FDMA3027PZ双P沟道PowerTrench
MOSFET
2012年6月
FDMA3027PZ
双P沟道PowerTrench
MOSFET
-30 V， -3.3 A， 87毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 87毫欧，在V
GS
= -10 V，I
D
= -3.3 A
最大
DS （ ON）
= 152毫欧的V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.3 A
HBM ESD保护等级> 2千伏的典型（注3）
低调 - 0.8 mm最大 - 在新包
的MicroFET 2×2毫米
符合RoHS
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
为双开关的要求，例如对于较大的栅极驱动器
的MOSFET。它配备了两个独立的P沟道MOSFET与
低通态电阻最小的导通损耗。该
2×2的MicroFET封装提供卓越的热性能
对于它的物理尺寸，并适用于线性模式的应用程序。
GS齐纳已被添加到增强的ESD电压电平。
应用
负荷开关
分立门驱动器
销1
S1
G1
D2
S1
D1
D2
1
6
D1
G2
S2
G1
2
3
5
4
D2
D1
顶部
2×2的MicroFET
G2 S2
底部
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
功耗
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-30
±25
-3.3
-15
1.4
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
单操作热阻，结到环境
单操作热阻，结到环境
R
θJA
双操作热阻，结到环境
双操作热阻，结到环境
单操作热阻，结到环境
双操作热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
（注1E ）
（注1楼）
86
173
69
151
160
133
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
327
设备
FDMA3027PZ
包
2×2的MicroFET
1
带尺寸
7 ’’
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
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2012仙童半导体公司
FDMA3027PZ Rev.C
FDMA3027PZ双P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= -250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±25 V, V
DS
= 0 V
-30
-22
-1
±10
V
毫伏/°C的
μA
μA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
r
DS （ ON）
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
μA
I
D
= -250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= -10 V，I
D
= -3.3 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.3 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -3.3 A，T
J
= 125 °C
V
DS
= -5 V，I
D
= -3.3 A
-1
-1.9
5
69
108
97
6
87
152
122
S
mΩ
-3
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
324
59
53
12
435
80
80
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至-10 V
V
GS
= 0 V至-5 V.
V
DD
= -15 V,
I
D
= -3.3 A
V
DD
= -15 V，I
D
= -3.3 A,
V
GS
= -10 V ，R
根
= 6
Ω
5.2
3
17
11
7.2
4.1
1.0
1.9
11
10
31
25
10
6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= -3.3 A
I
F
= -3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
（注2 ）
-0.94
20
10
-1.3
32
18
V
ns
nC
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电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（一）R
θJA
= 86℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 " ×1.5 " X 0.062 "厚的PCB 。对于单操作。
（二）R
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 173 ° C / W 。对于单操作。
（三）R
θJA
（四）R
θJA
（五）R
θJA
（六）R
θJA
= 69
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB 。对于双操作。
= 151
o
安装在2盎司纯铜最小焊盘当C / W 。对于双操作。
= 160
o
安装在30mm的C / W的时
2
垫2盎司纯铜。对于单操作。
= 133
o
安装在30mm的C / W的时
2
垫2盎司纯铜。对于双操作。
一。安装在86 ° C / W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
B 。安装在173 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
。安装在69 ° C / W
在A 1
2
2盎司纯铜垫
。安装在151 ° C / W
2盎司纯铜最低垫
。安装时160℃ / W的
30 mm
2
2盎司纯铜垫
F。安装在133 ° C / W
30 mm
2
2盎司纯铜垫
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
3.连接的栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
15
V
GS
= -10 V
-I
D
,
漏电流（ A）
V
GS
= -5 V
V
GS
= -4.5 V
归
漏极至源极导通电阻
5
V
GS
= -3.5 V
12
9
4
V
GS
= -4 V
V
GS
= -4 V
3
V
GS
= -4.5 V
6
V
GS
= -3.5 V
2
V
GS
= -5 V
3
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
1
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
15
-V
DS
,
漏源极电压（ V）
-I
D
,
漏电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
400
源导通电阻
(
m
Ω
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-75
I
D
= -3.3 A
V
GS
= -10 V
r
DS （ON ） ，
漏
I
D
= -3.3 A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
300
200
T
J
= 125
o
C
100
T
J
= 25
o
C
0
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
2
4
6
8
10
-V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
15
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0 V
-I
D
，漏电流（ A）
12
V
DS
= -5 V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
9
6
T
J
= 150
o
C
0.1
T
J
= -55
o
C
3
T
J
0.01
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
6
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-V
GS
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
10
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -3.3 A
V
DD
= -15 V
1000
C
国际空间站
V
DD
= -10 V
V
DD
= -20 V
电容（pF）
8
6
4
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
100
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
Q
g
，栅极电荷（ NC）
6
8
10
0.1
1
10
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
20
10
-I
g
,
栅极漏电流（ A）
-1
10
10
10
10
10
10
10
-2
V
DS
= 0 V
-I
D
，漏电流（ A）
10
-3
-4
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
-5
-6
T
J
= 125
o
C
-7
T
J
= 25
o
C
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 173
o
C / W
T
A
= 25
o
C
-8
1s
10 s
DC
10
-9
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0.01
0.1
1
10
100
-V
GS ，
门源电压（ V）
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图9.栅极漏电流与门极
源极电压
30
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全
工作区
10
单脉冲
1
0.5
-3
10
R
θ
JA
= 173 C / W
T
A
= 25 C
o
o
10
-2
10
-1
1
T，脉冲宽度（秒）
10
100
1000
图11.单脉冲最大功率耗散
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