FDMF6704高频率，高效率，超紧凑的DrMOS模块
2008年9月
FDMF6704 - XS
TM
的DrMOS
好处
超紧凑的尺寸 - 6 ×6mm的MLP ， 44 ％的空间
节能相比，常规的MLP 8毫米毫米x 8毫米
的DrMOS封装。
全面优化系统效率。
干净的电压波形，降低振铃。
高频操作。
该Xtra的小排量高性能，高频率的DrMOS模块
概述
tm
适用于各种各样的在PWM控制器
市场。
特点
超紧凑的散热增强型6毫米×6毫米MLP
包装比传统的分立式解决方案小84 ％ 。
同步驱动器加FET多芯片模块。
35 A.高电流处理
超过93 ％的峰值效率。
三态PWM输入。
飞兆半导体的
5技术的MOSFET清洁
电压波形和减少振铃。
优化用于高达1 MHz的高开关频率。
跳过模式SMOD [低侧栅极关闭]输入。
飞兆半导体SyncFET
TM
[集成肖特基二极管]技术
在低侧MOSFET 。
集成的自举肖特基二极管。
为贯通保护自适应栅极驱动时序。
驱动器输出禁止功能[ DISB ＃引脚。
欠压锁定（ UVLO ） 。
飞兆半导体绿色包装和RoHS
兼容的。薄型SMD封装。
的PowerTrench
该XS
TM
的DrMOS系列是飞兆半导体的新一代fully-
优化的超紧凑型集成MOSFET加驱动器功率
高现阶段的解决方案，高频率同步
降压型DC - DC应用。该FDMF6704的DrMOS集成了
驱动器IC ，两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管
成热增强型紧凑6毫米×6毫米MLP
封装。通过集成的方式，完整的开关
功率级进行了优化与问候驱动器和MOSFET
动态性能，系统的电感和R
DS （ ON）
。这
大大降低了封装寄生和布局挑战
与传统的分立式解决方案相关联。驱动器IC
采用了先进的功能，如SMOD 。 PWM输入
三州兼容。 5 V门极驱动和改进的PCB
接口[低侧MOSFET裸焊盘]确保更高的
性能。本产品采用全新英特尔兼容
6毫米×6mm的DrMOS的规范。
应用
紧凑的刀片服务器V型芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
台式计算机的V-芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
工作站V型芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
游戏主板V核心，非V型芯和VTT DC- DC
转换器。
游戏机。
的负载（ POL ）转换器，大电流DC- DC点。
网络和电信微处理器电压调节器。
动力传动系应用电路
5V
C
VDRV
VDRV V
CIN
DISB ＃
PWM输入
关闭
ON
DISB ＃
PWM
SMOD ＃
CGND
C
VCIN
12 V
C
VIN
V
IN
BOOT
相
VSWH
保护地
C
OUT
C
BOOT
产量
图1.动力传动系应用电路
订购信息
部分
FDMF6704
2008飞兆半导体公司
额定电流@ 350千赫
[A]
35
典型输入电压
[V]
8-14
1
频率最高
[千赫]
1000
设备
记号
FDMF6704
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FDMF6704 Rev.D
FDMF6704高频率，高效率，超紧凑的DrMOS模块
功能框图
V
CIN
VDRV
BOOT
HDRV
V
IN
Q1
DISB ＃
PWM
交叠
控制
VSWH
SMOD ＃
VDRV
Q2
CGND LDRV
保护地
图2.功能框图
引脚配置
PWM
DISB ＃
NC
CGND
LDRV
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
VSWH
40
（ CGND ）
(V
IN
)
SMOD ＃
V
CIN
VDRV
BOOT
CGND
HDRV
相
NC
V
IN
V
IN
1
10
11
（ VSWH ）
31
20
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
VSWH
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
30
21
图3：采用6mm x 6mm ， 40L MLP底视图
VSWH
VSWH
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
保护地
2
FDMF6704 Rev. D的
www.fairchildsemi.com
FDMF6704高频率，高效率，超紧凑的DrMOS模块
引脚说明
针
1
2
3
4
5, 37
6
7
8, 38
9-14
15, 29-35
16-28
36
39
40
名字
SMOD ＃
V
CIN
VDRV
BOOT
CGND
HDRV
相
NC
V
IN
VSWH
保护地
LDRV
DISB ＃
PWM
功能
当SMOD = ＃ HI ，低侧驱动器是PWM输入的倒数。当SMOD ＃ =低，低
侧驱动器被禁用。
IC偏置电源。最低1μF陶瓷电容建议此引脚与CGND 。
功率低侧驱动器。最低1μF陶瓷电容建议是
连接尽可能靠近此引脚与CGND 。
自举电源输入。提供供电电压高边MOSFET驱动器。连
自举电容从这个引脚相。
IC地。接地回路驱动IC 。
