FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
FDMA420NZ
单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
20V ， 5.7A ， 30mΩ到
概述
此单N沟道MOSFET一直使用的设计
飞兆半导体先进的Power沟道
过程，以优化第r
DS
（上） @V
GS
= 2.5V特殊
引线框架的MicroFET 。
2008年4月
tm
特点
R
DS （ ON）
= 30mΩ到@ V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.7A
R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.0A
低调- 0.8毫米最大的新包
的MicroFET 2×2毫米
HBM ESD保护等级>
2.5k
V典型（注3）
符合RoHS
应用
的锂离子电池组
销1
D
D
G
来源
S
D
D
4
3
漏
G
D
D
5
2
6
1
D
D
S
底部漏接触
底部的MicroFET 2X2查看
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
参数
评级
20
±12
5.7
24
0.9
2.4
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
145
52
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
420
设备
FDMA420NZ
带尺寸
7”
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2008飞兆半导体公司
FDMA420NZ冯B2
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
20
12
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.7A
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 5.7A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 3.1V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 4.5V,
T
J
=150°C
g
FS
正向跨导
V
DS
= 5V,
I
D
= 5.7A,
I
D
= 5.7A
0.6
0.83
-3.1
16.8
17.3
18.9
21.2
24.8
28.3
30
31
33
40
44
S
m
1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
701
163
125
1.92
935
220
190
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 5.7A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
9.8
8.6
21.5
8.6
8.8
0.9
2.4
20
18
43
18
12
2
4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏针。
a.
安装在2盎司纯铜最小焊盘时， 145 ° C / W 。
b.
在安装在1时52 ° C / W
2
垫2盎司纯铜。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为proection防止ESD 。没门过电压等级是不言而喻的。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.0A
I
F
= 5.7A,
的di / dt = 100A / μs的
0.69
2.0
1.2
20
5
A
V
ns
nC
2
FDMA420NZ冯B2
www.fairchildsemi.com
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 2.5V
归
漏极至源极导通电阻
50
45
I
D
，漏电流（ A）
2.1
脉冲持续时间= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
1.8
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
1.5
V
GS
= 3.5V
1.2
V
GS
= 4.5V
2
3
4
0.9
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1 。
在地区特点
图2中。
上电阻与漏电流和
栅极电压
60
R
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 5.7A
V
GS
= 4.5V
50
40
30
20
10
脉冲持续时间= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
I
D
= 2.8A
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
1
T
J
，结温
(
o
C
)
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
图3.归一
在电阻与结
温度
30
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.5
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
图4中。
导通电阻VS门源
Votlage
100
I
S
，反向漏电流（ A）
10
1
0.1
0.01
1E-3
1E-4
0.2
V
GS
= 0V
V
DS
= 5V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
1.0
1.5
2.0
2.5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5中。
传输特性
图6 。
源极到漏极二极管的正向电压
VS源电流
3
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FDMA420NZ冯B2
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
5
4
3
2
1
0
V
DS
= 15V
V
DS
= 20V
V
DS
= 25V
2000
1000
电容（pF）
C
国际空间站
C
OSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
12
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
网络连接gure 8 。
电容VS
漏源极电压
6
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10us
5
4
3
2
1
0
25
V
GS
= 4.5V
10
100us
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
=
25
o
C
1
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 2.5V
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
50
75
100
125
o
C
)
T
A
，环境温度
(
150
图9.正向偏置安全工作区
200
P
（ PK）
峰值瞬态功率
(
W
)
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
=
I
150
–
T
25
125
A
--------------------
-
100
V
GS
= 10V
10
单脉冲
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
图11 。
单脉冲最大功率耗散
4
FDMA420NZ冯B2
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FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
归热
阻抗Z
θ
JA
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
R
θJA
= 145
o
C
单脉冲
0.01
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图12 。
瞬态热响应曲线
5
FDMA420NZ冯B2
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FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
2006年9月
FDMA420NZ
单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
