FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
2008年3月
FDMA1032CZ
20V互补的PowerTrench
MOSFET
概述
这个装置被作为一个单一的包，专门设计的
用于蜂窝的DC / DC '开关' MOSFET的溶液
手机
和
其他
超便携
应用程序。
It
拥有一个独立的N沟道& P沟道
MOSFET，具有低的导通电阻为最小
传导损耗。每个MOSFET的栅极电荷
也被最小化，从而使高频率的开关
直接从控制装置。这些新产品的2x2
包提供了出色的散热性能的
物理尺寸，并适用于切换应用。
tm
特点
Q1 ： N沟道
3.7 A， 20V 。
Q2 ： P通道
-3.1 A， -20V 。
DS （ ON）
= 95毫欧@ V
GS
= –4.5V
R
DS （ ON）
= 141毫欧@ V
GS
= –2.5V
低调 - 0.8 mm最大 - 在新包
的MicroFET 2×2毫米
HBM ESD保护等级> 2kV的（注3 ）
符合RoHS
销1
S1 G1
D1
D2
G1
D2
D1 G2 S2
R
DS （ ON）
= 68毫欧@ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 86毫欧@ V
GS
= 2.5V
D2
S1
1
2
3
6
5
4
D1
G2
S2
2×2的MicroFET
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
20
±12
（注1A ）
Q2
–20
±12
–3.1
–6
1.4
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
3.7
6
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
86 （单人操作）
173 （单人操作）
69 （双操作）
151 （双操作）
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
032
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDMA1032CZ
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
FDMA1032CZ冯B2 （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
参数
（注2 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -10 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.7 A，V
GS
= 4.5 V
Q2
V
DS
= -10 V，I
D
=– 3.1 A,
V
GS
=– 4.5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8
13
8
11
14
37
3
36
4
7
0.7
1.1
1.1
2.4
16
24
16
20
26
59
6
58
6
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
（注2 ）
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.1 A
（注2 ）
Q1
I
F
= 3.7 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的
Q2
I
F
= -3.1一，二
F
/ DT = 100 A / μs的
0.7
–0.8
11
25
2
9
1.1
–1.1
1.2
–1.2
A
V
ns
nC
注意事项：
2
1.
R
θJA
与安装在一个1中的2盎司垫的装置来确定。铜上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
is
通过用户的电路板的设计来确定。
(a)
R
θJA
= 86 ° C /安装在1英寸当W
2
2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB焊盘
(b)
R
θJA
= 173 ° C /安装在2盎司纯铜最小焊盘当W
(d)
R
θJA
= 151 ° C /安装在2盎司纯铜最小焊盘当W
(c)
R
θJA
= 69 ° C /安装在1英寸当W
2
2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB焊盘
a) 86
o
C / W时，
安装在一
1in
2
垫
2盎司铜
b) 173
o
C / W时，
安装在一
最小垫
2盎司铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
连接在栅极和源极之间的二极管用作抗ESD只保护。没门过电压等级是不言而喻的。
FDMA1032CZ冯B2 （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
典型特征Q1 （ N沟道）
6
5
I
D
，漏电流（ A）
4
3
2
1
V
GS
= 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 2.0V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
1
2
3
4
I
D
，漏电流（ A）
5
6
2.5V
3.0V
3.5V
4.0V
1.5V
4.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
，漏源电压（V ）
1
1.2
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.13
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
I
D
= 3.7A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.85A
0.11
0.09
0.07
T
A
= 125 C
o
0.05
T
A
= 25 C
o
0.03
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
6
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
10
1
0.1
T
A
= 125
o
C
V
GS
= 0V
5
I
D
，漏电流（ A）
4
3
2
1
0
0.5
1
T
A
= 125 C
o
0.01
0.001
-55
o
C
25
o
C
25 C
-55 C
o
o
0.0001
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
1.5
2
V
GS
，门源电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDMA1032CZ冯B2 （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
典型特征Q1 （ N沟道）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 3.7A
8
V
DS
= 5V
500
15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
400
电容（pF）
10V
6
300
C
国际空间站
4
200
C
OSS
2
100
C
RSS
0
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0
0
5
10
15
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性。
100
图8.电容特性。
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
R
θ
JA
= 173 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
40
100us
30
1
20
0.1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 173 ° C / W
T
A
= 25°C
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 173 ° C / W
P（ PK）
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
t
1
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDMA1032CZ冯B2 （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
2006年5月
FDMA1032CZ
20V互补的PowerTrench
MOSFET
概述
这个装置被作为一个单一的包，专门设计的
用于蜂窝的DC / DC '开关' MOSFET的溶液
手机
和
其他
超便携
应用程序。
It
Q2 ： P通道
-3.1 A， -20V 。
DS （ ON）
= 95毫欧@ V
GS
= –4.5V
R
DS （ ON）
= 141毫欧@ V
GS
= –2.5V
低调 - 0.8 mm最大 - 在新包
的MicroFET 2×2毫米
符合RoHS
拥有一个独立的N沟道& P沟道
MOSFET，具有低的导通电阻为最小
传导损耗。每个MOSFET的栅极电荷
也被最小化，从而使高频率的开关
直接从控制装置。这些新产品的2x2
包提供了出色的散热性能的
