【FDMC7664的N-沟道PowerTrenchMOSFET2009年7月FDMC7664N沟道的P】,IC型号FDMC7664,FDMC7664 PDF资料,FDMC7664经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDMC7664的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2009年7月

FDMC7664

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30 V ， 18.8 A， 4.2米：

特点

最大

DS （ ON）

= 4.2 M：在V

GS

= 10 V，I

D

= 18.8 A

最大

DS （ ON）

= 5.5 M：在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 16.1 A

高性能技术极低r

DS （ ON）

终止是无铅和符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进电源海沟

过程中有

特别是针对已减小通态电阻。这

装置非常适用于电源管理和负载开关

在笔记本电脑和便携式常见的应用

电池组。

应用

直流 - 直流降压转换器

笔记本电脑的电池电源管理

在笔记本负荷开关

顶部

销1

S

底部

D

G

D

8

1

S

6

7

3

2

S

5

4

G

MLP 3.3X3.3

MOSFET的最大额定值

T

A

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

I

D

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

- 连续（包装有限公司）

-Continuous

-Pulsed

单脉冲雪崩能量

功耗

T

A

= 25 °C

工作和存储结温范围

（注3）

（注1A ）

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

参数

评级

30

±20

24

18.8

60

188

2.3

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

热特性

R

TJA

热阻，结到环境

（注1A ）

53

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMC7664

设备

FDMC7664

包

MLP 3.3X3.3

带尺寸

13 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2009仙童半导体公司

FDMC7664 Rev.B的

1

www.fairchildsemi.com

FDMC7664的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

“ BV

DSS

'T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流，正向

I

D

= 250

PA ，

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

PA ，

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

T

J

= 125 °C

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

30

12

1

250

100

V

毫伏/°C的

PA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

'V

GS （ TH）

'T

J

门源阈值电压

温度COEF网络cient

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

PA

I

D

= 250

PA ，

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 18.8 A

r

DS （ ON）

静态漏极至源极导通电阻

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 16.1 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 18.8 A

T

J

= 125 °C

V

DD

= 5 V，I

D

= 18.8 A

1.0

1.9

-7

3.6

4.5

4.4

115

4.2

5.5

5.4

S

m:

3.0

V

毫伏/°C的

g

FS

正向跨导

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

3655

1100

115

0.8

4865

1465

170

pF

:

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G（ TOT ）

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至4.5 V V

DD

= 15 V

I

D

= 18.8 A

V

DD

= 15 V，I

D

= 18.8 A

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

:

15

7

37

6

55

25

12

6

27

14

59

12

76

34

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 18.8 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 1.9 A

（注2 ）

0.83

0.71

41

20

1.2

65

35

V

ns

nC

I

F

= 18.8 A， di / dt的= 100 A / PS

注意事项：

1. R

TJA

与安装在一个1的设备中确定

2

垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

TJC

由设计而

TCA

由下式确定

用户的电路板设计。

一。安装时为53℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

安装时b.125 ° C / W

2盎司纯铜最低垫

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

PS，

占空比< 2.0 ％。

3. E

AS

188兆焦耳是基于起始物为

J

= 25

o

C，L = 1 mH的，我

AS

= 19.4 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V 100 ％的测试，在L = 3 mH的，我

AS

= 8.3 A.

2009仙童半导体公司

FDMC7664 Rev.B的

2

www.fairchildsemi.com

FDMC7664的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

60

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10 V

I

D

,

漏电流（ A）

V

GS

= 6 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

V

GS

= 3.5 V

5

V

GS

= 3 V

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

45

4

3

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4 V

30

V

GS

= 3 V

2

1

V

GS

= 6 V

V

GS

= 10 V

15

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

0

0.0

0

15

30

I

D

,

漏电流（ A）

45

60

0.3

0.6

0.9

V

DS

,

漏源极电压（ V）

1.2

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

1.6

归

漏极至源极导通电阻

12

源导通电阻

(

m

:

)

I

D

= 18.8 A

V

GS

= 10 V

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75

9

I

D

= 18.8 A

r

DS （ON ），

漏

6

T

J

= 125

o

C

3

T

J

= 25

o

C

0

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

60

I

S

，反向漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

100

V

GS

= 0 V

I

D

，漏电流（ A）

45

V

DS

= 5 V

10

1

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

T

J

= -55

o

C

30

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

0.1

0.01

15

T

J

= -55

o

C

0

1

2

3

4

V

GS

，门源电压（ V）

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

2009仙童半导体公司

FDMC7664 Rev.B的

3

www.fairchildsemi.com

FDMC7664的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 18.8 A

7000

C

国际空间站

8

V

DD

= 10 V

V

DD

= 15 V

V

DD

= 20 V

电容（pF）

C

OSS

6

4

2

1000

C

RSS

100

0

15

30

Q

g

，栅极电荷（ NC）

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

45

60

50

0.1

1

10

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

90

80

I

D

,

漏电流（ A）

30

I

AS

，雪崩电流（ A）

70

60

50

40

30

20

10

不限按包

o

R

T

JC

= 3.0 C / W

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

10

T

J

= 25

o

C

T

J

=

125

o

C

T

J

=

100

o

C

1

0.01

0.1

1

10

100

1000

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

100

100美

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

2000

1000

10

1毫秒

10毫秒

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

V

GS

= 10 V

100

1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100毫秒

1s

10 s

DC

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

T

JA

= 125

o

C / W

T

C

= 25

o

C

10

单脉冲

R

T

JA

= 125

o

C / W

0.01

0.1

1

10

100

200

1

T

C

= 25

o

C

0.5

-4

-3

-2

10

-1

1

10

2

10

3

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

2009仙童半导体公司

FDMC7664 Rev.B的

4

www.fairchildsemi.com

FDMC7664的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

T

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

TJA

个R

TJA

+ T

A

-1

0.001

0.0005

-4

10

-3

R

T

JA

= 125℃ / W

(

注1B

)

o

10

-2

10

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.结至环境瞬态热响应曲线

2009仙童半导体公司

FDMC7664 Rev.B的

5

www.fairchildsemi.com