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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第23页 > FDG6318PZ
FDG6318PZ
2003年1月
FDG6318PZ
双P沟道FET的数字
概述
这些双P沟道逻辑电平增强模式
MOSFET使用飞兆半导体的出品
特别是针对减少通态电阻。这
设备已被设计特别适用于双极型数字
晶体管和小信号MOSFET
特点
-0.5A ， -20V 。
r
DS （ ON）
= 780m
（最大值） @
V
GS
= -4.5 V
r
DS （ ON）
= 1200m
（最大）
@ V
GS
= -2.5 V
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3V电路操作（V
GS （ TH）
< 1.5V ） 。
门源齐纳二极管的ESD耐用性（ >1.4kV人
人体模型） 。
紧凑的工业标准SC- 70-6表面贴装
封装。
应用
电池管理
S
G
D
D
G
销1
S
1或4的
6或3
D
5或2
G
4或1
S
G
2或5
S
D
3或6
SC70-6
符号
V
DSS
V
GS
引脚排列是对称的; 1脚和4脚是可以互换的。
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= - 4.5V)
连续（T
C
= 100℃ ，V
GS
= - 2.5V)
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500Ω
)
o
评级
-20
±12
-0.5
-0.3
图4
0.3
2.4
-55到150
1.4
单位
V
V
A
A
W
毫瓦/
o
C
o
C
kV
热特性
R
θJA
热阻结到环境（注1 ）
415
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.68
设备
FDG6318PZ
包
SC70-6
带尺寸
7”
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
=
16V , V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V
, V
GS
= 0V
-20
-
-
-
-
-
-
-3
±10
V
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -0.5A ，V
GS
= -4.5V
I
D
= -0.4A ，V
GS
= -2.5V
-0.65
-
-
-0.9
580
910
-1.5
780
1200
V
m
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
g(-2.5)
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷为-4.5V
总栅极电荷为-2.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至-4.5V
V
GS
= 0V至-2.5V
V
DD
= -10V
I
D
= -0.5A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
85.4
24.9
8.83
1.08
0.67
0.21
0.33
-
-
-
1.62
1.0
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
开关特性
(V
GS
= -4.5V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= -10V ，我
D
= -0.5A
V
GS
= -4.5V ，R
GS
= 120
-
-
-
-
-
-
-
10
13
40
24
-
35
-
-
-
-
96
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
该中心漏极焊盘。
θJC
由设计而
= CA
通过用户板的设计决定的。
θJA
= 415
o
安装在一个1英寸时， C / W的
2
铜垫。
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= -0.5A
I
SD
= -0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= -0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-0.9
-
-
-1.2
22
16
V
ns
nC
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
典型特征
1.2
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.6
功耗乘法器
1.0
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -4.5V
0.4
0.8
0.6
V
GS
= -2.5V
0.2
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJA
归一化
0.1
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子： D = T1 / T2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
20
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150 - T
A
125
10
-I
DM
峰值电流（ A）
跨
可能限流
在这个区域
1
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
0.4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
典型特征
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
10
3
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -10V
2
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
100s
1
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
10ms
1
T
J
= -55
o
C
0.05
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
0
1
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
图5.正向偏置安全工作区
3
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
-I
D
，漏电流（ A）
T
A
= 25
o
C
2
V
GS
= -4.5V
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
0.9
1.0
图6.传热特性
I
D
= -0.5A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0.8
V
GS
= -2.5V
1
V
GS
= -2V
0.7
I
D
= -0.1A
0.6
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0.5
2
3
4
5
6
-V
GS
，门源电压（ V）
图7.饱和特性
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
1.50
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
归一化门
阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.25
1.0
1.00
0.8
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.5A
0.75
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
典型特征
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.10
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
100
C，电容（pF ）
1.05
C
OSS
C
DS
+ C
GD
200
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
1.00
10
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
0.95
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
5
0.1
1
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
20
图11.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
-V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= -10V
8
图12.电容VS漏极至源极
电压
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= -0.5A
I
D
= -0.1A
0
0.5
1.0
QG ，栅极电荷（ NC）
1.5
2.0
2
0
图13.栅极电荷波形恒定电流门
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
2003年1月
FDG6318PZ
双P沟道FET的数字
