新产品，技巧和工具的电源和移动应用
基准
VOL 。 3 ， 2012
优势
更高的抗干扰性：
负电压摆幅（ VS）的
down to –9.8V at 15V
BS
电流驱动能力
of 4.5A/4.5A sourcing/sinking
符合AEC -Q100
Automotive Class 1
更大的抗噪性，更省电
功耗为汽车应用
该FAN7171 （大电流，高侧栅极驱动器IC）和FAN7190 （大电流，
高，低侧栅极驱动器IC）提供更高的效率，更高的驱动电流
和更大的抗噪声能力。这些装置用于电动和混合优化
电的DC-DC电源转换，高电压助剂，柴油和汽油
燃油喷射系统，以及其他高功率MOSFET和IGBT驱动器应用。该
FAN7171能够驱动高速，高边MOSFET和IGBT的工作
到+ 600V ，而FAN7190可以独立地驱动高侧和低侧
MOSFET和IGBT也高达+ 600V的操作。这两款器件是高度
集成并提供增加的功能性，从而减少了部件
算，材料成本和电路板空间的法案。
应用
车身电子
动力总成
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FA/FAN7171_F085.html
fairchildsemi.com/pf/FA/FAN7190_F085.html
大电流，高电压栅极驱动器：
FAN7171 ，高侧和FAN7190的高&低端
产品
数
FAN7171_F085
FAN7190_F085
漂浮的
OFFSET
电压
（最大值） （V）的
600
600
充值
供应
电压
（分钟）
(V)
10
10
供应
电压
（最大）
(V)
20
22
t
ON
/
t
关闭
典型值
（纳秒）
150/
150
140/
140
t
r
/t
f
典型值
（纳秒）
25/
15
25/
20
脉冲
产量
当前
（MA ）
4000/
4000
4500/
4500
包
引导
引导
SO-8
SO-8
汽车解决方案
可靠的，集成的智能高侧开关
提供空间节省
可靠和安全开关的大电流接地成电阻或电感
负载是必需为汽车应用设计人员。飞兆半导体拥有
开发了智能高侧开关系列，专门针对高级
电力负荷而不依赖于分立式MOSFET的解决方案。通过整合
保护和诊断功能，从减少元件数量获益
和印刷电路板的复杂性，以及较好的系统的可靠性。
该系列产品包括FDDS100H06_F085智能高侧开关，
N沟道功率MOSFET，电荷泵，接地参考CMOS-
兼容输入和诊断输出集成保护功能。
该系列还提供了FDBS09H04A_F085A和FDDS10H04A_F085A
智能高侧开关，结合N沟道功率MOSFET器件
设有一个电荷泵，电流控制输入和诊断反馈与
负载电流检测和集成的智能沟芯片上的芯片技术。
优势
短路保护
电流限制
重启与热关断
过压保护
（包括负载突降）
极低的待机电流
快速退磁
感性负载
负载开路检测
ON状态
CMOS兼容输入
ESD保护
优化的静态
电磁兼容
开漏输出故障
符合AEC -Q100
应用
车身电子
信息娱乐
便携式导航
动力总成
安全和控制
车辆安全系统
产品编号
FDBS09H04A_F085A
R
DS （ ON）
mΩ
9
10
100
i
负载
(A)
48
41
3
电源电压（ V）
5.5 38
5.5 38
5.5 37
包
TO263_7l
TO252_5l
TO252_5l
汽车车身，照明和动力总成应用
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fairchildsemi.com/pf/FD/FDBS09H04A_F085.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDDS10H04A.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDDS100H06_F085.html
FDDS10H04A_F085A
FDDS100H06_F085
30V的MOSFET Power33
减少电路板空间
最佳的一流的功率密度
能效标准和终端系统的要求正迫使设计 -
商寻求节能的解决方案，帮助缩小他们的应用程序的权力
电源的外形尺寸。飞兆半导体的FDMC8010 30V Power33 MOSFET满足这些
需求的同时提高功率密度，在3.3毫米X 3.3毫米PQFN外形尺寸
有66％的占位面积的节省。
采用飞兆半导体的PowerTrench
技术， FDMC8010是非常适合于
应用中的低R
DS （ ON）
要求在狭小的空间。在孤立
1/ 16号砖的DC-DC转换器的应用中， Power33 MOSFET的
DS （ ON）
of
只有1.3mΩ最大，比这个足迹的竞争解决方案小25 ％ 。
此外，该设备减少了传导损耗，从而提高热
效率高达25 ％。
优势
高性能技术
对于最佳的R级
DS （ ON）
of
1.3mΩ max
3.3毫米X 3.3毫米业界
标准外形，
PQFN - 节省电路板空间
低功耗传导损耗
更高的功率密度
更高的效率
应用
隔离式DC- DC
同步整流
负载点的
同步降压型转换
高效率的负载
开关和低侧开关
O形圈FET
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fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html
收缩你的设计，同时提供最佳的一流的功率密度
产品
数
FDMC8010
BV
DSS
(V)
25
i
D
(A)
T
A
= 25°C
30
R
DS （ ON）
最大
10V
1.3mΩ
4.5V
1.8mΩ
Q
g
（ NC ）
0V至
4.5V
45
Q
gd
（ NC ）
9.5
pF
C
国际空间站
4405
包
PQFN
3.3毫米X 3.3毫米
(Power33)
双N沟道PowerTrench
MOSFET
实现最高的功率密度，效率
电源设计
在更短板提供更高的功率密度和效率的挑战