对于只制造测试。该引脚必须悬空。不能连接到任何引脚。
开关节点引脚，方便自举电容的路由。电气短路到VSWH引脚。
无连接。
电源输入。输出级的电源电压。
开关节点输入。提供换取高边驱动器的自举，并作为一个
检测点的自适应击穿直通保护。
电源地。输出级地面。低边MOSFET （S ）源极引脚。
对于只制造测试。该引脚必须悬空。不能连接到任何引脚。
输出禁用。低电平时，此引脚禁止FET开关（ HDRV和LDRV保持低电平） 。
PWM信号输入。该管脚接收来自所述控制器的三态逻辑电平PWM信号。
绝对最大额定值
参数
V
CIN
， VDRV ， DISB ＃ ， PWM ， SMOD ＃ ， LDRV到CGND
V
IN
到PGND ， CGND
BOOT ， HDRV到VSWH
BOOT ， VSWH ， HDRV到GND
启动到VDRV
I
O（ AV ）
I
O（峰）
R
θJPCB
结到PCB的热阻
-55
工作和存储结温范围
V
IN
= 12 V, V
O
= 1.3 V
f
SW
= 350千赫
f
SW
= 1兆赫
民
最大
6
27
6
27
22
35
32
80
3.75
150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
° C / W
°
C
推荐工作范围
参数
V
CIN
V
IN
控制电路的电源电压
输出级电源
民
4.5
8
*
典型值
5
12
最大
5.5
14
单位
V
V
*可在低输入电压下工作。见图8 。
FDMF6704 Rev. D的
3
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FDMF6704高频率，高效率，超紧凑的DrMOS模块
电气特性
V
IN
= 12 V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。
参数
工作静态电流
VCIN UVLO
UVLO阈值
UVLO迟滞COMP
PWM输入
沉阻抗
源阻抗
三州上升阈值
迟滞
三州下降阈值
迟滞
三态端子打开
三州关断时间
SMOD ＃和DISB ＃输入
高电平输入电压
低电平输入电压
输入偏置电流
传播延迟时间
高端驱动器
上升时间
下降时间
死区时间
传播延迟
低侧驱动器
上升时间
下降时间
死区时间
传播延迟
250 ns的时间出电路
250 ns的延迟时间
符号
IQ
条件
PWM = GND
PWM = V
CIN
民
典型值
最大
2
2
单位
mA
3.0
3.2
0.2
10
10
3.4
V
V
k
k
V
CIN
= 5 V
V
CIN
= 5 V
3.2
1.2
3.4
100
1.4
100
2.5
100
3.6
1.6
V
mV
V
mV
V
ns
V
2
0.8
-2
PWM = GND ， SMOD ＃之间的延迟
或DISB ＃从HI到LO从LDRV
HI到LO 。
10 ％至90％
90 ％至10％
t
DTHH
t
PDHL
LDRV将LO至HDRV去HI ，
10％至10％的
PMW将LO至HDRV去LO
10 ％至90％
90 ％至10％
t
DTLH
t
PDLL
VSWH将LO至LDRV去HI ，
10％至10％的
PWM要去喜LDRV去LO
HDRV从HI到LO之间的延迟
和LDRV从低到高。
15
2
V
A
ns
25
20
25
10
25
20
20
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
250
ns
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4
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FDMF6704高频率，高效率，超紧凑的DrMOS模块
操作描述
电路描述
SMOD
该SMOD （跳跃模式）功能，可实现更高的转换器
在轻负载条件下的效率。在SMOD中， LS
FET被禁用，它可以防止输出电容放电。
当SMOD ＃引脚拉高，同步降压转换器
将工作在同步方式。当SMOD ＃引脚被拉低
低，对LS FET截止。该SMOD功能没有
内部电流检测。这SMOD ＃引脚被连接到一个
PWM控制器，可启用或禁用SMOD
自动控制器检测轻负载条件时。
通常情况下该引脚为低电平有效。
该FDMF6704是一个驱动程序再加FET模块优化
同步降压转换器拓扑。单个PWM输入
信号所需的所有正常驱动高侧和
低侧MOSFET 。各部分能够驾驶速度
高达1 MHz 。
PWM
当PWM输入为高电平时，高边MOSFET导通
上。当它变为低电平时，低侧MOSFET导通。当它是
开放，无论是低端和高端MOFET将关闭。
该DISB ＃输入被加上脉宽调制信号来控制
驱动器输出。在一个典型的多相设计， DISB ＃将是一个
共享信号用于开启所有阶段。个人PWM
来自控制器的信号将被用来动态地启用或
禁用各个阶段。
自适应栅极驱动电路
驱动IC体现，确保了先进的设计
最小MOSFET死区时间，同时消除潜在的
直通（跨导）电流。它检测的状态
所述MOSFET和调整栅极驱动器，自适应，以确保
它们不同时导通。请参考图4为
相关的时序波形。
为了防止低到高的开关过渡期间的重叠
（ Q2断开到Q1开）中，自适应电路监测电压
在LDRV引脚。当PWM信号变为高电平，Q2将
开始后，一些传播延迟关闭（T
PDLL
） 。一旦
在LDRV引脚放电低于1 V， Q1开始导通
经过自适应延时T
DTHH
.
