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FDG6308P

2000年10月

初步

FDG6308P

P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道1.8V指定用途MOSFET

飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench工艺。

它已被优化的电池电源管理

应用程序。

特点

-0.6 A， -20 V.

DS （ ON）

= 0.40

@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 0.55

@ V

= –2.5 V

DS （ ON）

= 0.80

@ V

= –1.8 V

应用

电池管理

负荷开关

低栅电荷

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

紧凑的工业标准SC70-6表面贴装

包

销1

1或4的

6或3

5或2

4或1

2或5

3或6

SC70-6

引脚排列是对称的; 1脚和4脚是可以互换的。

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

–20

（注1 ）

单位

°C

–0.6

–1.8

0.3

-55到+150

功率消耗单操作

（注1 ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

热阻，结到环境

（注1 ）

415

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.08

设备

FDG6308P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2000

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDG6308P版本B （ W）

FDG6308P

电气特性

符号

DSS

ΔBV

DSS

===T

DSS

GSSF

GSSR

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

民

–20

典型值

最大单位

开关特性

漏源击穿

= –250

= 0 V,

电压

击穿电压温度我

= –250

参考25 ℃下

系数

零栅压漏电流V

= –16 V, V

= 0 V

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

（注2 ）

–15

–1

–100

100

毫伏/°C的

= –8 V,

= 8 V,

= 0 V

= –250

基本特征

GS （ TH）

===T

DS （ ON）

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

= V

–0.4

–0.9

0.27

0.36

0.55

0.35

–1.5

毫伏/°C的

= –250

参考25 ℃下

= –4.5 V,

= –2.5 V,

= –1.8 V,

= –4.5 V,

= –5 V,

= –0.6 A

= –0.5 A

= –0.4 A

= -0.6 A，T

=125°C

= –5 V

= –0.6 A

0.40

0.55

0.80

0.56

D（上）

通态漏电流

正向跨导

–2

2.1

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注2 ）

= –10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

153

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V，I

= 1 A,

= -4.5 V ，R

根

= 6

1.6

3.2

2.5

= -10 V，I

= –0.6 A,

= –4.5 V

1.8

0.3

0.4

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

电压

= 0 V,

= –0.25 A

（注2 ）

–0.77

–0.25

–1.2

注意事项：

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

θJA

=安装在最小焊盘时， 415 ° C / W 。

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDG6308P版本B （ W）

FDG6308P

典型特征

-3.0V

-2.5V

-2.0V

1.2

-1.8V

0.8

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= -4.5V

-3.5V

-I

，漏电流（ A）

1.6

2.5

2.25

1.75

1.5

-2.5V

1.25

0.75

0.5

1.5

2.5

0.5

-I

，漏电流（ A）

1.5

-3.0V

-3.5V

-4.5V

-2.0V

= -1.8V

0.4

-V

，漏源电压（V ）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

1.2

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

1.5

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

-50

-25

100

= -0.6A

= -4.5V

= -0.3 A

0.8

0.6

= 125

0.4

= 25

0.2

1.5

2.5

3.5

4.5

-V

，门源电压（ V）

125

150

，结温（ C）

图3.导通电阻变化与

温度。

= -55

125

25 C

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

-I

，反向漏电流（ A）

= -5V

-I

，漏电流（ A）

1.5

= 0V

= 125

0.01

-55

0.001

0.1

0.5

1.5

2.5

-V

，门源电压（ V）

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

-V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDG6308P版本B （ W）

FDG6308P

典型特征

-V

，栅源电压（V ）

= -0.6A

-15V

= -5V

-10V

电容（pF）

200

国际空间站

160

F = 1MHz的

= 0 V

120

OSS

RSS

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

1.8

2.1

，栅极电荷（ NC）

-V

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性。

100s

DS （ ON）

极限

10ms

100ms

0.1

= -4.5V

单脉冲

θJA

= 415

C / W

= 25

0.01

0.1

100

-V

，漏源电压（V ）

1ms

功率（W）的

图8.电容特性。

单脉冲

θJA

= 415

C / W

= 25

-I

，漏电流（ A）

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

单脉冲时间（秒）

图9.最高安全工作区。

图10.单脉冲最大

功耗。

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

0.2

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 415 ° C / W

P（ PK）

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，时间（秒）

100

图11.瞬态热响应曲线。

热特性进行使用注意事项1所述的条件。

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDG6308P版本B （ W）

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DOME

CMOS

EnSigna

FACT

FACT静音系列

快

放弃

FASTr

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

MICROWIRE

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

POP

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

UHC

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT

注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD

不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的

或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利

权利，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或

2.关键部件是在生命的任何组件

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

牧师F1