FDME1024NZT双N沟道PowerTrench
MOSFET
2010年7月
FDME1024NZT
双N沟道PowerTrench
MOSFET
20 V ， 3.8 A， 66毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 66毫欧，在V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
最大
DS （ ON）
= 86毫欧，在V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.9 A
最大
DS （ ON）
= 113毫欧的V
GS
= 1.8 V，I
D
= 2.5 A
最大
DS （ ON）
= 160毫欧的V
GS
= 1.5 V，I
D
= 2.1 A
薄型0.55 mm最大的新包
的MicroFET 1.6x1.6
薄
不含卤素化合物和氧化锑
HBM ESD保护等级> 1600 V（注3 ）
符合RoHS
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
对于在蜂窝手机和其他双开关需求
超便携式应用。它配备了两个独立的
N沟道MOSFET的低导通电阻最低
传导损耗。
这些新产品1.6x1.6
薄
封装提供卓越的热
为它表现的物理尺寸，并适用于切换
和线性模式应用。
应用
基带开关
负荷开关
D2
G1
S1
销1
D1
S2
G2
D1
D2
底部
1.6x1.6的MicroFET薄型
顶部
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功率消耗单操作
功率消耗单操作
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注1B ）
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
20
±8
3.8
6
1.4
0.6
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境（单人操作）
热阻，结到环境（单人操作）
（注1A ）
（注1B ）
90
195
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
4T
设备
FDME1024NZT
包
的MicroFET 1.6x1.6
薄
带尺寸
7 ’’
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
5000台
2010仙童半导体公司
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±8 V, V
DS
= 0 V
20
16
1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.9 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 1.5 V，I
D
= 2.1 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A，T
J
= 125 °C
g
FS
正向跨导
V
DD
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
0.4
0.7
-3
55
68
85
106
76
9
66
86
113
160
112
S
mΩ
1.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
225
40
25
300
55
40
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DD
= 10 V，I
D
= 3.4 A,
V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
Ω
4.5
2
15
1.7
3
0.4
0.6
10
10
27
10
4.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 0.9 A
（注2 ）
0.7
8.5
1.4
1.2
17
10
V
ns
nC
I
F
= 3.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在90 ° C / W
在A 1
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在一个时195℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为保护的ESD 。没门过电压等级是不言而喻的。
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
6
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 1.5 V
3.0
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
,
漏电流（ A）
2.5
2.0
1.5
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 1.5 V
V
GS
= 1.8 V
4
2
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1.0
V
GS
= 4.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
0.5
0
2
4
6
I
D
,
漏电流（ A）
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
300
源导通电阻
(
m
Ω
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= 3.4 A
V
GS
= 4.5 V
r
DS （ON ） ，
漏
250
200
150
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
D
= 3.4 A
T
J
= 125
o
C
100
50
T
J
= 25
o
C
0.6
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
6
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
10
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5 V
1
4
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
2
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
4.5
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 3.4 A
V
DD
= 8 V
电容（pF）
500
C
国际空间站
3.0
V
DD
= 10 V
V
DD
= 12 V
100
C
OSS
1.5
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
0.0
0
1
2
3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
0.1
1
V
DS
，漏源极电压（ V）
10
20
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
-1
10
100
μ
s
10
I
g
,
栅极漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
10
10
10
10
10
10
-2
V
GS
= 0 V
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
-3
-4
-5
T
J
= 125
o
C
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 195
o
C / W
T
A
= 25
o
C
-6
-7
-8
0.01
0.1
T
J
= 25
o
C
1
10
50
10
-9
V
DS
，漏源极电压（ V）
0
3
6
9
12
15
V
GS ，
门源电压（ V）
图9.正向偏置安全工作区
图10.栅极漏电流与
栅极至源极电压
100
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
单脉冲
R
θ
JA
= 195℃ / W
T
A
= 25 C
o
o
10
1
0.5
-4
10
-3
-2
-1
10
10
10
1
10
100
1000
T，脉冲宽度（ S）
图11.单脉冲最大功率耗散
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-2
-1
0.01
0.005
-4
10
10
-3
单脉冲
R
θ
JA
= 195℃ / W
o
10
10
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图12.结至环境瞬态热响应曲线
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