空间站
8
6
V
DD
= 15 V
电容（pF）
V
DD
= 10 V
C
OSS
4
V
DD
=
20 V
100
2
0
0
5
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
15
20
10
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
100
60
V
GS
= 10 V
R
θ
JC
= 3.5 C / W
I
D
，漏电流（ A）
o
I
D
,
漏电流（ A）
100us
10
1毫秒
40
V
GS
= 4.5 V
1
这个区域是
LIMITED BY的RDS
(
on
)
10毫秒
100毫秒
20
不限按包
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1s
10s
DC
1
10
100
200
0
25
50
75
100
o
125
150
0.01
0.01
0.1
T
C
,
外壳温度
(
C
)
V
DS
，漏源极电压（ V）
图9.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1000
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全工作区
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
o
100
T
A
= 25 C
10
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
T，脉冲宽度（ S）
图11.单脉冲最大功率耗散
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