【FDD8876 / FDU8876N四月2008FDD8876 / FDU8876N沟道PowerT】,IC型号FDD8876,FDD8876 PDF资料,FDD8876经销商,ic,电子元器件-51电子网

FDD8876 / FDU8876

N

四月

2008

FDD8876 / FDU8876

N沟道PowerTrench MOSFET的

30V ， 73A ， 8.2mΩ

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

tm

特点

r

DS （ ON）

= 8.2mΩ V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

,

r

DS （ ON）

= 10MΩ ，V

GS

= 4.5V ，我

D

= 35A

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅极电荷

应用

DC / DC转换

高功率和电流处理能力

符合RoHS

D

G

S

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

D

D- PAK

TO-252

(TO-252)

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V ）（注1 ）

I

D

连续（T

C

=

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注2 ）

功耗

减免上述

25

o

C

工作和存储温度

25

o

C,

V

GS

= 4.5V ）（注1）

V

GS

= 10V ，其中R

θJA

=

52

o

C / W ）

连续（T

AMB

=

25

o

C,

73

66

15

图4

95

70

0.47

-55至175

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

参数

评级

30

±20

单位

V

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ，

1in

2

铜层的面积

2.14

100

52

o

C / W

o

C / W

2008飞兆半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A3

FDD8876 / FDU8876

包装标志和订购信息

器件标识

FDD8876

FDU8876

F

设备

FDD8876

FDU8876

包

TO-252AA

TO-251AA

带尺寸

13”

管

胶带宽度

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

75个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 24V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

30

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 35A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V,

T

J

= 175

o

C

1.2

-

0.008

0.011

2.5

0.010

0.013

V

0.0066 0.0082

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

(V

GS

= 10V)

-

V

DD

= 15V ，我

D

= 35A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 10

-

8

91

44

37

-

149

-

122

ns

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 15V

I

D

= 35A

I

g

= 1.0毫安

-

1700

330

200

2.2

34

18

1.4

4.2

2.8

8.0

-

47

26

1.9

-

pF

nC

开关特性

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 35A

I

SD

= 15A

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

26

12

V

ns

nC

注意事项：

1:

封装电流限制为35A 。

2:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.24mH ，我

AS

= 28A ，V

DD

= 27V, V

GS

= 10V.

3

2008飞兆半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A3

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

80

电流限制

按封装

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 10V

40

V

GS

= 4.5V

20

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

(

o

C)

150

175

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

T

C

，外壳温度

图1.归功耗与案例

温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

1000

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

V

GS

= 4.5V

100

30

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2008飞兆半导体公司

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FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1000

500

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

100

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

I

AS

，雪崩电流（ A）

10s

起始物为

J

= 25

o

C

1ms

10ms

DC

10

起始物为

J

= 150

o

C

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

1

0.01

0.1

1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

10

图5.正向偏置安全工作区

注意：

参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

100

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 5V

80

V

GS

= 10V

60

V

GS

= 4V

80

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 25

o

C

40

V

GS

= 3V

20

T

J

= 175

o

C

0

1.5

T

J

= -55

o

C

20

T

C

= 25

o

C

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

2.0

2.5

3.0

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4.0

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

20

归一漏极至源极

抗性

I

D

= 35A

r

DS （ ON）

，漏极到源极

ON电阻（mΩ ）

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

图8.饱和特性

1.6

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

15

1.2

1.0

10

I

D

= 1A

0.8

V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

5

2

4

6

8

10

V

GS

，门源电压（ V）

0.6

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2008飞兆半导体公司

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典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