若要在高至低跳变排除重叠（ Q1关断，以
Q 2 ON）时，自适应电路监控在所述电压
VSWH引脚。当PWM信号为低电平时，Q1将开始
经过一番传播延迟关闭（T
PDHL
） 。一旦
VSWH引脚低于1 V ， Q2开始适应后开启
延时T
DTLH
.
此外，V
GS
Q1的被监测。当V
GS(Q1)
is
排出的低，二次自适应延迟启动，这
结果在第二季度后250 ns的驱动开
,
不管VSWH的
状态。这个功能被实现，以确保
BOOT
is
充电在每个开关周期，特别是对于的情况下
电源转换器吸收电流和VSWH电压不
低于1 V自适应阈值。 250 ns的二次
延迟大于吨
DTLH
.
低侧驱动器
低侧驱动器（ LDRV ）被设计为驱动地
引用低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。该偏置LDRV
内部连接VDRV和CGND之间。当
驱动器被启用时，驱动器的输出是180°异相的
PWM输入。当驱动程序被禁用（ DISB ＃ = 0 V ） ，
LDRV保持低电平。
高侧驱动器
高侧驱动器（ HDRV ）设计用于驱动一个浮动
N沟道MOSFET 。偏置电压的高侧驱动器是
通过一个自举电源电路开发的，由所述
内部二极管和外部自举电容（C
BOOT
） 。中
启动， VSWH被保持在保护地，允许
BOOT
充电到
VDRV通过内部二极管。当PWM输入为
高， HDRV将开始高边MOSFET的栅极充电
（ Q 1 ） 。在这个过渡时，电荷从C除去
BOOT
和
传递到Q1的栅极。作为Q1导通， VSWH上升到V
IN
,
迫使BOOT引脚到V
IN
+V
C（ BOOT ）
，它提供了
足够的VGS为增强Q1。要完成切换
周期， Q1由拉HDRV到VSWH截止。
BOOT
然后
充电到VDRV时VSWH下降到PGND 。 HDRV输出
同相的PWM输入。当驱动程序被禁用时，
高侧栅极为低。
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FDMF6704
在奇摩小，高性能，高频率的DrMOS模块
2009年8月
FDMF6704 - XS
TM
的DrMOS
好处
在奇摩小，高性能，高频率的DrMOS模块
概述
超紧凑的尺寸 - 6 ×6mm的MLP ， 44 ％的空间
节能相比，常规的MLP 8毫米毫米x 8毫米
的DrMOS封装。
全面优化系统效率。
干净的电压波形，降低振铃。
高频操作。
适用于各种各样的在PWM控制器
市场。
tm
特点
超紧凑的散热增强型6毫米×6毫米MLP
包装比传统的分立式解决方案小84 ％ 。
同步驱动器加FET多芯片模块。
35 A.高电流处理
超过93 ％的峰值效率。
三态PWM输入。
飞兆半导体的PowerTrench
5技术的MOSFET清洁
电压波形和减少振铃。
优化用于高达1 MHz的高开关频率。
跳过模式SMOD [低侧栅极关闭]输入。
飞兆半导体SyncFET
TM
[集成肖特基二极管]技术
在低侧MOSFET 。
集成的自举肖特基二极管。
为贯通保护自适应栅极驱动时序。
驱动器输出禁止功能[ DISB ＃引脚。
欠压锁定（ UVLO ） 。
飞兆半导体绿色包装和RoHS
兼容的。薄型SMD封装。
该XS
TM
的DrMOS系列是飞兆半导体的新一代fully-
优化，超紧凑，集成MOSFET加驱动器功率
现阶段的解决方案适用于大电流，高频率同步
降压型DC - DC应用。该FDMF6704 XS
TM
的DrMOS
集成了一个驱动器IC ，两个功率MOSFET和自举
肖特基二极管成热增强型，超小型的6毫米x
6毫米MLP封装。通过集成的方式，完整的
开关功率级进行了优化与问候驱动器和
MOSFET的动态性能，系统的电感和
R
DS （ ON）
。这极大地降低了封装寄生和布局
与传统的分立式解决方案相关的挑战。
XS
TM
的DrMOS
用途
飞兆半导体的
高
性能
的PowerTrench
TM
5 MOSFET技术，从而显着
减少犹在同步降压转换器应用。
的PowerTrench
TM
