【FDMS3600S的PowerTrench功率级FDMS3600S的PowerTrench功率级25】,IC型号FDMS3600S,FDMS3600S PDF资料,FDMS3600S经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDMS3600S的PowerTrench

功率级

FDMS3600S

的PowerTrench

功率级

25 V非对称双N沟道MOSFET

特点

Q1 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 5.6毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

最大

DS （ ON）

= 8.1毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 14 A

Q2 ： N沟道

最大

DS （ ON）

= 1.6毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A

最大

DS （ ON）

= 2.4毫欧，在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 25 A

低电感封装缩短上升/下降时间，导致

低开关损耗

MOSFET集成使优化布局下的电路

电感并减少开关节点振铃

符合RoHS

2011年8月

概述

该器件包括两个专门的N沟道MOSFET的

双PQFN封装。交换节点已在内部

连接，可方便地放置和同步路由

降压转换器。该控制用MOSFET （Q1）和同步

SyncFET （Q 2 ）的目的是为了提供最佳的功率

EF网络效率。

应用

计算

通讯

负载的通用点

笔记本VCORE

服务器

销1

G1

D1

相

(S1/D2)

G2

S2

顶部

S2

5

6

7

8

Q2

4

D1

3

D1

2

D1

Q1

相

MOSFET最大

符号

V

DS

V

GS

电源56

评级

T

A

= 25 C ，除非另有说明

参数

Q1

25

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

±20

30

65

15

1a

S2

底部

G2

1

G1

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

- 连续（包装有限公司）

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

单脉冲雪崩能量

功率消耗单操作

工作和存储结温范围

T

A

= 25 °C

T

A

= 25 °C

Q2

25

±20

40

155

30

1b

100

200

5

2.5

1b

单位

V

I

D

A

40

50

2.2

1.0

4

1a

1c

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

mJ

W

°C

1.0

1d

-55到+150

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

57

1a

125

1c

3.5

50

1b

120

1d

2

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

22OA

N9OC

设备

FDMS3600S

包

电源56

1

带尺寸

13 ”

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

www.fairchildsemi.com

2011仙童半导体公司

FDMS3600S Rev.C3

FDMS3600S的PowerTrench

功率级

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流，

前锋

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0 V

I

D

= 1毫安， V

GS

= 0 V

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

I

D

= 10毫安，参考25 ℃下

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

25

20

18

1

500

100

V

毫伏/°C的

μA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

门源阈值电压

温度COEF网络cient

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

μA

V

GS

= V

DS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

I

D

= 10毫安，参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 14 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A，T

J

= 125 °C

V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 30 A，T

J

= 125 °C

V

DS

= 5 V，I

D

= 15 A

V

DS

= 5 V，I

D

= 30 A

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

1.1

1

1.8

1.5

-6

-5

4.3

6.2

5.9

1.3

1.7

1.8

67

171

5.6

8.1

8.7

1.6

2.4

2.7

3

V

毫伏/°C的

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

mΩ

Q2

Q1

Q2

g

FS

正向跨导

S

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

Q1:

V

DS

= 13 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q2:

V

DS

= 13 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

0.2

1264

4042

340

1207

58

148

0.6

0.9

1680

5375

450

1605

90

220

2

3

pF

Ω

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V Q1

V

DD

= 13 V,

V

GS

= 0 V至4.5 V I

D

= 15 A

Q2

V

DD

= 13 V,

I

D

= 30 A

Q1:

V

DD

= 13 V，I

D

= 15 A，R

根

= 6

Ω

Q2:

V

DD

= 13 V，I

D

= 30 A，R

根

= 6

Ω

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

7.9

13

2

5.3

19

38

1.8

3.9

19

59

9

27

3.9

11

2.4

5.8

16

23

10

11

34

60

10

27

82

13

38

ns

nC

2011仙童半导体公司

FDMS3600S Rev.C3

2

www.fairchildsemi.com

FDMS3600S的PowerTrench

功率级

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 15 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 30 A

