FDMB668P P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
2007年2月
FDMB668P
P沟道1.8V逻辑电平
-20V ， -6.1A ， 35mΩ
特点
最大
DS （ ON）
=
35mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.1A
最大
DS （ ON）
=
50mΩ的在V
GS
= -2.5V ，我
D
= -5.1A
最大
DS （ ON）
=
70mΩ在V
GS
= -1.8V ，我
D
= -4.3A
优秀的便携式应用在V
GS
= -1.8V
薄型 - 最大高度= 0.8毫米
符合RoHS
的PowerTrench
tm
MOSFET
概述
FDMB668P是极好的负荷开关和DC-DC转换
其中便携式电子产品。它达到一个最佳的平衡
效率高，热传递和小型化通过整合之中
一个P沟道MOSFET具有最小的通态电阻成
3x1.9的MicroFET封装。在优化的尺寸
便携式应用中，这个小设备提供了一个非常有效的
的解决方案。
应用
负荷开关在：
-HDD
- 便携式游戏， MP3
-Notebook
直流/直流转换
销1
门
D
D
来源
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
S
D
G
的MicroFET 3X1.9
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
功耗
工作和存储结温范围
-Continuous
-Pulsed
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-20
±8
-6.1
-40
1.9
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
65
165
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
668
设备
FDMB668P
包
的MicroFET 3X1.9
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2007仙童半导体公司
FDMB668P Rev.B的
1
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FDMB668P P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
-20
-11.4
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.1A
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -5.1A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -4.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.1A ，T
J
= 125°C
正向跨导
V
DS
= -4.5V ，我
D
= -6.1A
-0.4
-0.6
2.8
22
27
35
31
27
35
50
70
50
S
m
-1.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
1565
210
175
2085
280
265
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= 0V至-5V
V
DD
= -10V
I
D
= -6.1A
V
DD
= -10V ，我
D
= -6.1A
V
GS
= -4.5V ，R
根
= 6
7
9
176
84
42
22
3
5
14
18
282
135
59
31
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.6A
（注2 ）
-0.7
29
15
-1.2
44
23
V
ns
nC
I
F
= -6.1A ，的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
1:
R
θJA
是结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为在所述焊料安装表面的总和
漏针。
R
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
安装在当65℃ / W的
1in
2
2盎司纯铜垫
b)
安装在一个时165℃ / W的
最小焊盘。
2:
脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2 ％ 。
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2
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FDMB668P P沟道1.8V逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
40
32
24
16
8
0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -3.0V
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -1.8V
归
漏极至源极导通电阻
-I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
3.0
2.5
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -1.8V
V
GS
= -3.0V
V
GS
= -2.5V
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -4.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
1
2
3
4
5
0
8
16
24
32
40
-VDS ，漏源极电压（ V）
-ID ，漏极电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
50
r
DS （ ON）
，沥去
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= -6.1A
V
GS
= -4.5V
45
40
35
30
25
20
I
D
=-6.1A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
1
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
5
图3.归一导通电阻
VS结温
-I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
V
GS
= 0V
40
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
-I
D
，漏电流（ A）
30
VDD = -5V
10
1
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
10
T
J
= -55
o
C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
GS
，门源电压（ V）
3.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
-V
GS
，门源电压（ V）
10
ID = -6.1A
5000
西塞
V
DD
= -10V
8
6
V
DD
= -5V
V
DD
= -15V
电容（pF）
1000
科斯
4
2
0
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0
5
10
15 20 25 30
Q
g
，栅极电荷（ NC）
35
40
45
100
0.1
1
10
-V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
90
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
10
-I
D
，漏电流（ A）
RDS （ ON）
有限
1ms
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
20
1
单脉冲
TJ =最大额定
R
θ
JA = 1650
C / W
TA = 250
C
10ms
100ms
1s
10s
DC
60
I = I
25
150
–
T
A
----------------------
-
125
T
A
= 25
o
C
0.1
30
单脉冲
R
θ
JA
= 165℃ / W
o
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
-3
10
10
-2
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
10
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
0
1
10
2
10
3
图9.正向偏置安全
工作区
2
占空比，降序排列
图10.单脉冲最大
功耗
1
归热
阻抗Z
θ
JA
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
EAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
单脉冲
0.01
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图11.瞬态热响应曲线
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