【FDMC8678S N沟道功率沟槽SyncFETTM2007年12月FDMC8678SN沟道功率30】,IC型号FDMC8678S,FDMC8678S PDF资料,FDMC8678S经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDMC8678S N沟道功率沟槽

SyncFET

TM

2007年12月

FDMC8678S

N沟道功率

30V ， 18A ， 5.2mΩ

特点

最大

DS （ ON）

= 5.2mΩ在V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

最大

DS （ ON）

= 8.7mΩ在V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

先进的封装和硅结合的低R

DS （ ON）

和高效率

SyncFET肖特基体二极管

MSL1稳健包装设计

符合RoHS

TRENCH

SyncFET

TM

概述

tm

该FDMC8678S已被设计为在最小化损失

电源转换应用。在这两个芯片的进步

和封装技术，已被合并到提供

低R

DS （ ON）

同时保持出色的开关

性能。本装置具有的一个有效的附加的好处

单片肖特基体二极管。

应用

同步整流DC / DC转换器

笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关

负载低侧开关的网络点

电信二次侧整流

销1

S

D

顶部

电源33

D

G

5

6

7

8

4

3

2

1

G

S

底部

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

参数

评级

30

±20

18

66

15

60

181

41

2.3

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

3

53

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

8678S

设备

FDMC8678S

包

电源33

1

带尺寸

13’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2007仙童半导体公司

FDMC8678S Rev.C

www.fairchildsemi.com

FDMC8678S N沟道功率沟槽

SyncFET

TM

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时，引用到25℃

V

GS

= 0V, V

DS

= 24V,

V

GS

= ±20V, V

DS

= 0V

30

38

500

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 1毫安

I

D

= 1mA时，引用到25℃

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A ，T

J

= 125°C

V

DD

= 10V ，我

D

= 15A

1

1.9

-3.7

4.3

6.3

6

55

5.2

8.7

10

S

m

3

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

1560

810

90

0.8

2075

1080

135

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至4.5V V

DD

= 15V,

I

D

= 15A

V

DD

= 15V ，我

D

= 15A,

V

GS

= 10V ，R

根

= 6

11

3

24

2

24

11

4.7

2.8

20

10

39

10

34

16

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= 3A

I

F

= 15A ，的di / dt = 300A / μs的

（注2 ）

0.5

31

33

0.7

51

V

ns

nC

注意事项：

1. R

θJA

与安装在1英寸的设备决定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

由设计而

= CA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装时为53℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

B 。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

3.起始物为

J

= 25

o

℃; N沟道： L = 3MH ，我

AS

= 11A ，V

DD

= 30V, V

GS

= 10V

FDMC8678S Rev.C

2

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FDMC8678S N沟道功率沟槽

SyncFET

TM

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

60

V

GS

= 10V

V

GS

= 4V

V

GS

= 3.5V

3.0

归

漏极至源极导通电阻

50

I

D

,

漏电流（ A）

2.5

V

GS

= 3.5V

40

V

GS

= 4.5V

2.0

1.5

1.0

V

GS

= 4V

V

GS

= 4.5V

30

V

GS

= 6.0V

20

10

0

0.0

脉冲持续时间= 300

s

占空比= 2 ％ MAX

V

GS

= 6V

脉冲持续时间= 300

s

占空比= 2 ％ MAX

V

GS

= 10V

0.5

0

10

20

30

40

50

60

I

D

,

漏极电流（ A）

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

,

漏源极电压（ V）

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

30

源导通电阻

(

m

)

1.6

归

漏极至源极导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-50

I

D

= 15A

V

GS

= 10V

25

20

15

脉冲持续时间= 300

s

占空比= 2 ％ MAX

r

DS （ON ），

漏

I

D

= 15A

T

J

= 125

o

C

10

5

T

J

= 25

o

C

-25

0

25

50

75

100 125

T

J

,

结温

(

o

C

)

150

0

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

60

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

60

50

I

D

，漏电流（ A）

脉冲持续时间= 300

s

占空比= 2 ％ MAX

10

V

GS

= 0V

V

DS

= 5V

40

30

T

J

= 125

o

C

T

J

= 125

o

C

1

T

J

= 25

o

C

0.1

T

J

= -55

o

C

20

T

J

= 25

o

C

10

T

J

= -55

o

C

0.01

0

1

2

3

4

5

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

FDMC8678S Rev.C

3

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FDMC8678S N沟道功率沟槽

SyncFET

TM

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

5000

I

D

= 15A

V

DD

= 10V

V

DD

= 15V

C

国际空间站

电容（pF）

8

6

1000

C

OSS

V

DD

= 20V

4

2

0

5

10

15

20

25

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

100

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

C

RSS

10

0.1

1

10

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

100

30

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

10

T

J

= 25

o

C

10

1ms

10ms

1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100ms

1s

10s

DC

T

J

= 125

o

C

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1

0.01

0.1

1

10

100

400

0.01

0.1

1

10

100

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图9.松开电感

交换能力

2000

图10.正向偏置安全

工作区

1000

P

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

V

GS

= 10V

100

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

T

A

= 25 C

o

10

1

0.5

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

100

1000

T，脉冲宽度（秒）

图11.单脉冲最大功率耗散

FDMC8678S Rev.C

4

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SyncFET

TM

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

θ

JA

占空比，降序排列

0.1

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

1E-3

单脉冲

R

θ

JA

= 125℃ / W

o

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJA

个R

θJA

+ T

A

1E-4

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图12.瞬态热响应曲线

FDMC8678S Rev.C

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