5可以不用设置一个缓冲电路中
降压转换器应用。驱动器IC集成
先进的功能，如SMOD为改善轻负载
效率和相容性的三态PWM输入用
宽范围的PWM控制器。 5 V栅极驱动和
最多低侧FET的优化改进PCB接口
裸露焊盘面积，保证更高的性能。本产品是
采用全新英特尔的6毫米x 6毫米的DrMOS兼容
特定连接的阳离子。
应用
紧凑的刀片服务器V型芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
台式计算机的V-芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
工作站V型芯，非V型芯和VTT的DC-DC
转换器。
游戏主板V核心，非V型芯和VTT DC- DC
转换器。
游戏机。
的负载（ POL ）转换器，大电流DC- DC点。
网络和电信微处理器电压调节器。
动力传动系应用电路
5V
C
VDRV
VDRV VCIN
DISB ＃
PWM输入
关闭
ON
DISB ＃
PWM
SMOD ＃
CGND
VIN
BOOT
相
VSWH
保护地
R
BOOT
C
BOOT
L
OUT
C
OUT
产量
12 V
C
VIN
订购信息
订单号
FDMF6704
记号
FDMF6704_1
图1.动力传动系应用电路
温度范围
-55 ℃至150℃
器件封装
40引脚， 3 DAP ， MLP 6x6的毫米
1
包装方法
磁带和卷轴
QUANTITY
3000
www.fairchildsemi.com
2008飞兆半导体公司
FDMF6704启摹
FDMF6704
在奇摩小，高性能，高频率的DrMOS模块
引脚说明
针
1
2
3
4
5, 37, 41
6
7
8, 38
9-14, 42
15, 29-35, 43
16-28
36
39
40
名字
SMOD ＃
VCIN
VDRV
BOOT
CGND
GH
相
NC
VIN
VSWH
保护地
GL
DISB ＃
PWM
功能
当SMOD = ＃ HI ，低侧驱动器是PWM输入的倒数。当SMOD ＃ =低，低
侧驱动器被禁用。该引脚没有内部上拉或下拉。它不应该被留
浮动。不要添加噪声滤波器上限。
IC偏置电源。最低1μF陶瓷电容建议此引脚与CGND 。
功率低侧驱动器。最低1μF陶瓷电容建议是
连接尽可能靠近此引脚与CGND 。
自举电源输入。提供供电电压高边MOSFET驱动器。连
自举电容从这个引脚相。
IC地。接地回路驱动IC 。
对于只制造测试。该引脚必须悬空。不能连接到任何引脚。
开关节点引脚，方便自举电容的路由。电气短路到VSWH引脚。
无连接。
电源输入。输出级的电源电压。
开关节点输入。提供换取高边驱动器的自举，并作为一个
检测点的自适应击穿直通保护。
电源地。输出级地面。低边MOSFET （S ）源极引脚。
对于只制造测试。该引脚必须悬空。不能连接到任何引脚。
输出禁用。低电平时，此引脚禁止FET开关（ GH和GL保持低电平） 。这
引脚没有内部上拉或下拉。它不应该被悬空。不要添加噪声滤波器
帽。
PWM信号输入。该管脚接收来自所述控制器的三态逻辑电平PWM信号。
不要添加噪声滤波器上限。
绝对最大额定值
参数
VCIN ， VDRV ， DISB ＃ ， PWM ， SMOD ＃ ， GL为CGND
VIN至PGND ， CGND
BOOT ， GH为VSWH ，相
BOOT ， VSWH ，相位， GH到GND
启动到VDRV
I
O（ AV ）
*
I
O（峰）
*
R
θJPCB
结到PCB的热阻
-55
工作和存储结温范围
V
IN
= 12 V, V
O
= 1.3 V
f
SW
= 350千赫
f
SW
= 1兆赫
民
最大
6
27
6
27
22
35
32
80
3.75
150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
° C / W
°
C
* I
O（ AV ）
我
O（峰）
是衡量FCS评估板。这些评级可以与不同的应用程序的设置来改变。
推荐工作范围
参数
V
CIN
V
IN
控制电路的电源电压
输出级电源
民