Q1

I

F

= 15 A， di / dt的= 100 A / μs的

Q2

I

F

= 30 A ， di / dt的= 300 A / μs的

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

0.8

21

32

6.6

36

1.2

34

51

13

58

V

ns

nC

注意事项：

1:

R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

确定

深受用户的电路板设计。

B 。装在当50℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

一。安装在57 ° C / W

在A 1

2

2盎司纯铜垫

。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

。安装在一个时120℃ / W的

2盎司纯铜最小焊盘

2:

脉冲测试：脉冲宽度< 300

μs,

占空比< 2.0 ％。

3:

作为一个N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲ocurrence 。没有连续得分的暗示。

4:

E

AS

50毫焦是基于起始物为

J

= 25

o

℃; N沟道： L = 1 mH的，我

AS

= 10 A，V

DD

= 23 V, V

GS

= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.3 mH的，我

AS

= 15 A.

5:

E

AS

为200mJ是基于起始物为

J

= 25

o

℃; N沟道： L = 1 mH的，我

AS

= 20 A，V

DD

= 23 V, V

GS

= 10 V 100 ％的测试，在L = 0.3 mH的，我

AS

= 30 A.

2011仙童半导体公司

FDMS3600S Rev.C3

3

www.fairchildsemi.com

FDMS3600S的PowerTrench

功率级

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 C ，除非另有说明

40

V

GS

= 10 V

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 4.5 V

6

5

V

GS

= 3 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

，漏电流（ A）

30

V

GS

= 4 V

V

GS

= 3.5 V

4

3

V

GS

= 3.5 V

20

2

1

V

GS

= 4 V

V

GS

= 4.5 V

10

V

GS

= 3 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 10 V

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

V

DS

,

漏源极电压（ V）

10

20

I

D

,

漏电流（ A）

30

40

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

25

源导通电阻

(

m

Ω

)

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V

r

DS （ON ），

漏

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

20

I

D

= 15 A

15

10

5

T

J

= 25

o

C

T

J

= 125

o

C

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

0

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

40

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

40

I

S

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 0 V

10

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

I

D

，漏电流（ A）

30

V

DS

= 5 V

T

J

= 150

o

C

1

20

T

J

= 25

o

C

0.1

T

J

= -55

o

C

10

T

J

= -55

o

C

0.01

0

1

2

3

4

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

2011仙童半导体公司

FDMS3600S Rev.C3

4

www.fairchildsemi.com

FDMS3600S的PowerTrench

功率级

典型特征（ Q1 N沟道）

T

J

= 25 C ，除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

2000

I

D

= 15 A

V

DD

= 10 V

1000

V

DD

= 13 V

电容（pF）

C

国际空间站

8

6

V

DD

=

16 V

C

OSS

4

2

100

C

RSS

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

0

5

10

Q

g

，栅极电荷（ NC）

15

20

10

0.1

1

10

25

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

80

R

θ

JC

= 3.5 C / W

o

20

I

AS

，雪崩电流（ A）

10

T

J

= 25

o

C

T

J

= 100

o

C

I

D

,

漏电流（ A）

60

V

GS

= 10 V

40

V

GS

= 4.5 V

T

J

=

125

o

C

20

不限按包

1

0.01

0.1

1

10

100

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

100

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

1000

100

μ

s

单脉冲

R

θ

JA

= 125

o

C / W

I

D

，漏电流（ A）

10

1毫秒

100

T

A

= 25

o

C

1

10毫秒

这个区域是

LIMITED BY的RDS

(

on

)

100毫秒

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125℃ / W

T

A

= 25 C

o

1s

10s

DC

1

0.5

-4

10

-3

0.01

0.1

1

10

100

200

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

2011仙童半导体公司

FDMS3600S Rev.C3

5

www.fairchildsemi.com