20V ， 5.7A ， 30mΩ到
概述
此单N沟道MOSFET一直使用的设计
飞兆半导体先进的Power沟道
过程，以优化第r
DS
（上） @V
GS
= 2.5V特殊
引线框架的MicroFET 。
tm
特点
R
DS （ ON）
= 30mΩ到@ V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.7A
R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.0A
低调- 0.8毫米最大的新包
的MicroFET 2×2毫米
符合RoHS
应用
的锂离子电池组
销1
D
D
G
来源
S
D
D
4
3
漏
G
D
D
5
2
6
1
D
D
S
底部漏接触
底部的MicroFET 2X2查看
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
-Continuous
-Pulsed
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
参数
评级
20
±12
5.7
24
0.9
2.4
-55到+150
单位
V
V
A
W
o
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
145
52
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
420
设备
FDMA420NZ
带尺寸
7”
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FDMA420NZ B1版本
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V,
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
20
12
1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.7A
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 5.7A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 3.1V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.0A
V
GS
= 4.5V,
T
J
=150°C
g
FS
正向跨导
V
DS
= 5V,
I
D
= 5.7A,
I
D
= 5.7A
0.6
0.83
-3.1
16.8
17.3
18.9
21.2
24.8
28.3
30
31
33
40
44
S
m
1.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
701
163
125
1.92
935
220
190
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 5.7A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
9.8
8.6
21.5
8.6
8.8
0.9
2.4
20
18
43
18
12
2
4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏针。
a.
安装在2盎司纯铜最小焊盘时， 145 ° C / W 。
b.
在安装在1时52 ° C / W
2
垫2盎司纯铜。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为proection防止ESD 。没门过电压等级是不言而喻的。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 2.0A
I
F
= 5.7A,
的di / dt = 100A / μs的
0.69
2.0
1.2
20
5
A
V
ns
nC
2
FDMA420NZ B1版本
www.fairchildsemi.com
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 2.5V
归
漏极至源极导通电阻
50
45
I
D
，漏电流（ A）
2.1
脉冲持续时间= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
1.8
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.5V
1.5
V
GS
= 3.5V
1.2
V
GS
= 4.5V
2
3
4
0.9
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1 。
在地区特点
图2中。
上电阻与漏电流和
栅极电压
60
R
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 5.7A
V
GS
= 4.5V
50
40
30
20
10
脉冲持续时间= 300
S
占空比= 2.0 ％ MAX
I
D
= 2.8A
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
1
T
J
，结温
(
o
C
)
2
3
4
V
GS
，门源电压（ V）
5
图3.归一
在电阻与结
温度
30
I
D
，漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.5
脉冲持续时间= 300
s
占空比= 2.0 ％ MAX
图4中。
导通电阻VS门源
Votlage
100
I
S
，反向漏电流（ A）
10
1
0.1
0.01
1E-3
1E-4
0.2
V
GS
= 0V
V
DS
= 5V
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
1.0
1.5
2.0
2.5
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5中。
传输特性
图6 。
源极到漏极二极管的正向电压
VS源电流
3
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FDMA420NZ B1版本
FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
5
4
3
2
1
0
V
DS
= 15V
V
DS
= 20V
V
DS
= 25V
2000
1000
电容（pF）
C
国际空间站
C
OSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
C
RSS
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
12
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
100
网络连接gure 8 。
电容VS
漏源极电压
6
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10us
5
4
3
2
1
0
25
V
GS
= 4.5V
10
100us
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
=
25
o
C
1
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 2.5V
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
50
75
100
125
o
C
)
T
A
，环境温度
(
150
图9.正向偏置安全工作区
200
P
（ PK）
峰值瞬态功率
(
W
)
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I
=
I
25
A
--------------------
-
125
150
–
T
100
V
GS
= 10V
10
单脉冲
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
T，脉冲宽度（ S）
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
图11 。
单脉冲最大功率耗散
4
FDMA420NZ B1版本
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FDMA420NZ单N沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
归热
阻抗Z
θ
JA
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
R
θJA
= 145
o
C
单脉冲
0.01
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图12 。
瞬态热响应曲线
5
FDMA420NZ B1版本
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