FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2005年8月
FDFM2P110
集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
概述
FDFM2P110结合的卓越性能
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术具有非常
低正向压降肖特基势垒整流器在
的MicroFET封装。
这个装置被作为一个单一的包，专门设计的
解决方案的降压升压。它的特点是快速切换，低
栅极电荷的MOSFET具有非常低的导通电阻。
应用
降压 - 升压型
特点
-3.5 A， -20 V R
DS （ ON）
= 140mΩ @ V
GS
= -4.5 V
R
DS （ ON）
=在200mΩ @ V
GS
= -2.5 V
薄型 - 0.8毫米最高可 - 新包
的MicroFET 3×3毫米
销1
A
S
G
A
1
2
3
6
5
4
A
S
D
C / D
S
G
A
顶部
MLP 3x3的
S
D
底部
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
V
RRM
I
O
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
-20
±12
-3.5
-10
20
2
2
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
V
A
W
o
C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
60
145
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2P110
设备
FDFM2P110
带尺寸
7inch
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
FDFM2P110修订版C 4 （W）的
2005仙童半导体公司
FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
-20
-
-
-
-
-11
-
-
-
-
-1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
I
D
= -250A,
参考25 ℃下
I
D
= -3.5A ，V
GS
= -4.5V
I
D
= -3.0A ，V
GS
= -2.5V
I
D
= -3.5A ，V
GS
= -4.5V,
T
J
= 125°C
V
GS
= -2.5V, V
DS
= -5V
I
D
= -3.5A ，V
DS
= -5V
-0.6
-
-
-
-
-10
-
-1.0
3
101
145
136
-
6
-1.5
-
140
200
202
-
-
A
S
m
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
-
-
-
-
280
65
35
7
-
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.5A,
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -10V ，我
D
= -1A
V
GS
= -4.5V ，R
根
= 16
-
-
-
-
-
-
-
8
12
11
3.2
3
0.7
1
16
22
20
6.4
4
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= -2 A
（注2 ）
-
-
-
-
-
-0.9
13
3
-2
-1.2
-
-
A
V
ns
nC
I
F
= -3.5A ，二
F
/dt=100A/s
肖特基二极管特性
V
R
I
R
V
F
反向电压
反向漏
正向电压
I
R
= 1毫安
V
R
= 5V
I
F
= 1A
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
20
-
-
-
-
0.32
-
100
10
0.39
V
A
mA
V
2
FDFM2P110修订版C 4 （W）的
FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
注意事项：
1.
R
θJA
是的结点至外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用总和
定义为漏极引脚的焊锡的安装表面。
= CA
由设计而
= CA
通过确定
用户的电路板设计。
a) 60
o
安装时C / W
一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
b) 145
o
C / W磨片装
2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
3
FDFM2P110修订版C 4 （W）的
FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
典型特征
10
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V
2.4
-3.5V
-3.0V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
-3.0V
-3.5V
V
GS
= -2.5V
-I
D
，漏电流（ A）
8
6
-2.5V
4
-2.0V
2
-4.0V
-4.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏源电压（V ）
0
2
4
6
8
10
-I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.44
I
D
= -3.5A
V
GS
= -4.5V
1.4
0.4
0.36
0.32
0.28
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
T
A
= 25
o
C
T
A
= 125
o
C
I
D
= -1.8A
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T
J
，结温（
o
C)
-V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
8
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= -5V
T
A
= -55
o
C
25
o
C
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55 C
o
-I
D
，漏电流（ A）
6
125 C
4
o
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
GS
，门源电压（ V）
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
4
FDFM2P110修订版C 4 （W）的
FDFM2P110集成的P沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
典型特征
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -3.5A
4
-15V
3
电容（pF）
500
V
DS
= -5V
-10V
400
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
300
2
200
C
OSS
1
100
C
RSS
0
0
1
2
Q
g
，栅极电荷（ NC）
3
4
0
0
4
8
12
16
20
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容特性
I
F
，正向漏电流（ A）
I
R
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 125
o
C
1
T
J
= 25
o
C
0.1
0.1
T
J
= 125 C
0.01
o
0.001
T
J
= 100 C
o
0.0001
o
0.01
0.00001
T
J
= 25 C
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
，正向电压（ V）
0.000001
0
5
10
15
20
V
R
，反向电压（V）的
图9.肖特基二极管的正向电压
图10.肖特基二极管反向电流
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
图11.瞬态热响应曲线
5
FDFM2P110修订版C 4 （W）的
QQ：2881677436 复制