4.5
3
*
典型值
5
12
最大
5.5
14
单位
V
V
*可在低输入电压下工作。见图10 。
FDMF6704启摹
3
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FDMF6704
在奇摩小，高性能，高频率的DrMOS模块
操作描述
电路描述
该FDMF6704是一个驱动程序再加FET模块优化
同步降压转换器拓扑。单个PWM输入
信号所需的所有正常驱动高侧和
低侧MOSFET 。各部分能够驾驶速度
高达1 MHz 。
自适应栅极驱动电路
驱动IC体现，确保了先进的设计
最小MOSFET死区时间，同时消除潜在的
直通（跨导）电流。它检测的状态
所述MOSFET和调整栅极驱动器，自适应，以确保
它们不同时导通。请参考图4为
相关的时序波形。
为了防止低到高的开关过渡期间的重叠
（ Q2断开到Q1开）中，自适应电路监测电压
在GL引脚。当PWM信号变为高电平，Q2将开始
经过一番传播延迟关闭（T
PDLL
） 。一旦GL
引脚放电低于1 V， Q1开始后适应开启
延时T
DTHH
.
若要在高至低跳变排除重叠（ Q1关断，以
Q 2 ON）时，自适应电路监控在所述电压
VSWH引脚。当PWM信号为低电平时，Q1将开始
经过一番传播延迟关闭（T
PDHL
） 。一旦
VSWH引脚低于1 V ， Q2开始适应后开启
延时T
DTLH
.
此外，V
GS
Q1的被监测。当V
GS(Q1)
is
排出的低，二次自适应延迟启动，这
结果在第二季度后250 ns的驱动开
,
不管VSWH的
状态。这个功能被实现，以确保
BOOT
is
充电在每个开关周期，特别是对于的情况下
电源转换器吸收电流和VSWH电压不
低于1 V自适应阈值。 250 ns的二次
延迟大于吨
DTLH
.
PWM
当PWM输入为高电平时，高边MOSFET导通
上。当它变为低电平时，低侧MOSFET导通。当它是
开放，无论是低端和高端MOFET将关闭。
该DISB ＃输入被加上脉宽调制信号来控制
驱动器输出。在一个典型的多相设计， DISB ＃将是一个
共享信号用于开启所有阶段。个人PWM
来自控制器的信号将被用来动态地启用或
禁用各个阶段。
低侧驱动器
的低侧驱动器（GL ）被设计为驱动地
引用低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET 。该偏置GL是
内部连接VDRV和CGND之间。当
驱动器被启用时，驱动器的输出是180°异相的
PWM输入。当驱动程序被禁用（ DISB ＃ = 0 V ） ， GL
保持低电平。
高侧驱动器
该高边驱动器（GH ）被设计来驱动的浮动
N沟道MOSFET 。偏置电压的高侧驱动器是
通过一个自举电源电路开发的，由所述
内部二极管和外部自举电容（C
BOOT
） 。中
启动， VSWH被保持在保护地，允许
BOOT
充电到
V
DRV
通过内部二极管。当PWM输入为
高， GH将开始高边MOSFET的栅极充电
（ Q 1 ） 。在这个过渡时，电荷从C除去
BOOT
和
传递到Q1的栅极。作为Q1导通， VSWH上升到V
IN
,
迫使BOOT引脚到V
IN
+V
C（ BOOT ）
，它提供了
足够的VGS为增强Q1。要完成切换
周期中，Q1是通过拉动GH到VSWH截止。
BOOT
然后
充电到VDRV时VSWH下降到PGND 。生长激素的输出是在
相位与PWM输入。当驱动程序被禁用时，
高侧栅极为低。
SMOD
该SMOD （跳跃模式）功能，可实现更高的转换器
在轻负载条件下的效率。在SMOD中， LS
FET被禁用，它可以防止输出电容放电。
当SMOD ＃引脚拉高，同步降压转换器
将工作在同步方式。当SMOD ＃引脚被拉低
低，对LS FET截止。该SMOD功能没有
内部电流检测。这SMOD ＃引脚被连接到一个
PWM控制器，可启用或禁用SMOD
自动控制器检测轻负载条件时。
通常情况下该引脚为低电平有效。
FDMF6704启摹
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