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FDG6332C

2003年9月

FDG6332C

20V & P沟道PowerTrench

MOSFET的

概述

N个& P沟道MOSFET采用生产

飞兆半导体的PowerTrench先进

已特别针对减少流程

通态电阻，但保持优异

开关性能。

这些设备被设计成提供

在一个非常小的足迹出色的功耗

对于应用中的更大更昂贵

TSSOP - 8和SSOP - 6包是不切实际的。

特点

Q1

0.7 A ， 20V 。

R

DS （ ON）

= 300毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 400毫欧@ V

GS

= 2.5 V

Q2

-0.6 A， -20V 。

R

DS （ ON）

= 420毫欧@ V

GS

= –4.5 V

R

DS （ ON）

= 630毫欧@ V

GS

= –2.5 V

低栅电荷

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

SC70-6封装：占地面积小（小于51 ％小

SSOT -6）;低调（ 1mm厚）

应用

DC / DC转换器

负荷开关

液晶显示器逆变器

S

G

D

D

销1

1

2

3

补充

6

5

4

G

S

SC70-6

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

J

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

Q1

20

±12

（注1 ）

Q2

–20

±12

–0.6

–2

0.3

-55到+150

单位

V

V

A

W

°C

0.7

2.1

功率消耗单操作

（注1 ）

工作和存储结温范围

热特性

R

θJA

热阻，结到环境

（注1 ）

415

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.32

设备

FDG6332C

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2003

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDG6332C版本C2 （ W）

FDG6332C

电气特性

符号

参数

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

I

D

= 250

A

V

GS

= 0 V,

V

GS

= 0 V,

I

D

= –250

A

I

D

= 250

μA ，参考文献。

至25℃

I

D

= –250

μA ，参考文献。

至25℃

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= –16 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±

12 V, V

DS

= 0 V

V

GS

=

±

12V , V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

A

V

DS

= V

GS

, I

D

= –250

A

I

D

= 250

μA ，参考文献。

至25℃

I

D

= –250

μA ，参考文献。

至25℃

V

GS

= 4.5 V，I

D

=0.7 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

=0.6 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

=0.7A,T

J

=125°C

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –0.6 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= –0.5 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= -0.6 A，T

J

=125°C

V

DS

= 5 V

V

DS

= –5 V

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.7 A

I

D

= –0.6A

V

DS

= 5 V

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

民

20

–20

典型值

最大单位

V

14

–14

1

–1

±100

±100

毫伏/°C的

A

nA

nA

I

GSSF

/I

GSSR

门体泄漏，正向

I

GSSF

/I

GSSR

门体泄漏，反向

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

（注2 ）

栅极阈值电压

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

0.6

-0.6

1.1

–1.2

–2.8

3

180

293

247

300

470

400

2.8

1.8

1.5

–1.5

V

毫伏/°C的

300

400

442

420

630

700

m

Q2

g

FS

I

D（上）

正向跨导

通态漏电流

Q1

Q2

Q1

Q2

S

A

1

–2

V

GS

= –4.5 V, V

DS

= –5 V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

Q1

Q2

Q1

Q2

反向传输电容

Q1

Q2

V

DS

=10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

V

DS

=–10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

V

DS

=10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

V

DS

=–10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

V

DS

=10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

V

DS

=–10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1.0MHz的

113

114

34

24

16

9

pF

pF

pF

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

（注2 ）

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

Q1

Q2

为

Q1:

V

DS

=10 V,

V

GS

= 4.5 V,

5

I

D

= 1 A

R

根

= 6

5.5

7

14

9

6

1.5

1.7

1.1

I

D

= 0.7 A

R

根

= 6

I

D

= –0.6 A

R

根

= 6

1.4

0.24

0.3

0.3

0.4

10

11

15

25

18

12

3

3.4

1.5

2

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

为

Q2:

V

DS

= -10 V，I

D

= –1 A

V

GS

= -4.5 V ，R

根

= 6

为

Q1:

V

DS

=10 V,

V

GS

= 4.5 V,

为

Q2:

V

DS

=–10 V,

V

GS

= –4.5 V,

FDG6332C版本C2 （ W）

FDG6332C

电气特性

符号

I

S

V

SD

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

Q1

Q2

（注2 ）

（注2 ）

民

典型值

最大单位

0.25

–0.25

A

V

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

Q1

Q2

V

GS

= 0 V，I

S

= 0.25 A

V

GS

= 0 V，I

S

= –0.25 A

0.74

–0.77

1.2

–1.2

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

θJA

=安装在FR-4的最小垫时415 °C / W

PCB在静止空气环境。

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDG6332C版本C2 （ W）

FDG6332C

典型特征： N沟道

4

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V

I

D

，漏电流（ A）

3.5V

3

2.5V

3.0V

1.8

1.6

V

GS

= 2.5V

1.4

3.0V

3.5V

4.0V

1

4.5V

2

1.2

2.0V

1

0

0

1

2

3

4

V

DS

，漏源电压（V ）

0.8

0

1

2

I

D

，漏电流（ A）

3

4

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.8

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

I

D

=0.7A

V

GS

= 4.5V

1.4

I

D

=0.4A

0.6

1.2

T

A

= 125

o

C

0.4

1

T

A

= 25

o

C

0.2

0.8

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

o

0

125

150

1

2

3

4

5

T

J

，结温（ C）

V

GS

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化与

温度。

2.5

T

A

= -55

o

C

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

10

I

S

，反向漏电流（ A）

V

GS

= 0V

V

DS

= 5V

I

D

，漏电流（ A）

2

25

o

C

125

o

C

1

T

A

= 125

o

C

25

o

C

-55 C

o

1.5

0.1

1

0.01

0.5

0.001

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

GS

，门源电压（ V）

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDG6332C版本C2 （ W）

FDG6332C

典型特征： N沟道

5

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 0.7A

4

电容（pF）

15V

3

V

DS

= 5V

10V

200

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

150

C

国际空间站

100

2

C

OSS

50

1

C

RSS

0

0

0.4

0.8

Q

g

，栅极电荷（ NC）

1.2

1.6

0

0

5

10

15

20

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

10

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

10

图8.电容特性。

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

极限

100s

1ms

10ms

100ms

1s

8

单脉冲

R

θJA

= 415 ° C / W

T

A

= 25°C

1

6

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

R

θJA

= 415

o

C / W

T

A

= 25

o

C

DC

4

2

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

，漏源电压（V ）

0

0.001

0.01

0.1

1

10

100

t

1

，时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

FDG6332C版本C2 （ W）

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