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FDMS5352 N沟道功率沟槽

MOSFET

2008年4月

FDMS5352

N沟道功率

60V ， 49A ， 6.7MΩ

特点

最大

DS （ ON）

= 6.7MΩ在V

GS

= 10V ，我

D

= 13.6A

最大

DS （ ON）

= 8.2mΩ在V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12.3A

先进的封装和硅结合的低R

DS （ ON）

MSL1稳健包装设计

100 ％ UIL测试

符合RoHS

TRENCH

tm

MOSFET

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进电源海沟

过程中有

特别是针对已尽量减少通态电阻和

同时保持出色的开关性能。

应用

直流 - 直流转换

顶部

底部

S

销1

S

D

S

G

D

D

D

D

D

D

D

5

6

7

8

4

3

2

1

G

S

S

S

电源56

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

功耗

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

参数

评级

60

±20

49

88

13.6

100

600

104

2.5

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

1.2

50

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMS5352

设备

FDMS5352

包

电源56

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

3000台

2008飞兆半导体公司

FDMS5352 Rev.C

1

www.fairchildsemi.com

FDMS5352 N沟道功率沟槽

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

GS

= 0V, V

DS

= 48V,

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

60

57

1

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 250μA ，引用至25℃

V

GS

= 10V ，我

D

= 13.6A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12.3A

V

GS

= 10V ，我

D

= 13.6A ，T

J

= 125°C

V

DD

= 5V ，我

D

= 13.6A

1.0

1.8

-6.6

5.6

6.7

9.7

76

6.7

8.2

11.6

S

m

3.0

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

F = 1MHz的

5220

410

225

1.3

6940

545

335

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

DD

= 30V,

I

D

= 13.6A

V

DD

= 30V ，我

D

= 13.6A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 6

19

11

58

7

93

48

14

17

34

21

93

15

131

67

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 13.6A

V

GS

= 0V时，我

S

= 2.1A

（注2 ）

（注2 ）

0.8

0.7

39

48

1.3

1.2

63

77

V

ns

nC

I

F

= 13.6A ，的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

1. R

θJA

与安装在1英寸的设备决定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装在当50℃ / W的

1年

2

垫2盎司纯铜。

B 。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

3.起始物为

J

= 25

°

C，L = 3MH ，我

AS

= 20A ，V

DD

= 60V, V

GS

= 10V

2008飞兆半导体公司

FDMS5352 Rev.C

2

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FDMS5352 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

100

80

I

D

,

漏电流（ A）

V

GS

= 3.5V

V

GS

= 4V

V

GS

= 4.5V

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10V

3.0

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

2.5

V

GS

= 3V

60

40

2.0

1.5

1.0

V

GS

= 3.5V

V

GS

= 4V

V

GS

= 3V

20

0

0.0

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 10V

0.5

0

20

40

60

80

100

I

D

,

漏极电流（ A）

0.5

1.0

1.5

V

DS

,

漏源极电压（ V）

2.0

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

20

源导通电阻

(

m

)

2.2

归

漏极至源极导通电阻

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-75

I

D

= 13.6A

V

GS

= 10V

I

D

= 13.6A

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

15

T

J

= 125

o

C

r

DS （ON ），

漏

10

5

T

J

= 25

o

C

0

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

100

I

S

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

s

占空比= 0.5 ％ MAX

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

100

V

GS

= 0V

80

I

D

，漏电流（ A）

V

DS

= 5V

10

1

0.1

0.01

T

J

= 150

o

C

60

T

J

= 150

o

C

40

20

T

J

= 25

o

C

T

J

= 25

o

C

T

J

= -55

o

C

T

J

= -55

o

C

0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

2008飞兆半导体公司

FDMS5352 Rev.C

3

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FDMS5352 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 13.6A

10000

C

国际空间站

电容（pF）

V

DD

= 30V

8

6

V

DD

= 20V

V

DD

= 40V

1000

C

OSS

4

2

0

0

20

40

60

80

100

Q

g

，栅极电荷（ NC）

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

C

RSS

100

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

90

I

D

,

漏电流（ A）

20

I

AS

，雪崩电流（ A）

75

60

45

不限按包

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 10V

10

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

30

R

θ

JC

= 1.2 C / W

o

15

1

0.1

0

1

10

100

500

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

200

100

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

1000

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

10

1ms

10ms

100

1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100ms

1s

10s

DC

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1

0.5

-3

10

10

-2

0.01

0.01

0.1

1

10

100

300

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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FDMS5352 Rev.C

4

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FDMS5352 N沟道功率沟槽

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

0.01

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

0.001

-3

10

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.瞬态热响应曲线

2008飞兆半导体公司

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原厂封装

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