FDFM2N111集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
2005年8月
FDFM2N111
集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
概述
FDFM2N111结合的卓越性能
飞兆半导体的PowerTrench MOSFET技术具有非常
低正向压降肖特基势垒整流器在
的MicroFET封装。
这个装置被作为一个单一的包，专门设计的
解决方案的标准降压转换器。它的特点是速度快
开关，低栅极电荷MOSFET具有极低的导通状态
性。
应用
标准降压转换器
特点
4 A， 20 V
R
DS （ ON）
- 为100mΩ @ V
GS
= 4.5 V
R
DS （ ON）
= 150mΩ @ V
GS
= 2.5 V
薄型 - 0.8毫米最高可 - 新包
的MicroFET 3×3毫米
销1
A
S / C
G
A
1
2
3
6
5
4
A
S / C
D
C
D
S / C
G
A
顶部
MLP 3x3的
S / C
D
底部
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
V
RRM
I
O
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
肖特基重复峰值反向电压
肖特基平均正向电流
功率耗散（稳态）
功率耗散（稳态）
工作和存储结温范围
（注1A ）
（注1A ）
（注1B ）
（注1A ）
参数
评级
20
±12
4
10
20
2
1.7
0.8
-55到+150
单位
V
V
A
V
A
W
o
C
热特性
R
θJA
R
θJA
热阻，结到环境
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
70
150
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
2N111
设备
FDFM2N111
带尺寸
7inch
1
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
FDFM2N111修订版C 2 （W）的
2005仙童半导体公司
FDFM2N111集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
V
GS
= 0V, V
DS
= 16V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
20
-
-
-
-
12
-
-
-
-
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
（注2 ）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
I
D
= 250A,
参考25 ℃下
I
D
= 4.0A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 3.3A ，V
GS
= 2.5V
I
D
= 4.0A ，V
GS
= 4.5V,
T
J
= 125°C
V
GS
= 2.5V, V
DS
= 5V
I
D
= 4A ，V
DS
= 5V
0.6
-
-
-
-
10
-
1.0
-3
54
83
74
-
9.7
1.5
-
100
150
147
-
-
A
S
m
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0V ， F = 1MHz时，
-
-
-
-
273
63
37
1.6
-
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.0A,
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
-
-
-
-
-
-
-
6
7
11
1.7
2.7
0.6
0.9
12
14
20
3.4
3.8
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.4 （注2 ）
I
F
= 4.0A ，二
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
0.8
11
3
1.4
-1.2
-
-
A
V
ns
nC
肖特基二极管特性
V
R
I
R
V
F
反向电压
反向漏
正向电压
I
R
= 1毫安
V
R
= 5V
I
F
= 1A
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
20
-
-
-
-
0.32
-
100
10
0.39
V
A
mA
V
2
FDFM2N111修订版C 2 （W）的
FDFM2N111集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
注意事项：
1.
R
θJA
是的结点至外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用总和
定义为漏极引脚的焊锡的安装表面。
= CA
由设计而
= CA
通过确定
用户的电路板设计。
a) 70
o
安装时C / W
一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
b) 150
o
C / W磨片装
2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％
3
FDFM2N111修订版C 2 （W）的
FDFM2N111集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
典型特征
10
I
D
，漏电流（ A）
8
3.5V
2.5V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V
2
3.0V
1.8
V
GS
= 2.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
6
4
2.0V
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
，漏源电压（V ）
0
2
4
6
8
10
I
D
，漏电流（ A）
图1 。
在区域特征
图2中。
导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
0.2
I
D
= 4A
V
GS
= 4.5V
1.4
I
D
= 2A
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
T
A
= 25
o
C
1.2
T
A
= 125
o
C
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T
J
，结温（
o
C)
V
GS
，门源电压（ V）
网络连接gure 3 。
导通电阻变化与
温度
图4中。
导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
10
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
6
100
-I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
I
D
，漏电流（ A）
8
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
4
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6 。
体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
4
FDFM2N111修订版C 2 （W）的
FDFM2N111集成的N沟道PowerTrench
MOSFET和肖特基二极管
典型特征
6
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 4A
5
4
3
2
1
0
0
1
2
Q
g
，栅极电荷（ NC）
3
4
V
DS
= 5V
15V
电容（pF）
400
10V
350
300
250
200
150
100
50
0
0
4
8
12
16
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
网络连接gure 8 。
电容特性
I
F
，正向漏电流（ A）
I
R
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 125 C
o
0.1
T
J
= 125 C
0.01
o
1
T
J
= 25 C
0.1
o
0.001
T
J
= 100 C
o
0.0001
o
0.01
0.00001
T
J
= 25 C
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
F
，正向电压（ V）
0.000001
0
5
10
15
20
V
R
，反向电压（V）的
图9 。
肖特基二极管的正向电压
网络连接gure 10 。
肖特基二极管反向电流
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
图11.瞬态热响应曲线
5
FDFM2N111启示录
C2(W)
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