FDMF6706B - 超小型，高性能，高频率的DrMOS模块
2012年3月
FDMF6706B - 超小型，高性能，高
频率的DrMOS模块
好处
超紧凑型PQFN 6x6毫米， 72％的节省空间
相对于传统的分立式解决方案
全面优化系统效率
干净的开关波形与最小振铃
高电流处理
描述
该XS DrMOS的家庭是飞兆半导体的下一代，
全面优化，超紧凑，集成MOSFET加
高电流驱动器功率级解决方案，高
频率同步降压DC-DC应用。该
FDMF6706B集成了一个驱动器IC ，两个功率MOSFET ，
和自举肖特基二极管成热
增强，超小型6x6毫米PQFN封装。
通过集成的方式，完整的开关
功率级是为驾驶员和MOSFET优化
动态性能，系统的电感和电源
MOSFET
DS （ ON）
。 XS DrMOS的采用飞兆半导体的高
性能的PowerTrench
MOSFET技术，
这大大降低了开关铃声，消除
缓冲电路在大多数降压转换器应用。
新的驱动器IC，具有降低死区时间和
传播延迟，进一步提高了性能。一
热预警功能提醒潜在的过度
温度的情况。 FDMF6706B还集成
功能，如跳跃模式（ SMOD ） ，以提高轻
负载效率，以及一个三态PWM 3.3V
为了兼容输入，一个宽范围的PWM的
控制器。
特点
超过93 ％的峰值效率
45A的高电流处理
高性能PQFN铜夹子包
三态3.3V PWM输入驱动器
跳转模式SMOD ＃ （低侧栅极关断）输入
热警告标志的过热
条件
驱动器输出禁止功能（ DISB ＃引脚）
内部上拉和下拉的SMOD ＃和
DISB ＃的输入，分别
飞兆半导体的PowerTrench
技术的MOSFET
干净的电压波形，减少振铃
飞兆半导体SyncFET （集成肖特基二极管）
技术在低边MOSFET
集成的自举肖特基二极管
自适应栅极驱动时序贯通
保护
欠压锁定（UVLO ）
优化的开关频率高达1MHz
薄型SMD封装
飞兆半导体绿色包装符合RoHS标准
基于英特尔 4.0标准的DrMOS
应用
高性能游戏主板
紧凑的刀片服务器，V - Core和非-V核心
DC- DC转换器
台式电脑， V- Core和非-V核心
DC- DC转换器
工作站
大电流DC-DC负载点的（ POL ）
转换器
网络和电信微处理器电压
稳压器
小尺寸稳压器模块
订购信息
产品型号
FDMF6706B
额定电流
45A
包
40引脚， Clipbond PQFN的DrMOS ， 6.0毫米X 6.0毫米套餐
顶标
FDMF6706B
2011仙童半导体公司
FDMF6706B 版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
FDMF6706B - 超小型，高性能，高频率的DrMOS模块
典型应用电路
V
5V
C
VDRV
C
VIN
V
IN
3V ~ 15V
VDRV
VCIN
VIN
DISB ＃
PWM输入
关闭
ON
漏极开路
产量
DISB ＃
BOOT
R
BOOT
C
BOOT
PWM
FDMF6706B
相
SMOD ＃
VSWH
V
OUT
L
OUT
THWN ＃
CGND
保护地
C
OUT
图1 。
典型应用电路
DrMOS的框图
VDRV
VCIN
UVLO
BOOT
VIN
Q1
HS电源
MOSFET
D
BOOT
DISB ＃
10A
V
CIN
R
UP_PWM
PWM
R
DN_PWM
GL
逻辑
THWN ＃
温度。
SENSE
10A
V
CIN
输入
3-State
逻辑
死区时间
控制
V
DRV
GH
逻辑
电平转换
GH
30kΩ
相
VSWH
GL
30kΩ
Q2
LS电源
MOSFET
CGND
SMOD ＃
保护地
图2中。
DrMOS的框图
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2
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引脚配置
网络连接gure 3 。
底部视图
图4中。
顶视图
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5, 37, 41
6
7
8
9 - 14, 42
15, 29 -
35, 43
16 – 28
36
38
39
40
名字
描述
当SMOD ＃ =高，低侧驱动器是PWM输入的倒数。当SMOD ＃ =低，
SMOD ＃低侧驱动器被禁用。该引脚有一个内部的10μA上拉电流源。不添加
噪声滤波电容。
VCIN
VDRV
BOOT
CGND
GH
IC偏置电源。最小1μF的陶瓷电容建议，从这个引脚CGND 。
