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FDMC7660的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2009年12月

FDMC7660

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30 V ， 20 A ，2.2 M：

特点

最大

DS （ ON）

= 2.2 M：在V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

最大

DS （ ON）

= 3.3米：在V

GS

= 4.5 V，I

D

= 18 A

高性能技术极低r

DS （ ON）

终止是无铅和符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进的PowerTrench

过程中有

特别是针对已减小通态电阻。这

装置非常适用于电源管理和负载开关

在笔记本电脑和便携式常见的应用

电池组。

应用

直流 - 直流降压转换器

负载点

高效率负载开关和低侧开关

销1

S

G

D

底部

D

5

6

7

8

4

3

2

1

G

S

顶部

电源33

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C

（注1A ）

（注4 ）

参数

评级

30

±20

40

100

20

200

41

2.3

-55到+ 150

mJ

W

°C

A

单位

V

工作和存储结温范围

热特性

R

TJC

R

TJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

3

53

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDMC7660

设备

FDMC7660

包

电源33

带尺寸

13’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

3000台

2009仙童半导体公司

FDMC7660 Rev.C1

1

www.fairchildsemi.com

FDMC7660的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

“ BV

DSS

'T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250

PA ，

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

PA ，

参考25 ℃下

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

30

14

1

100

V

毫伏/°C的

PA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

'V

GS （ TH）

'T

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

PA

I

D

= 250

PA ，

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 18 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A，T

J

= 125°C

V

DS

= 5 V，I

D

= 20 A

1.2

1.7

-6

1.8

2.6

2.2

163

2.2

3.3

3.1

S

m:

2.5

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 15 V, V

GS

= 0 V,

F = 1MHz的

3630

1345

110

0.9

4830

1790

165

pF

:

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至4.5 V V

DD

= 15 V,

I

D

= 20 A

V

DD

= 15 V，I

D

= 20 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

:

14

6.8

36

5.7

54

24

11

5.6

25

14

58

11

86

38

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极 - 漏极二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 20 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 1.9 A

（注2 ）

0.8

0.7

45

25

1.2

63

35

V

ns

nC

I

F

= 20 A， di / dt的= 100 A / PS

注意事项：

1. R

TJA

是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。

R

TJC

由设计而

TJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一。安装时为53℃ / W的

在A 1

2

2盎司纯铜垫

B 。安装在当125 °C / W

2盎司纯铜最小焊盘

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

P

S，占空比< 2.0 ％。

3.起始物为

J

= 25 ° C，L = 1 mH的，我

AS

= 20 A，V

DD

= 27 V, V

GS

= 10 V

4.作为一个N沟道器件，负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲ocurrence 。没有连续得分的暗示

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FDMC7660的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

200

归

漏极至源极导通电阻

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

3.0

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

I

D

，漏电流（ A）

150

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 4 V

2.5

V

GS

= 3 V

2.0

1.5

1.0

0.5

0

V

GS

= 3.5 V

V

GS

= 4 V

100

V

GS

= 3.5 V

50

0

0.0

V

GS

= 3 V

0.5

1.0

1.5

V

DS

,

漏源极电压（ V）

2.0

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

50

100

I

D

,

漏电流（ A）

150

200

图1.地区特点

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

1.6

归

漏极至源极导通电阻

源导通电阻

(

m

:

)

15

I

D

= 20 A

V

GS

= 10 V

I

D

= 20 A

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

r

DS （ON ），

漏

10

1.2

5

1.0

T

J

= 125

o

C

0.8

-75

T

J

= 25

o

C

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

0

2

4

6

8

10

V

GS

,

门源电压（ V）

T

J

,

结温

(

o

C

)

图3.归一导通电阻

VS结温

200

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

脉冲持续时间= 80

P

s

占空比= 0.5 ％ MAX

200

100

V

GS

= 0 V

I

D

，漏电流（ A）

150

V

DS

= 5 V

T

J

= 150

o

C

T

J

= 150

o

C

10

T

J

= 25

o

C

100

T

J

= 25

o

C

1

T

J

= -55

o

C

50

T

J

= -55

o

C

0

1

2

3

4

V

GS

，门源电压（ V）

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

10

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

= 20 A

10

C

国际空间站

电容（ NF）

8

V

DD

= 10 V

6

V

DD

= 15 V

1

C

OSS

4

V

DD

=

20 V

C

RSS

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

2

0.1

0

20

40

60

Q

g

，栅极电荷（ NC）

0.05

0.1

1

10

30

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

150

I

D

,

漏电流（ A）

30

I

AS

，雪崩电流（ A）

V

GS

= 10 V

10

T

J

=

25

o

C

T

J

= 100

o

C

100

V

GS

= 4.5 V

50

R

T

JC

= 3 C / W

o

T

J

= 125

o

C

1

0.01

0.1

1

10

100 300

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

300

100

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

3

10

P

(

PK

)

,

瞬态峰值功率（ W）

单脉冲

R

T

JA

= 125

o

C / W

10

1毫秒

10毫秒

10

2

T

A

= 25

o

C

1

这个区域是

LIMITED BY的RDS

(

on

)

100毫秒

1s

10s

DC

10

0.1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

T

JA

= 125

o

C / W

T

A

= 25 C

o

0.01

0.1

1

10

100200

1

0.5

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 ° C除非另有说明

2

1

归热

阻抗Z

T

JA

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

0.01

单脉冲

R

T

JA

= 125℃ / W

(

注1B

)

o

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

TJA

个R

TJA

+ T

A

0.001

-3

10

-2

10

-1

1

10

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.结至环境瞬态热响应曲线

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