1.10

I

D

= 250A

归一化门

阈值电压

1.0

1.05

0.8

1.00

0.6

0.95

0.4

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

0.90

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

T

J

，结温

T

J

，结温

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

5000

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

DD

= 15V

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C，电容（pF ）

8

1000

C

OSS

C

DS

+ C

GD

C

RSS

=

C

GD

6

4

任意波形

降序排列：

I

D

= 35A

I

D

= 5A

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

100

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

0

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

栅电流

2008飞兆半导体公司

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2004年11月

FDD8876 / FDU8876

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30V ， 73A ， 8.2mΩ

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

r

DS （ ON）

= 8.2mΩ V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

,

r

DS （ ON）

= 10MΩ ，V

GS

= 4.5V ，我

D

= 35A

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅极电荷

应用

DC / DC转换

高功率和电流处理能力

D

G

S

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

D

D- PAK

TO-252

(TO-252)

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V ）（注1 ）

I

D

连续（T

C

=

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注2 ）

功耗

减免上述

25

o

C

工作和存储温度

25

o

C,

V

GS

= 4.5V ）（注1）

V

GS

= 10V ，其中R

θJA

=

52

o

C / W ）

连续（T

AMB

=

25

o

C,

73

66

15

图4

95

70

0.47

-55至175

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

参数

评级

30

±20

单位

V

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ，

1in

2

铜层的面积

2.14

100

52

o

C / W

o

C / W

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

包装标志和订购信息

器件标识

FDD8876

FDU8876

FDD8876

FDU8876

设备

FDD8876

FDU8876

FDD8876_NL （注3）

FDU8876_NL （注3）

包

TO-252AA

TO-251AA

TO-252AA

TO-251AA

带尺寸

13”

管

13”

管

胶带宽度

12mm

不适用

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

75个单位

2500台

75个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 24V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

30

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 35A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V,

T

J

= 175

o

C

1.2

-

0.008

0.011

2.5

0.010

0.013

V

0.0066 0.0082

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

(V

GS

= 10V)

-

V

DD

= 15V ，我

D

= 35A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 10

-

8

91

44

37

-

149

-

122

ns

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 15V

I

D

= 35A

I

g

= 1.0毫安

-

1700

330

200

2.2

34

18

1.4

4.2

2.8

8.0

-

47

26

1.9

-

pF

nC

开关特性

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 35A

I

SD

= 15A

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

26

12

V

ns

nC

注意事项：

1:

封装电流限制为35A 。

2:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.24mH ，我

AS

= 28A ，V

DD

= 27V, V

GS

= 10V.

3:

FDD8876_NL / FDU8876_NL是无铅产品。

FDD8876_NL / FDU8876_NL标志将出现在卷标上。

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

80

电流限制

按封装

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 10V

40

V

GS

= 4.5V

20

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

(

o

C)