电源栅极驱动器。最小1μF的陶瓷电容建议连接尽可能接近
可能从这个引脚CGND 。
自举电源输入。提供电源电压的高侧MOSFET驱动器。连接
自举电容从这个引脚相。
IC地。接地回路驱动IC 。
对于只制造测试。该引脚必须悬空;不能连接到任何引脚。
无连接。该引脚没有电气内部连接，但可以连接到VIN为
方便。
电源输入。输出级的电源电压。
开关节点输入。提供换取高边驱动器的自举并作为检测点
对于自适应贯通保护。
电源地。输出级地面。低边MOSFET的源极引脚。
对于只制造测试。该引脚必须悬空;不能连接到任何引脚。
热警告标志，集电极开路输出。当温度超过行程极限，
输出被拉低。 THWN ＃不禁止模块。
输出禁用。低电平时，此引脚关断功率MOSFET开关（ GH和GL是
保持低） 。该引脚具有10μA的内部下拉电流源。不要添加噪声滤波器
电容。
PWM信号输入。该管脚接收来自所述控制器的三态3.3V的PWM信号。
相开关节点引脚为自举电容的路由。电气短路到VSWH引脚。
NC
VIN
VSWH
保护地
GL
THWN ＃
DISB ＃
PWM
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
CIN
V
DRV
V
DISB ＃
V
PWM
V
SMOD ＃
V
GL
V
THWN ＃
V
IN
V
BOOT
V
GH
V
小灵通
V
太阳能热水器
V
BOOT
I
THWN ＃
I
O（ AV ）
θ
JPCB
T
A
T
J
T
英镑
ESD
电源电压
驱动电压
输出禁用
PWM信号输入
跳转模式输入
参数
参考CGND
参考CGND
参考CGND
参考CGND
参考CGND
参考CGND
参考CGND
参考PGND ， CGND
参考VSWH ，相
参考CGND
参考VSWH ，相
参考CGND
参考CGND
参考地线， CGND （仅直流）
参考PGND ， <20ns
参考VDRV
参考VDRV ， <20ns
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-8.0
马克斯。
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
25.0
6.0
25.0
6.0
25.0
25.0
25.0
25.0
22
25
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
A
° C / W
°C
°C
°C
V
低栅极制造测试针
热警告标志
电源输入
自举电源
高门制造测试针
相
开关节点输入
自举电源
THWN ＃灌电流
输出电流
(
错误！参考
)
源未找到。
环境温度范围
最高结温
存储温度范围
静电放电保护
-0.1
f
SW
= 300kHz的，V
IN
=12V, V
O
=1.0V
f
SW
= 1MHz时， V
IN
=12V, V
O
=1.0V
-40
-55
人体模型， JESD22- A114
带电器件模型， JESD22- C101
2000
1000
7.0
45
40
3.5
+125
+150
+150
结到PCB的热阻
注意：
1. I
O（ AV ）
采用飞兆半导体的DrMOS评估板，T被评为
A
= 25 ℃，自然对流冷却。该评级是有限的
由峰值的DrMOS温度T
J
= 150 ℃，取决于运行条件和PCB布局。这
评价可以用不同的应用程序设置进行更改。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
V
CIN
V
DRV
V
IN
参数
控制电路的电源电压
栅极驱动电路的电源电压
输出级电源
分钟。
4.5
4.5
3.0
典型值。
5.0
5.0
马克斯。
5.5
5.5
15.0
(
错误！
参考
来源
不
)
发现。
单位
V
V
12.0
注意：
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V
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2.
工作在高V
IN
可以创建过多的交流过冲的VSWH到GND和引导到GND节点
在MOSFET开关瞬变。对于可靠的DrMOS操作， VSWH到GND和引导到GND绝
保持或低于上表中所示的绝对最大额定值。
请参阅“应用程序
信息“和”将该数据资料以获取更多信息的PCB布局指南“部分。
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