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FDFC3N108

2005年4月

FDFC3N108

N沟道1.8V指定的PowerTrench

MOSFET与肖特基二极管

概述

这N沟道1.8V指定用途MOSFET

飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench工艺。

它结合了低正向压降肖特基即

从MOSFET分离，从而提供一个紧凑的功率

用于电池电源管理和DC / DC溶液

转换器应用。

特点

3 A， 20 V

R

DS （ ON）

= 70毫欧@ V

GS

= 4.5 V

R

DS （ ON）

= 95毫欧@ V

GS

= 2.5 V

低栅电荷

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

电池管理/充电器的应用

直流/直流转换

D2

S1

D1

1

G2

S2

G1

6

5

4

2

3

SuperSOT

销1

TM

-6

SuperSOT-6

MOSFET的最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

T

A

= 25°C除非另有说明

o

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1A ）

评级

20

±12

3

12

0.96

0.90

0.70

单位

V

V

A

W

T

J

, T

英镑

工作和存储结温范围

–

55 150

20

2.0

°C

肖特基二极管的最大额定值

V

RRM

I

O

反向重复峰值电压

平均正向电流

V

A

热特性

R

θJA

R

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

130

60

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.108

2005

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDFC3N108

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FDFC3N108冯C1 （ W）

FDFC3N108

电气特性

符号

参数

漏源击穿

电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏

（注2 ）

T

A

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

V

GS

= 0 V,

I

D

= 250

A

最小值典型值

20

12

最大

单位

V

毫伏/°C的

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

T

J

I

DSS

I

GSS

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

DS

= 16 V,

V

GS

=

±12

V,

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

1

±100

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

T

J

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

栅极阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏源

导通电阻

通态漏电流

V

DS

= V

GS

,

I

D

= 250

A

I

D

= 250

A,

参考25 ℃下

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 2.5 V,

V

GS

= 4.5 V,

V

GS

= 4.5 V,

V

DS

= 5 V,

I

D

= 3 A

I

D

= 2.5 A

I

D

= 3 A，T

J

=125°C

V

DS

= 5 V

I

D

= 3 A

0.5

0.9

1.5

–

3

56

73

78

12

10

70

95

106

V

毫伏/°C的

m

I

D（上）

g

FS

A

S

正向跨导

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

（注2 ）

V

DS

= 10 V,

F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V,

355

85

45

2.0

pF

pF

pF

V

GS

= 15 mV时， F = 1.0 MHz的

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DD

= 10 V,

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 1 A,

R

根

= 6

6

7

20

1

12

14

36

2

4.9

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= 10V,

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 3 A,

3.5

0.7

1.0

漏源二极管的特性和最大额定值

I

S

V

SD

t

rr

Q

rr

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管正向

V

GS

= 0 V,

I

S

= 0.8 A

（注2 ）

电压

二极管的反向恢复时间

I

F

= 3 A,

d

iF

/d

t

= 100 A / μs的

二极管的反向恢复电荷

T

J

= 25

o

C

T

J

= 100

o

C

363

449

0.8

1.2

12

3

A

V

nS

nC

A

mA

mV

肖特基二极管特性

I

R

V

F

反向漏

正向电压

V

R

= 20V

I

F

= 1A

I

F

= 2A

250

10

425

550

FDFC3N108冯C1 （ W）

FDFC3N108

电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

注意事项：

1.

R

θJA

是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面

漏极引脚。

θJC

由设计而

= CA

是通过用户的电路板的设计来确定。

a) 130

° C / W

当

安装在0.125

in

2

垫的2盎司

铜。

B） 140 ° C / W时，

2

安装在一个0.004

2盎司纯铜垫

三） 180 C° / W安装在当

最小焊盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％

FDFC3N108冯C1 （ W）

FDFC3N108

典型特征

6

1.8

V

GS

= 4.5V

2.5V

3.0V

2.0V

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.6

V

GS

= 2.0V

I

D

，漏源电流（A ）

5

3.5V

4

1.4

2.5V

1.2

3.0V

3.5V

1

4.0

V

4.5

V

3

2

1

1.5V

0

0

0.5

1

V

DS

，漏源电压（V ）

1.5

0.8

0

1

2

3

4

I

D

，漏电流（ A）

5

6

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

0.18

1.6

R

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

I

D

= 3.0A

V

GS

= 4.5V

I

D

= 1.5A

0.155

1.4

0.13

1.2

0.105

T

A

= 125 C

o

1

0.08

0.8

0.055

T

A

= 25

o

C

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100

T

J

，结温（

o

C)

125

150

0.03

0

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

图3.导通电阻变化与

温度。

12

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

100

V

DS

= 5V

10

I

D

，漏电流（ A）

T

A

= -55

o

C

125 C

o

V

GS

= 0V

I

S

，反向漏电流（ A）

10

8

25 C

6

o

1

T

A

= 125 C

25

o

C

-55

o

C

o

0.1

4

0.01

2

0.001

0

0.5

1

1.5

2

2.5

V

GS

，门源电压（ V）

3

0.0001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

1.4

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压的变化

与源电流和温度。

FDFC3N108冯C1 （ W）

FDFC3N108

典型特征

5

500

I

D

= 3.0A

V

GS

，栅源电压（V ）

4

V

DS

= -5V

-15V

电容（pF）

400

F = 1MHz的

V

GS

= 0 V

3

-10V

300

C

国际空间站

2

200

C

OSS

100

1

C

RSS

0

0

1

2

3

Q

g

，栅极电荷（ NC）

4

5

0

0

5

10

15

V

DS

，漏源极电压（ V）

20

图7.栅极电荷特性。

100

R

DS （ ON）

极限

10

I

D

，漏电流（ A）

1ms

1

DC

0.1

V

GS

= 4.5V

单脉冲

o

R

θJA

= 180℃ / W

T

A

= 25

o

C

功率（W）的

10ms

100ms

1s

30

100s

40

50

图8.电容特性。

单脉冲

R

θJA

=180

o

C / W

T

A

= 25

o

C

20

0.01

10

0.001

0.1

1

10

V

DS

，漏源电压（V ）

100

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

单脉冲时间（秒）

10

100

图9.肖特基二极管的正向电压。

1

D = 0.5

0.2

图10.肖特基二极管的反向电流。

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

R

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

R

θJA

= 180℃ / W

P（ PK）

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

1

/ t

2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，时间（秒）

1

10

100

1000

图11.瞬态热响应曲线。

使用注意事项1b中描述的条件热特性进行

瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。

FDFC3N108冯C1 （ W）

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