【FDMA1027P双P沟道PowerTrenchMOSFET八月2006FDMA1027P双P沟道P】,IC型号FDMA1027P_06,FDMA1027P_06 PDF资料,FDMA1027P

FDMA1027P双P沟道PowerTrench

MOSFET

八月

2006

FDMA1027P

双P沟道PowerTrench

MOSFET

概述

这个装置被作为一个单一的包，专门设计的

对于在蜂窝手机电池充电开关溶液

和其它超便携应用。它配备了两个

独立的P沟道MOSFET的低导通状态

阻力为最小的导通损耗。

当

连接在典型的共源配置，

双向电流流动是可能的。

这些新产品的2x2封装提供卓越的热

为它表现的物理尺寸，并适用于线性

模式的应用。

特点

-3.0 A， -20V 。

DS （ ON）

= 120毫欧@ V

GS

= -4.5 V

R

DS （ ON）

= 160毫欧@ V

GS

= -2.5 V

R

DS （ ON）

= 240毫欧@ V

GS

= -1.8 V

薄型 - 0.8毫米最高可 - 新包

的MicroFET 2×2毫米

符合RoHS

针

S1 G1 D2

S1

D1

D2

G1

D2

1

2

3

6

5

4

D1

G2

S2

的MicroFET

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

D1

G2

S2

评级

-20

±8

（注1A ）

（注1B ）

-2.2

-6

1.4

0.7

-55到+150

单位

V

A

W

o

C

绝对最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

MOSFET漏源电压

MOSFET的栅源电压

漏电流 - 连续

-Pulsed

功率消耗单操作

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJA

热阻，结到环境

（注1A ）

（注1B ）

86 （单人操作）

173 （单人操作）

69 （双操作）

151 （双操作）

o

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

027

设备

FDMA1027P

带尺寸

7inch

1

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FDMA1027P启示录

D

(W)

2006仙童半导体公司

FDMA1027P双P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体泄漏，

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

I

D

= -250A,

参考25 ℃下

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V

V

GS

=

±8V,

V

DS

= 0V

-20

-

-12

-

-1

±100

V

毫伏/°C的

A

nA

基本特征

（注2 ）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

I

D

= -250A,

参考25 ℃下

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.0A

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -2.5A

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= -1.8V ，我

D

= -1.0A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.0A

T

J

= 125°C

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

GS

= -4.5V, V

DS

= -5V

V

DS

= -5V ，我

D

= -3.0A

-0.4

-

-20

-

-0.7

2

90

120

172

118

-

7

-1.3

-

120

160

240

160

-

A

S

m

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

= -10V, V

GS

= 0V,

F = 1.0MHz的

-

435

80

45

-

pF

开关特性

（注2 ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= -10V ，我

D

= -3.0A,

V

GS

= -4.5V

V

DD

= -10V ，我

D

= -1A

V

GS

= -4.5V ，R

根

= 6

-

9

11

15

6

4

0.8

0.9

18

19

27

12

6

-

ns

nC

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

二极管的反向恢复时间

二极管的反向恢复电荷

V

GS

= 0V时，我

S

= -1.1 A（注2 ）

I

F

= -3.0A ，二

F

/dt=100A/s

-

-0.8

17

6

-1.1

-1.2

-

A

V

ns

nC

2

FDMA1027P启示录

D

(W)

FDMA1027P双P沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

注意事项：

1.

R

θJA

与安装在一个1的设备中确定

2

盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。

θJC

被担保

设计，同时

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

（一）R

θJA

= 86 ° C /安装在1英寸当W

2

2盎司纯铜板， 1.5" X 1.5" X 0.062"厚的PCB

（二）R

θJA

= 173 ° C /安装在2盎司纯铜最小焊盘当W

a) 86

o

C / W时，

安装在一

1in

2

垫

2盎司铜

b) 173

o

C / W时，

安装在一

最小垫

2盎司铜

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

3

FDMA1027P启示录

D

(W)

FDMA1027P双P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

6

5

-I

D

，漏电流（ A）

4

-1.8V

V

GS

= -4.5V

-3.5V

-3.0V

-2.5V

-2.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

3

V

GS

= -1.5V

2.6

2.2

1.8

1.4

1

0.6

3

2

-1.5V

-1.8V

-2.0V

-2.5V

-3.0V

-3.5V

1

0

0.5

1

1.5

2

-V

DS

，漏源电压（V ）

2.5

-4.5V

0

1

2

3

4

-I

D

，漏电流（ A）

5

6

图1 。

在区域特征

图2中。

导通电阻变化与

漏电流和栅极电压

1.4

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

-50

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

I

D

= -3.0A

V

GS

= -4.5V

0.28

I

D

= -1.5A

0.22

0.16

T

A

= 125

o

C

0.1

T

A

= 25 C

o

0.04

-25

0

25

50

75

100

T

J

，结温（

o

C)

125

150

0

2

4

6

8

-V

GS

，门源电压（ V）

10

网络连接gure 3 。

导通电阻变化与

温度

图4中。

导通电阻变化与

栅极 - 源极电压

6

V

DS

= -5V

10

V

GS

= 0V

-I

S

，反向漏电流（ A）

5

-I

D

，漏电流（ A）

1

4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

2.5

-V

GS

，门源电压（ V）

T

A

= 125

o

C

0.1

T

A

= 125

o

C

0.01

25

o

C

-55

o

C

-55 C

25

o

C

o

0.001

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

-V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图5.传输特性

图6 。

体二极管正向电压的变化

与源电流和温度

4

FDMA1027P启示录

D

(W)

FDMA1027P双P沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

5

-V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= -3.0A

700

600

电容（pF）

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

4

V

DS

= -5V

-15V

500

400

300

200

100

C

RSS

3

-10V

C

国际空间站

2

1

C

OSS

0

1

2

3

Q

g

，栅极电荷（ NC）

4

5

0

4

8

12

16

-V

DS

，漏源极电压（ V）

20

图7.栅极电荷特性

图8.电容特性

100

I

D

，漏电流（ A）

10

R

DS （ ON）

极限

10ms

100ms

1s

10s

DC

V

GS

= -4.5V

单脉冲

R

θJA

= 173

o

C / W

T

A

= 25

o

C

1ms

100us

1

0.1

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

图9 。

最高安全工作区

图10.单脉冲最大功率

耗散

图11.瞬态热响应曲线

热特性进行使用注1b中描述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

5

FDMA1027P启示录

D

(W)