FDMC86106LZ N沟道功率沟槽
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
100
73
1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.3 A
1.0
1.8
-6
79
105
136
11
103
153
178
S
mΩ
2.2
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
232
45
2.4
0.7
310
60
5
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
总栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 50 V,
I
D
= 3.3 A
V
DD
= 50 V，I
D
= 3.3 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
4.5
1.3
10
1.4
4
2
0.8
0.7
10
10
20
10
6
3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2 A
I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.85
0.82
33
23
1.3
1.2
54
38
V
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当53℃ / W的
1年
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在125 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25
°
℃; N沟道： L = 1.0 mH的，我
AS
= 5.0 A，V
DD
= 90 V, V
GS
= 10 V.
4.连接栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
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FDMC86106LZ N沟道屏蔽栅的PowerTrench
MOSFET
2013年6月
FDMC86106LZ
N沟道
屏蔽栅极
的PowerTrench
MOSFET
100 V， 7.5 A ， 103毫欧
特点
屏蔽栅极MOSFET技术
最大
DS （ ON）
= 103毫欧的V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A
最大
DS （ ON）
= 153毫欧的V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A
HBM ESD保护等级> 3 KV典型（注4 ）
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
过程
即采用屏蔽栅极技术。此方法具有
被优化，用于在导通状态电阻，但保持
出色的开关性能。 -S齐纳已被添加到
增强的ESD电压电平。
应用
直流 - 直流转换
顶部
底部
8
7
6
5
D D D D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2 3 4
摹S S S
MLP 3.3X3.3
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
100
±20
7.5
9.6
3.3
15
12
19
2.3
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
6.5
53
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMC86106Z
设备
FDMC86106LZ
包
电源33
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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FDMC86106LZ N沟道屏蔽栅的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
100
73
1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.3 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.3 A
1.0
1.8
-6
79
105
136
11
103
153
178
S
mΩ
2.2
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
232
45
2.4
0.7
310
60
5
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
总栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 50 V,
I
D
= 3.3 A
V
DD
= 50 V，I
D
= 3.3 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
Ω
4.5
1.3
10
1.4
4
2
0.8
0.7
10
10
20
10
6
3
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 3.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2 A
I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
（注2 ）
（注2 ）
0.85
0.82
33
23
1.3
1.2
54
38
V
ns
nC
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当53℃ / W的
1年
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在125 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
SS
SF
DS
DF
G
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300
μs,
占空比< 2.0 ％ 。
3.起始物为
J
= 25
°
℃; N沟道： L = 1.0 mH的，我
AS
= 5.0 A，V
DD
= 90 V, V
GS
= 10 V.
4.连接栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
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SS
SF
DS
DF
G
2
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FDMC86106LZ N沟道屏蔽栅的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
15
I
D
，漏电流（ A）
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
5
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3 V
12
9
V
GS
= 3.5 V
4
3
V
GS
= 3.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 4.5 V
6
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3 V
2
1
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
3
0
V
GS
= 10 V
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
15
V
DS
,
漏源极电压（ V）
I
D
,
漏电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
2.2
归
漏极至源极导通电阻
500
源导通电阻
(
m
Ω
)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 3.3 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
I
D
= 3.3 A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
400
300
200
100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
15
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
20
10
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
12
9
6
V
DS
= 5 V
1
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
3
0
0.01
T
J
= -55
o
C
1
2
3
4
5
6
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 3.3 A
1000
V
DD
= 25 V
V
DD
= 50 V
8
6
电容（pF）
C
国际空间站
100
C
OSS
V
DD
=
75 V
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
1
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
-1
I
g
，栅极漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流（ A）
10
9
8
7
6
5
4
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
o
C
-3
-4
T
J
=
100
o
C
3
2
T
J
= 125
o
C
-5
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-6
-7
-8
1
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-9
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
V
GS
，门源电压（ V）
图9.松开电感
交换能力
10
I
D
,
漏电流（ A）
图10.栅极漏电流与门极
源极电压
20
10
I
D
，漏电流（ A）
8
6
不限按包
V
GS
= 10 V
100美
1
1毫秒
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10毫秒
100毫秒
1s
10 s
DC
4
V
GS
= 4.5 V
0.1
2
R
θ
JC
= 6.5 C / W
o
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
0
25
50
75
100
o
125
150
0.01
T
A
= 25
o
C
0.005
0.1
1
10
100
400
T
C
,
外壳温度
(
C
)
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.最大连续漏极
电流与外壳温度
图12.正向偏置安全
工作区
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
500
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
100
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
o
1
0.5
-4
10
T
A
= 25 C
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
T，脉冲宽度（秒）
图13.单脉冲最大功率耗散
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.01
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨，矩形脉冲持续时间（秒）
图14.结至环境瞬态热响应曲线
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