概述
这些双P沟道逻辑电平增强模式
MOSFET使用飞兆半导体的出品
特别是针对减少通态电阻。这
设备已被设计特别适用于双极型数字
晶体管和小信号MOSFET
特点
-0.5A ， -20V 。
r
DS （ ON）
= 780m
（最大值） @
V
GS
= -4.5 V
r
DS （ ON）
= 1200m
（最大）
@ V
GS
= -2.5 V
非常低的水平栅极驱动要求可直接
在3V电路操作（V
GS （ TH）
< 1.5V ） 。
门源齐纳二极管的ESD耐用性（ >1.4kV人
人体模型） 。
紧凑的工业标准SC- 70-6表面贴装
封装。
应用
电池管理
S
G
D
D
G
销1
S
1或4的
6或3
D
5或2
G
4或1
S
G
2或5
S
D
3或6
SC70-6
符号
V
DSS
V
GS
引脚排列是对称的; 1脚和4脚是可以互换的。
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
I
D
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= - 4.5V)
连续（T
C
= 100℃ ，V
GS
= - 2.5V)
脉冲
P
D
T
J
, T
英镑
ESD
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500Ω
)
o
评级
-20
±12
-0.5
-0.3
图4
0.3
2.4
-55到150
1.4
单位
V
V
A
A
W
毫瓦/
o
C
o
C
kV
热特性
R
θJA
热阻结到环境（注1 ）
415
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.68
设备
FDG6318PZ
包
SC70-6
带尺寸
7”
胶带宽度
8 mm
QUANTITY
3000
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
=
16V , V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V
, V
GS
= 0V
-20
-
-
-
-
-
-
-3
±10
V
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= -0.5A ，V
GS
= -4.5V
I
D
= -0.4A ，V
GS
= -2.5V
-0.65
-
-
-0.9
580
910
-1.5
780
1200
V
m
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
g(-2.5)
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷为-4.5V
总栅极电荷为-2.5V
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V至-4.5V
V
GS
= 0V至-2.5V
V
DD
= -10V
I
D
= -0.5A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
85.4
24.9
8.83
1.08
0.67
0.21
0.33
-
-
-
1.62
1.0
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
开关特性
(V
GS
= -4.5V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= -10V ，我
D
= -0.5A
V
GS
= -4.5V ，R
GS
= 120
-
-
-
-
-
-
-
10
13
40
24
-
35
-
-
-
-
96
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
该中心漏极焊盘。
θJC
由设计而
= CA
通过用户板的设计决定的。
θJA
= 415
o
安装在一个1英寸时， C / W的
2
铜垫。
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= -0.5A
I
SD
= -0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= -0.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-0.9
-
-
-1.2
22
16
V
ns
nC
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
典型特征
1.2
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.6
功耗乘法器
1.0
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -4.5V
0.4
0.8
0.6
V
GS
= -2.5V
0.2
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
o
C)
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJA
归一化
0.1
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子： D = T1 / T2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图3.归一化最大瞬态热阻抗
20
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150 - T
A
125
10
-I
DM
峰值电流（ A）
跨
可能限流
在这个区域
1
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
0.4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T，脉冲宽度（ S）
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
2003仙童半导体公司
FDG6318PZ版本B
FDG6318PZ
典型特征
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
10
3
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= -10V
2
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
100s
1
1ms
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
10ms
1
T
J
= -55
o
C
0.05
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
0
0
1
2
3
4
-V
GS
，门源电压（ V）
图5.正向偏置安全工作区
3
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
-I
D
，漏电流（ A）
T
A
= 25
o
C
2
V
GS
= -4.5V
r
DS （ ON）
，漏极到源极
导通电阻（ Ω ）
0.9
1.0
图6.传热特性
I
D
= -0.5A
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0.8
V
GS
= -2.5V
1
V
GS
= -2V
0.7
I
D
= -0.1A
0.6
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V
DS
，漏源极电压（ V）
0.5
2
3
4
5
6
-V
GS
，门源电压（ V）
图7.饱和特性
图8.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
1.2
1.50
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
归一化门
阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.25
1.0
1.00
0.8
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.5A
0.75
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
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FDG6318PZ
典型特征
（续）T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.10
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
100
C，电容（pF ）
1.05
C
OSS
C
DS
+ C
GD
200
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
1.00
10
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
0.95
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
5
0.1
1
-V
DS
，漏源极电压（ V）
10
20
图11.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
-V
GS
，门源电压（ V）
V
DD
= -10V
8
图12.电容VS漏极至源极
电压
6
4
任意波形
降序排列：
I
D
= -0.5A
I
D
= -0.1A
0
0.5
1.0
QG ，栅极电荷（ NC）
1.5
2.0
2
0
图13.栅极电荷波形恒定电流门
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