空间去手牵手与日益增长的需求以提供额外的
在高密度的功能嵌入的DC- DC电源。一个解决方案
这种困境，飞兆半导体的FDPC8011S ，已开发在更高的操作
的开关频率，并且包括在两个专门的N沟道MOSFET
双封装。交换节点已在内部连接，以便能够方便
放置和同步降压转换器的路由。控制MOSFET
（Q1）和同步SyncFET
（ Q2），已被设计成提供最佳
电源效率。
该FDPC8011S由一个1.4mΩ SyncFET技术和5.4mΩ控制，
的优点的N沟道MOSFET低的数字集成在一个全剪辑包，其中
有助于减少电容器数量和电感器的尺寸。该器件的源下来，
低侧允许简单的布局和布线，从而实现更紧凑的
电路板布局，实现最佳的散热性能。
优势
控制N沟道MOSFET
有R
DS （ ON）
= 5.4mΩ typical,
(7.3mΩ max) at V
GS
= 4.5V
同步N沟道
MOSFET有R
DS （ ON）
= 1.4mΩ
typical, (2.1mΩ max) at
V
GS
= 4.5V
低电感封装
缩短上升/下降时间，
导致较低的开关
损失
MOSFET集成使
较低的最佳布局
电路的电感和减少
开关节点振铃
应用
计算
通信
通用负载点的
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fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html
电源夹双N沟道PowerTrench
MOSFET
产品
数
肖特基
体
二极管
是的
BV
DSS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(mΩ)
@ 4.5V V
GS
HIGH-
SIDE
7.3
低
SIDE
1.4
Q
g
典型值（ NC ） @
V
GS
= 4.5V
HIGH-
SIDE
9
低
SIDE
30
C
OSS
典型值
（ pF）的高侧
低
SIDE
332
HIGH-
SIDE
1126
维
(mm)
FDPC8011S
25
3.3 x 3.3
第三代XS
家庭的DrMOS
高电源效率与家庭的DrMOS
实现提高效率>1MHz开关频率，增加马克西
最大负载电流和更高的功率密度与飞兆半导体的第三代XS
的DrMOS多芯片模式模块系列。该FDMF68xx家庭实现了艾菲
效率标准的目标，而在采用6mm x 6mm ，提供高达60A的每相位
PQFN封装。 3.3V和5V三态PWM输入电压进行数字化和
模拟PWM控制器和一个30V器件选项使的DrMOS系列一
在UltraBook的使用不错的选择
系统。
目的是使减小的电感器和输出电容器计数，则
FDMF68xx系列节省多达电路板面积的50％相比，传统的
分立式解决方案。该FDMF68xx系列显着减少开关振铃，
采用飞兆半导体的高性能的PowerTrench
MOSFET技术，消除
内廷需要使用一个缓冲器电路，在大多数的降压转换器的应用程序。
优势
在峰值93％ ，并在图30A的91％ ，
500KHz frequency; 12V
IN
, 1V
OUT
90 ％的峰值和88 ％ ，在30A ，
1MHz frequency; 12V
IN
, 1V
OUT
高电流处理：
60A @ 100°C T
J
能够操作高达
1.5MHz switching frequency
消除需要一个
在典型设计散热器
应用
笔记本电脑或UltraBook的
动力系统
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fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820A.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820B.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6820C.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823A.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823B.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6823C.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6833C.html
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html
产品
数
3.3V三态
FDMF6820A
FDMF6820B
FDMF6820C
5V三态
FMDF6823A
FMDF6823B
FMDF6823C
30 BV
DSS
FDMF6833C
笔记本
FDMF6708N
45
5V三态
警告
ZCD
30
87.6%
84.4%
50
5V三态
警告
SMOD
30
89.3%
86.1%
60
55
50
5V三态
5V三态
5V三态
警告
警告
警告
SMOD
SMOD
SMOD
25
25
25
91.1%
90.8%
90%
89.2%
88.6%
87.4%
60
55
50
3.3V三态
3.3V三态
3.3V三态
警告
警告
警告
SMOD
SMOD
SMOD
25
25
25
91.1%
90.8%
90%
89.2%
88.6%
87.4%
i
OUT
(A)
PWM输入
热
保护
SMOD
或ZCD
MOSFET
BV
DSS
EFF 。 @ 30A ，
12V
iN
,
1V
OUT
,
500KHz
EFF 。 @ 40A ，
12V
iN
,
1V
OUT
,
500KHz
FDMS68xx第三代XS
多芯片模式模块系列
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