物理尺寸，并适用于切换应用。
销1
S1 G1
D1
D2
D2
特点
Q1 ： N沟道
3.7 A， 20V 。
R
DS （ ON）
= 68毫欧@ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 86毫欧@ V
GS
= 2.5V
S1
G1
1
2
3
6
5
4
D1
G2
S2
D1 G2 S2
2×2的MicroFET
D2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
Q1
20
±12
（注1A ）
Q2
–20
±12
–3.1
–6
1.4
0.7
-55到+150
单位
V
V
A
W
°C
3.7
6
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1D ）
86 （单人操作）
173 （单人操作）
69 （双操作）
151 （双操作）
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
032
2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDMA1032CZ
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
FDMA1032CZ版本B （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
门体漏
（注2 ）
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V,
V
GS
= ±12 V,
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250 A
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.7 A，T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
= –3.1 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.1 A，T
J
= 125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.7 A
I
D
= –3.1 A
V
DS
= –10 V,
Q1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
Q2
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
输入最小值典型值最大值单位
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
所有
20
–20
15
–12
1
–1
±10
V
毫伏/°C的
A
A
开关特性
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
0.6
–0.6
1.0
–1.0
–4
4
37
50
53
60
88
87
16
–11
340
540
80
120
60
100
1.5
–1.5
V
毫伏/°C的
68
86
90
95
141
140
m
Q2
m
g
FS
正向跨导
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输
电容
pF
pF
pF
FDMA1032CZ版本B （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
参数
（注2 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q1
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -10 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
Q1
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.7 A，V
GS
= 4.5 V
Q2
V
DS
= -10 V，I
D
=– 3.1 A,
V
GS
=– 4.5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8
13
8
11
14
37
3
36
4
7
0.7
1.1
1.1
2.4
16
24
16
20
26
59
6
58
6
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复
时间
二极管的反向恢复
收费
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
（注2 ）
V
GS
= 0 V，I
S
= –1.1 A
（注2 ）
Q1
I
F
= 3.7 ，二
F
/ DT = 100 A / μs的
Q2
I
F
= -3.1一，二
F
/ DT = 100 A / μs的
0.7
–0.8
11
25
2
9
1.1
–1.1
1.2
–1.2
A
V
ns
nC
注意事项：
2
1.
R
θJA
与安装在一个1中的2盎司垫的装置来确定。铜上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
θJA
is
通过用户的电路板的设计来确定。
(a)
R
θJA
= 86 ° C /安装在1英寸当W
2
2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB焊盘
(b)
R
θJA
= 173 ° C /安装在2盎司纯铜最小焊盘当W
(d)
R
θJA
= 151 ° C /安装在2盎司纯铜最小焊盘当W
(c)
R
θJA
= 69 ° C /安装在1英寸当W
2
2盎司纯铜， 1.5 “× 1.5 ”× 0.062 “厚的PCB焊盘
a) 86
o
C / W时，
安装在一
1in
2
垫
2盎司铜
b) 173
o
C / W时，
安装在一
最小垫
2盎司铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDMA1032CZ版本B （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
典型特征Q1 （ N沟道）
6
V
GS
= 4.5V
2.5V
2.0V
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 2.0V
5
I
D
，漏电流（ A）
3.5V
3.0V
1.8
1.6
1.4
2.5V
4
3
2
1
1.5V
1.2
1
0.8
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
DS
，漏源电压（V ）
1
1.2
0
1
2
3
4
I
D
，漏电流（ A）
5
6
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.13
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
I
D
= 3.7A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.85A
0.11
0.09
0.07
T
A
= 125 C
o
0.05
T
A
= 25 C
o
0.03
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
6
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
5
I
D
，漏电流（ A）
4
3
2
T
A
= 125 C
o
10
1
0.1
T
A
= 125
o
C
0.01
25 C
o
-55
o
C
25
o
C
1
0
0.5
1.5
2
V
GS
，门源电压（ V）
1
2.5
0.001
-55 C
o
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDMA1032CZ版本B （ W）
FDMA1032CZ 20V互补的PowerTrench
MOSFET
典型特征Q1 （ N沟道）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
500
I
D
= 3.7A
V
DS
= 5V
15V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
400
电容（pF）
10V
6
300
C
国际空间站
4
200
C
OSS
2
100
C
RSS
0
0
2
4
6
Q
g
，栅极电荷（ NC）
8
10
0
0
5
10
15
V
DS
，漏源极电压（ V）
20
图7.栅极电荷特性。
100
图8.电容特性。
50
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
R
θ
JA
= 173 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
10
R
DS （ ON）
极限
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 173 ° C / W
T
A
= 25°C
40
30
1
20
0.1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 173 ° C / W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDMA1032CZ版本B （ W）
QQ：2881677436 复制