150

175

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

T

C

，外壳温度

图1.归功耗与案例

温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

1000

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

V

GS

= 4.5V

100

30

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1000

500

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

100

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

I

AS

，雪崩电流（ A）

10s

起始物为

J

= 25

o

C

1ms

10ms

DC

10

起始物为

J

= 150

o

C

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

1

0.01

0.1

1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

10

图5.正向偏置安全工作区

注意：

参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

100

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 5V

80

V

GS

= 10V

60

V

GS

= 4V

80

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 25

o

C

40

V

GS

= 3V

20

T

J

= 175

o

C

0

1.5

T

J

= -55

o

C

20

T

C

= 25

o

C

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

2.0

2.5

3.0

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4.0

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

20

归一漏极至源极

抗性

I

D

= 35A

r

DS （ ON）

，漏极到源极

ON电阻（mΩ ）

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

图8.饱和特性

1.6

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

15

1.2

1.0

10

I

D

= 1A

0.8

V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

5

2

4

6

8

10

V

GS

，门源电压（ V）

0.6

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

1.10

I

D

= 250A

归一化门

阈值电压

1.0

1.05

0.8

1.00

0.6

0.95

0.4

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

0.90

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

T

J

，结温

T

J

，结温

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

5000

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

DD

= 15V

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C，电容（pF ）

8

1000

C

OSS

C

DS

+ C

GD

C

RSS

=

C

GD

6

4

任意波形

降序排列：

I

D

= 35A

I

D

= 5A

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

100

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

0

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

栅电流

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

2004年11月

FDD8876 / FDU8876

N沟道的PowerTrench

MOSFET

30V ， 73A ， 8.2mΩ

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

使用改进的DC / DC变换器的整体效率

同步或传统开关PWM

控制器。它已被优化的低门电荷，低

r

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

r

DS （ ON）

= 8.2mΩ V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

,

r

DS （ ON）

= 10MΩ ，V

GS

= 4.5V ，我

D

= 35A

高性能沟道技术极低

r

DS （ ON）

低栅极电荷

应用

DC / DC转换

高功率和电流处理能力

D

G

S

I- PAK

(TO-251AA)

摹 S

G

D

D- PAK

TO-252

(TO-252)

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

连续（T

C

= 25

o

C，V

GS

= 10V ）（注1 ）

I

D

连续（T

C

=

脉冲

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量（注2 ）

功耗

减免上述

25

o

C

工作和存储温度

25

o

C,

V

GS

= 4.5V ）（注1）

V

GS

= 10V ，其中R

θJA

=

52

o

C / W ）

连续（T

AMB

=

25

o

C,

73

66

15

图4

95

70

0.47

-55至175

A

mJ

W

W/

o

C

o

C

参数

评级

30

±20

单位

V

热特性

R

θJC

R

θJA

R

θJA

热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251

热阻结到环境TO- 252 ，

1in

2

铜层的面积

2.14

100

52

o

C / W

o

C / W

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

包装标志和订购信息

器件标识

FDD8876

FDU8876

FDD8876

FDU8876

设备

FDD8876

FDU8876

FDD8876_NL （注3）

FDU8876_NL （注3）

包

TO-252AA

TO-251AA

TO-252AA

TO-251AA

带尺寸

13”

管

13”

管

胶带宽度

12mm

不适用

12mm

不适用

QUANTITY

2500台

75个单位

2500台

75个单位

电气特性

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

B

VDSS

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250μA ，V

GS

= 0V

V

DS

= 24V

V

GS

= 0V

V

GS

=

±20V

T

C

= 150 C

o

30

-

1

250

±100

V

A

nA

基本特征

V

GS （ TH）

门源阈值电压

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V

r

DS （ ON）

漏极至源极导通电阻

I

D

= 35A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 35A ，V

GS

= 10V,

T

J

= 175

o

C

1.2

-

0.008

0.011

2.5

0.010

0.013

V

0.0066 0.0082

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

G

Q

G（ TOT ）

Q

g(5)

Q

G（ TH ）

Q

gs

Q

gs2

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷，在10V

总栅极电荷为5V

阈值的栅极电荷

门源栅极电荷

栅极电荷阈值，以高原

栅漏“米勒”充电

(V

GS

= 10V)

-

V

DD

= 15V ，我

D

= 35A

V

GS

= 10V ，R

GS

= 10

-

8

91

44

37

-

149

-

122

ns

V

DS

= 15V, V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

V

GS

= 0.5V ， F = 1MHz的

V

GS

= 0V至10V

V

GS

= 0V至5V

V

GS

= 0V至1V

V

DD

= 15V

I

D

= 35A

I

g

= 1.0毫安

-

1700

330

200

2.2

34

18

1.4

4.2

2.8

8.0

-

47

26

1.9

-

pF

nC

开关特性

t

ON

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

关闭

开启时间

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

打开-O FF时间

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

RR

源极到漏极二极管电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SD

= 35A

I

SD

= 15A

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

I

SD

= 35A ，二

SD

/ DT = 100A / μs的

-

1.25

1.0

26

12

V

ns

nC

注意事项：

1:

封装电流限制为35A 。

2:

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.24mH ，我

AS

= 28A ，V

DD

= 27V, V

GS

= 10V.

