FDJ1027P
2004年11月
FDJ1027P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这双P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench工艺。
包装FLMP SC75时，R
DS （ ON）
与热
该装置的特性对电池功率的优化
管理应用程序。
特点
-2.8 A， -20 V R
DS （ ON）
= 160毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 230毫欧@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 390毫欧@ V
GS
= –1.8 V
低栅极电荷，高功率和电流处理
应用
电池管理/充电器的应用
负荷开关
能力
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
FLMP SC75封装：增强热
在业界标准的封装尺寸性能
底部漏接触
S2
S1
G1
4
5
3
2
1
底部漏接触
S1
S2
G2
6
MOSFET的最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
（注1A ）
评级
–20
±8
–2.8
–12
1.5
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
80
5
° C / W
包装标志和订购信息
.G
FDJ1027P
7’’
8mm
3000台
2004年仙童半导体公司
FDJ1027P冯C1 （ W）
FDJ1027P
电气特性
注意事项：
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
80 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜（单
操作）。
b)
安装时， 140℃ / W的
对2盎司最小焊盘
铜（单人操作） 。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDJ1027P冯C1 （ W）
FDJ1027P
2004年11月
FDJ1027P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这双P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench工艺。
包装FLMP SC75时，R
DS （ ON）
与热
该装置的特性对电池功率的优化
管理应用程序。
特点
-2.8 A， -20 V R
DS （ ON）
= 160毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 230毫欧@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 390毫欧@ V
GS
= –1.8 V
低栅极电荷，高功率和电流处理
应用
电池管理/充电器的应用
负荷开关
能力
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
FLMP SC75封装：增强热
在业界标准的封装尺寸性能
底部漏接触
S2
S1
G1
4
5
3
2
1
底部漏接触
S1
S2
G2
6
MOSFET的最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
（注1A ）
评级
–20
±8
–2.8
–12
1.5
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
80
5
° C / W
包装标志和订购信息
.G
FDJ1027P
7’’
8mm
3000台
2004年仙童半导体公司
FDJ1027P冯C1 （ W）
FDJ1027P
电气特性
注意事项：
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
80 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜（单
操作）。
b)
安装时， 140℃ / W的
对2盎司最小焊盘
铜（单人操作） 。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDJ1027P冯C1 （ W）
FDJ1027P P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
八月
2006
FDJ1027P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
特点
R
DS （ ON）
= 160 m
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 230 m
@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 390 m
@ V
GS
= –1.8 V
■
低栅极电荷，高功率和电流处理能力
■
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
■
FLMP SC75封装：增强热性能
业界标准的封装尺寸
■
-2.8 A， -20 V
概述
这双P沟道1.8V特定网络版MOSFET采用飞兆半导体的
先进的低电压的PowerTrench工艺。包装FLMP
SC75时，R
DS （ ON）
并且该装置的热性质是
用于电池电源管理应用进行了优化。
应用
■
电池管理/充电器的应用
■
负荷开关
S2
S1
G1
4
5
底部漏接触
3
2
1
S1
S2
G2
6
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
（注1A ）
参数
评级
–20
±
8
–2.8
–12
1.5
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
°
C
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
80
5
包装标志和订购信息
.G
FDJ1027P
7"
8mm
3000台
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FDJ1027P牧师C3
FDJ1027P P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
击穿电压温度
COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
门体漏
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25℃
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A，参考25
°
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.8 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –2.2 A
V
GS
= -1.8 V，I
D
= –1.7 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2.8 A，T
J
= 125
°
C
V
DS
= -5 V，I
D
= –2.8 A
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
–0.4
–0.8
3
108
163
283
150
5
160
230
390
238
–20
–13
–1
±100
V
毫伏/
°
C
A
nA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
–1.5
V
毫伏/
°
C
m
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Rg
正向跨导
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
F = 1.0 MHz的
290
55
29
13
pF
pF
pF
16
23
23
32
4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
TRR
QRR
注意事项：
1. R
θ
JA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θ
JC
由设计而
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
安装在当80℃ / W的
1in
2
2盎司纯铜垫（单
操作）。
二）安装在一个时140℃ / W的
2盎司纯铜最小焊盘
（单人操作） 。
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V，I
D
= –1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
8
13
13
18
V
DS
= -10 V，I
D
= –2.8 A,
V
GS
= –4.5 V
3
0.65
0.75
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压V
GS
= 0 V，I
S
= -1.25 A（注2 ）
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
I
F
= –2.8 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
–0.8
14
4
–1.25
–1.2
A
V
ns
nC
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
S，占空比< 2.0 ％
2
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FDJ1027P P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
典型特征
10
V
GS
=-4.5V
8
-2.5V
6
-3.5V
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
-3.0V
2.4
V
GS
=-1.8V
2.2
2
-2.0V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-I
D
，漏电流（ A）
4
-2.0V
-1.8V
2
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0
2
4
6
8
10
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.5
1.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.4
I
D
= -2.8A
V
GS
= -4.5V
I
D
= -1.4A
0.44
0.38
0.32
T
A
= 125°C
0.26
0.2
0.14
T
A
= 25°C
0.08
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T
J
，结温（ ° C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
5
T
A
= -55°C
25
°C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
V
GS
=0V
10
-I
D
，漏电流（ A）
4
125
°C
3
1
T
A
= 125°C
0.1
25°C
0.01
-55°C
0.001
0.0001
2
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
3
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FDJ1027P P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
典型特征
5
500
I
D
= -2.8A
4
V
DS
= -5V
-15V
3
-10V
400
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
300
-V
GS
，栅源电压（V ）
2
电容（pF）
200
C
OSS
100
C
RSS
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
Q
g
，栅极电荷（ NC）
0
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
100
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
10
图8.电容特性。
-I
D
，漏电流（ A）
10
100
s
R
DS （ ON）
极限
10ms
1s
DC
V
GS
= -4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 140
o
C / W
T
A
= 25
o
C
10s
1ms
100ms
8
单脉冲
R
θ
JA
= 140∞C / W
T
A
= 25°C
6
1
4
0.1
2
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
，漏源电压（V ）
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
D = 0.5
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 140
° C / W
0.2
P（ PK）
0.1
0.1
t
1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
4
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FDJ1027P P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
外形尺寸和焊盘布局
漏
1
PKG
C
L
3
(0.24)
(0.18)
0.30敏
排水1
终奌站
(0.73)
(0.50)
0.84
0.20
PKG
C
L
0.60
排水2
1
6
PKG
C
L
4
0.30
0.20
PKG
L
(0.46)
6
4
2.35 MIN
1.35
排水1
0.50 MIN
3
底部视图
0.50
1.70
1.50
PKG
C
L
6
4
排水2
终奌站
1.00
A
推荐的着陆格局
B
PKG
L
1.75
1.55
1
3
(0.20)
0.50
1.00
0.275
0.125
0.075 M A B
0.50
顶视图
1.00
PKG
C
L
0.80
0.65
座位
飞机
PKG
C
L
0.225
0.075
1.075
0.925
2.15
1.85
5
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QQ：2880707522 复制
