FDMA3023PZ双P沟道PowerTrench
MOSFET
2008年12月
FDMA3023PZ
双P沟道PowerTrench
MOSFET
-30 V， -2.9 A， 90毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 90毫欧，在V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.9 A
最大
DS （ ON）
= 130毫欧的V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.6 A
最大
DS （ ON）
= 170毫欧的V
GS
= -1.8 V，I
D
= -1.7 A
最大
DS （ ON）
= 240毫欧的V
GS
= -1.5 V，I
D
= -1.0 A
低调 - 0.8 mm最大 - 在新的封装的MicroFET
2×2毫米
HBM ESD保护等级> 2千伏（注3 ）
符合RoHS
不含卤化物和锑
氧化物
tm
概述
这个装置是专具体来说作为一个单一封装解决方案
对于在蜂窝手机和其他电池的充电开关
超便携式应用。它配备了两个独立的
P沟道MOSFET的低导通电阻最低
传导损耗。当连接在典型的共
源的配置，双向电流流动是可能的。
这些新产品的2x2封装提供卓越的热
对于它的物理尺寸和性能是非常适合于线性模式
应用程序。
销1
S1
G1
D2
S1
D1
D2
G1
D2
2
2
5
1
1
6
6
D1
G2
S2
5
4
D1
2×2的MicroFET
G2 S2
3
3
4
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
功耗
功耗
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-30
±8
-2.9
-6
1.4
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
单操作热阻，结到环境
单操作热阻，结到环境
双操作热阻，结到环境
双操作热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
86
173
69
151
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
323
设备
FDMA3023PZ
包
2×2的MicroFET
带尺寸
7 ’’
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000台
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MOSFET
电气特性
T
J
= 25 C ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250
A,
V
GS
= 0 V
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±8 V, V
DS
= 0 V
-30
-24
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
A
I
D
= -250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.9 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -2.6 A
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -1.7 A
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -1.0 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.9 A，T
J
= 125 °C
g
FS
正向跨导
V
DS
= -5 V，I
D
= -2.9 A
-0.4
-0.6
3
71
97
122
151
110
10
90
130
170
240
140
S
m
-1.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
400
55
45
530
70
65
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
DD
= -15 V，I
D
= -2.9 A
V
GS
= -4.5 V
V
DD
= -15 V，I
D
= -1.0 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
5
4
62
18
7.9
0.9
1.9
10
10
100
33
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.1 A
（注2 ）
-0.8
18
6.6
-1.1
-1.2
33
13
A
V
ns
nC
I
F
= -2.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
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注意事项：
1. R
θJA
与安装在一个1的设备中确定
2
盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
通过确定
用户的电路板设计。
（一）R
θJA
= 86℃ / W安装在1时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 " ×1.5 " X 0.062 "厚的PCB 。对于单操作。
（二）R
θJA
=装在2盎司纯铜最小焊盘时， 173 ° C / W 。对于单操作。
（三）R
θJA
= 69
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB 。对于双操作。
（四）R
θJA
= 151
o
安装在2盎司纯铜最小焊盘当C / W 。对于双操作。
a)86
o
C / W时，
安装在一个1
in
2
的2盎司垫
铜。
b)173
o
C / W时，
安装在一
2最小焊盘
盎司铜。
c)69
o
C / W时，
装在一个1在
2
垫2盎司纯铜。
d)151
o
C / W时，
安装在一
的2盎司最小焊盘
铜。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％
3.连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
6
5
4
V
GS
= -1.8 V
V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -3.5 V
V
GS
= -2.5 V
6
归
漏极至源极导通电阻
-I
D
,
漏电流（ A）
5
4
3
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -1.5 V
3
2
1
0
0
V
GS
= -1.5 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= -2.5 V
V
GS
= -1.8 V
2
1
V
GS
= -3.5 V
V
GS
= -4.5 V
0.5
1.0
1.5
-V
DS
,
漏源极电压（ V）
2.0
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
,
漏电流（ A）
图1.地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
400
源导通电阻
(
m
)
1.6
归
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
I
D
= -2.9 A
V
GS
= -4.5 V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
300
I
D
= -1.45 A
r
DS （ON ） ，
漏
200
T
J
= 125
o
C
100
T
J
= 25
o
C
0.6
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
6
-I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
10
5
-I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0 V
V
DS
= -5 V
1
T
J
= 125
o
C
4
3
T
J
= 125
o
C
0.1
T
J
= 25
o
C
2
1
0
0.5
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
1.0
1.5
2.0
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
GS
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
5
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -2.9 A
1000
4
V
DD
= -10 V
V
DD
= -15 V
V
DD
= -20 V
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
，栅极电荷（ NC）
电容（pF）
C
国际空间站
100
C
OSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
RSS
10
0.1
1
10
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
10
10
-I
g
,
栅极漏电流（ A）
-2
10
10
10
10
10
-4
-I
D
，漏电流（ A）
10
-3
V
GS
= 0 V
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒
-5
T
J
= 125
o
C
-6
-7
T
J
= 25
o
C
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 173
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1s
10 s
DC
-8
10
-9
0
3
6
9
12
15
0.01
0.01
0.1
1
10
100
200
-V
DS
，漏源极电压（ V）
-V
GS ，
门源电压（ V）
图9.栅极漏电流VS门源电压
200
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率（ W）
图10.正向偏置安全工作区
100
V
GS
= -4.5 V
单脉冲
R
θ
JA
= 173
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10
1
0.5
-3
10
10
-2
10
-1
1
10
1000
T，脉冲宽度（秒）
图11.单脉冲最大功率耗散
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