3:

FDD8876_NL / FDU8876_NL是无铅产品。

FDD8876_NL / FDU8876_NL标志将出现在卷标上。

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

80

电流限制

按封装

I

D

，漏电流（ A）

60

V

GS

= 10V

40

V

GS

= 4.5V

20

功耗乘法器

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

25

50

75

100

125

(

o

C)

150

175

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（

o

C)

T

C

，外壳温度

图1.归功耗与案例

温度

2

1

占空比 - 降序排列

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

图2.最大连续漏极电流VS

外壳温度

Z

θJC

归一化

热阻抗

P

DM

0.1

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

10

-3

10

-2

吨，矩形脉冲持续时间（ S）

10

-1

10

0

10

1

单脉冲

0.01

10

-5

10

-4

图3.归一化最大瞬态热阻抗

1000

跨

可能限流

在这个区域

I

DM

峰值电流（ A）

T

C

= 25

o

C

对于温度

上述25

o

C减免PEAK

当前，如下所示：

I = I

25

175 - T

C

150

V

GS

= 4.5V

100

30

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

T，脉冲宽度（ S）

10

-1

10

0

10

1

图4.峰值电流容量

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1000

500

如果R = 0

t

AV

= （L）（我

AS

） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

)

若R

≠

0

t

AV

= （ L / R） LN [（我

AS

* R ） / （ 1.3 *额定BV

DSS

- V

DD

) +1]

100

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

10

操作在此

区域可以

限于由R

DS （ ON）

I

AS

，雪崩电流（ A）

10s

起始物为

J

= 25

o

C

1ms

10ms

DC

10

起始物为

J

= 150

o

C

1

单脉冲

T

J

=最大额定

T

C

= 25

o

C

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

60

1

0.01

0.1

1

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

10

图5.正向偏置安全工作区

注意：

参见飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515

图6.松开电感式开关

能力

100

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

V

DD

= 15V

I

D

，漏电流（ A）

V

GS

= 5V

80

V

GS

= 10V

60

V

GS

= 4V

80

I

D

，漏电流（ A）

60

T

J

= 25

o

C

40

V

GS

= 3V

20

T

J

= 175

o

C

0

1.5

T

J

= -55

o

C

20

T

C

= 25

o

C

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

2.0

2.5

3.0

3.5

V

GS

，门源电压（ V）

4.0

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.传热特性

20

归一漏极至源极

抗性

I

D

= 35A

r

DS （ ON）

，漏极到源极

ON电阻（mΩ ）

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

图8.饱和特性

1.6

脉冲持续时间为80μs =

占空比= 0.5 ％ MAX

1.4

15

1.2

1.0

10

I

D

= 1A

0.8

V

GS

= 10V ，我

D

= 35A

5

2

4

6

8

10

V

GS

，门源电压（ V）

0.6

-80

-40

0

40

80

120

160

200

T

J

，结温（

o

C)

图9.漏极至源极导通电阻VS门

电压和漏极电流

图10.归一漏极至源极ON

电阻与结温

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2

FDD8876 / FDU8876

典型特征

T

C

= 25 ° C除非另有说明

1.2

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250A

归一漏极至源极

击穿电压

1.10

I

D

= 250A

归一化门

阈值电压

1.0

1.05

0.8

1.00

0.6

0.95

0.4

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

0.90

-80

-40

0

40

80

120

(

o

C)

160

200

T

J

，结温

T

J

，结温

图11.归一化栅极阈值电压Vs

结温

5000

图12.归漏极至源极

击穿电压VS结温

10

V

DD

= 15V

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

=

C

GS

+ C

GD

C，电容（pF ）

8

1000

C

OSS

C

DS

+ C

GD

C

RSS

=

C

GD

6

4

任意波形

降序排列：

I

D

= 35A

I

D

= 5A

0

5

10

15

20

Q

g

，栅极电荷（ NC）

25

30

2

V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

100

0.1

1

10

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

0

图13.电容VS漏极至源极

电压

图14.门充电波形恒

栅电流

2004仙童半导体公司

FDD8876 / FDU8876牧师A2