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FDFS2P106A
2001年6月
FDFS2P106A
集成的60V P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
概述
该
FDFS2P106A
联合收割机
该
优秀
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET的性能
技术具有非常低的正向电压降
肖特基势垒整流器采用SO - 8封装。
这个装置被作为一个单一的包，专门设计的
溶液为DC至DC转换器。它的特点是速度快
开关，低栅极电荷MOSFET具有极低的导通
态电阻。
在独立连接
肖特基二极管允许其在各种直流/直流用
转换器拓扑。
特点
-3.0 A， -60V
DS （ ON）
= 110毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 140毫欧@ V
GS
= –4.5 V
V
F
< 0.45 V @ 1 （T
J
= 125°C)
V
F
< 0.53 V @ 1
V
F
< 0.62 V @ 2将
肖特基和MOSFET整合到单一的
功率表面贴装的SO -8封装
电气独立的肖特基和MOSFET
引脚排列设计灵活性
D
D
C
C
A
1
A
2
S
3
G
S
A
8
C
7
C
6
D
5
D
SO-8
销1
G
4
A
T
A
=25
o
C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
MOSFET漏源电压
MOSFET的栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
–
60
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
–
3
–
10
2
1.6
1
0.9
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
V
RRM
I
O
工作和存储结温范围
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
（注1A ）
–
55 150
45
1
°C
V
A
包装标志和订购信息
器件标识
FDFS2P106A
设备
FDFS2P106A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDFS2P106A版本B （ W）
FDFS2P106A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250
A
民
–60
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –48 V,
V
GS
= 20V,
V
GS
= –20 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= –250
A
–60
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
–1
–1.6
4
91
112
150
–3
V
毫伏/°C的
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= -10 V，I
D
= –3A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –2.7 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -3 A ，T
J
=125°C
V
GS
= –10 V, V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –3.3 A
110
140
192
m
I
D（上）
g
FS
–10
8
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –30 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
714
84
33
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –30 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
8
11
28
8.5
15
19
45
17
21
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –30V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –3A,
15
2
3
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
（注2 ）
–1.3
–0.8
–1.2
A
V
FDFS2P106A版本B （ W）
FDFS2P106A
电气特性
（续）
符号
I
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向漏
正向电压
测试条件
V
R
= 45 V
I
F
= 1 A
I
F
= 2 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
民
典型值
2.8
2.2
0.44
0.34
0.49
0.42
最大单位
80
80
0.53
0.45
0.62
0.57
A
mA
V
肖特基二极管特性
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
0.5in
2
2垫
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
在0.02
2
垫
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDFS2P106A版本B （ W）
FDFS2P106A
典型特征
10
2.2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -10V
-4.5V
-3.5V
-6.0V
-I
D
，漏源电流（A ）
2
V
GS
= -3.0V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-6.0V
-10V
8
-3.0V
6
4
2
-2.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源电压（V ）
0
2
4
6
8
10
- I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.29
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
2
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
I
D
= -3A
V
GS
= -10V
0.24
I
D
= -1.5A
A
T
A
= 125
o
C
0.19
0.14
T
A
= 25
o
C
0.09
0.04
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ C）
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
10
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
T
A
= -55 C
25
o
C
125
o
C
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
8
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
6
25
o
C
0.1
4
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
2
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDFS2P106A版本B （ W）
FDFS2P106A
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
1000
I
D
= -3A
8
V
DS
= -20V
-30V
电容（pF）
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
-40V
6
4
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
0
3
6
9
Q
g
，栅极电荷（ NC）
12
15
0
5
10
15
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
10
I
F
，正向漏电流（ A）
图8.电容特性。
1.00E-01
1.00E-02
1.00E-03
1.00E-04
1.00E-05
1.00E-06
1.00E-07
1.00E-08
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 125
o
C
1
0.1
T
J
= 25 C
o
0.01
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
，正向电压（ V）
I
R
，反向漏电流（ A）
0
10
20
30
40
50
60
V
R
，反向电压（V）的
图9.肖特基二极管的正向电压。
图10.肖特基二极管的反向电流。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 135 ° C / W
P（ PK）
0.2
0.1
0.1
t
1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDFS2P106A版本B （ W）
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