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FDL100N50F N沟道MOSFET
FDL100N50F
N沟道MOSFET ， FRFET
500V ， 100A ， 0.055Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.043Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
低栅极电荷（典型值238nC ）
低C
RSS
（典型值64pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
符合RoHS
的UniFET
TM
2009年5月
描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面出品
条纹， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
TO-264
摹 S
FDL系列
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
o
参数
FDL100N50F
500
±30
25
o
C)
o
单位
V
V
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
o
- 连续（T
C
=
- 脉冲
100
60
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
400
5000
100
73.5
20
2500
20
-55到+150
300
- 连续（T
C
= 100 C)
- 减免上述25℃
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境
分钟。
-
0.1
-
马克斯。
0.05
-
30
o
单位
C / W
2009仙童半导体公司
FDL100N50F版本A
1
www.fairchildsemi.com
FDL100N50F N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FDL100N50F
设备
FDL100N50F
包
TO-264
带尺寸
-
胶带宽度
-
QUANTITY
30
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门到身体漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
C
= 25
o
C
I
D
= 250μA ，参考25
o
C
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V ，T
C
=
V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V
125
o
C
500
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
10
100
±100
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
V
DS
= 20V ，我
D
= 50A
（注4 ）
3.0
-
-
-
0.043
95
5.0
0.055
-
V
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
DD
= 400V ，我
D
= 50A
V
GS
= 10V
-
-
-
-
-
-
12000
1700
64
238
74
95
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 250V ，我
D
= 50A
R
G
= 4.7
-
-
-
-
63
186
202
105
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏极至源极二极管的正向电流
最大脉冲漏极至源极二极管的正向电流
漏极至源极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
SD
= 100A
V
GS
= 0V时，我
SD
= 100A
dI
F
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
250
1.5
100
400
1.5
-
-
A
A
V
ns
nC
注意事项：
1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 1MH ，我
AS
= 100A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
100A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度典型特征
FDL100N50F版本A
2
www.fairchildsemi.com
FDL100N50F N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
300
100
I
D
，漏电流[ A]
V
GS
=
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
图2.传输特性
400
100
I
D
，漏电流[ A]
150 C
25 C
o
o
10
10
-55 C
*注意：
1. V
DS
= 20V
2. 250
s脉冲测试
o
1
0.5
0.1
*注意：
1. 250
s脉冲测试
2. T
C
= 25 C
o
1
V
DS
，漏源电压[V]
10
1
4
6
8
V
GS
，栅源电压[V]
10
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
0.07
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
300
R
DS （ ON）
[
]
,
漏源导通电阻
0.06
I
S
，反向漏电流[ A]
100
150 C
o
0.05
V
GS
= 10V
V
GS
= 20V
10
25 C
o
0.04
0.03
*注：t
C
= 25 C
o
*注意：
1. V
GS
= 0V
0
50
100
150
I
D
，漏电流[ A]
200
250
1
0.0
2. 250
s脉冲测试
0.5
1.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
1.5
图5.电容特性
30000
25000
C
OSS
西塞=的Cgs + Cgd的
(
CDS =短路
)
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
图6.栅极电荷特性
10
V
GS
，栅源电压[V]
V
DS
= 100V
V
DS
= 250V
V
DS
= 400V
8
电容[ pF的]
20000
15000
10000
C
RSS
C
国际空间站
*注意：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
6
4
5000
0
-1
10
2
*注：我
D
= 50A
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
30
0
0
50
100
150
200
Q
g
，总栅极电荷[ NC ]
250
FDL100N50F版本A
3
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FDL100N50F N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DSS
， [归]
漏源击穿电压
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
R
DS （ ON）
， [归]
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
*注意：
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 50A
1.1
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 1毫安
0.8
-100
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
-50
0
50
100
150
o
T
J
，结温
[
C
]
200
图9.最高安全工作区
1000
100
s
1ms
10ms
30
s
图10.最大漏极电流
与外壳温度
120
100
I
D
，漏电流[ A]
80
60
40
20
0
25
I
D
，漏电流[ A]
100
DC
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
*注意：
1
0.1
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
0.01
1
10
100
V
DS
，漏源电压[V]
1000
50
75
100
125
o
T
C
，外壳温度
[
C
]
150
图11.瞬态热响应曲线
0.1
热响应
[
Z
θ
JC
]
0.5
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
o
0.001
*注意：
1. Z
θ
JC
（ T） = 0.05 ℃/ W（最大值） 。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.0001
-5
10
10
-4
10
10
矩形脉冲持续时间（秒）
-3
-2
10
-1
1
FDL100N50F版本A
4
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FDL100N50F N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
电阻开关测试电路波形&
非钳位感应开关测试电路波形&
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操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    FDL100N50F
    -
    -
    -
    -
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电话：13410665908
联系人：王小姐
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FDL100N50F
ON
20+
2000
TO-264
原装正品
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
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FDL100N50F
Freescale(飞思卡尔)
22+
7523
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联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
FDL100N50F
ON(安森美)
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4680
TO-264-3
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联系人：朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
FDL100N50F
ON(安森美)
24+
7450
TO-264-3
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电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
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FDL100N50F
ON/安森美
22+
33000
NA
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电话：0755*83682918
联系人：林小姐
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FAIRCHILD/仙童
22+
16000
TO-264
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电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱
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23+
6500
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电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
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FDL100N50F
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24+
12000
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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