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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第365页 > FDD8780
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8780/FDU8780
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 8.5mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
用，以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
8.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
12.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 21nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
60
224
73
50
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252,1in
2
铜层的面积
3.0
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8780
FDU8780
FDU8780
设备
FDD8780
FDU8780
FDU8780_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
www.fairchildsemi.com
2006仙童半导体公司
FDD8780 / FDU8780版本B
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
J
= 150°C
25
12
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.3
6.5
9.1
10.4
8.5
12.0
15.0
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1080
265
180
0.9
1440
355
270
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
DD
= 13V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 17
7
9
43
24
21
11.2
3.5
4.7
14
18
69
38
29
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.92
0.84
28
20
1.25
1.0
42
30
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.3mH ，我
AS
= 22A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
2
FDD8780 / FDU8780版本B
www.fairchildsemi.com
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
= 10V
60
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
归
漏极至源极导通电阻
70
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 10V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
40
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 35A
V
GS
= 10V
I
D
= 35A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
30
20
T
J
= 175
o
C
10
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
200
0
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
200
100
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
1.0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
T
J
= 175
o
C
T
J
=
25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
，门源电压（ V）
4.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
3
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FDD8780 / FDU8780版本B
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 10V
4000
8
电容（pF）
C
国际空间站
6
V
DD
= 13V
1000
4
2
0
0
V
DD
= 16V
C
RSS
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
5
10
15
20
25
100
0.1
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
50
图8.电容VS漏源极电压
70
I
D
，漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流
(
A
)
60
50
40
30
20
10
R
θ
JC
= 3.0 C / W
o
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
10
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
300
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度
(
o
C
)
图9.松开电感开关
能力
500
10us
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
7000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
I
D
，漏电流（ A）
100us
1000
10
受
包
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1ms
10ms
DC
1
100
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
30
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
,
脉冲宽度（S ）
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
4
FDD8780 / FDU8780版本B
www.fairchildsemi.com
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图13.瞬态热响应曲线
5
FDD8780 / FDU8780版本B
www.fairchildsemi.com
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2006年3月
FDD8780/FDU8780
N沟道的PowerTrench
MOSFET
25V ，35A ， 8.5mΩ
概述
这N沟道MOSFET的设计专门
用，以提高直流/直流转换器的总效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
最大
DS （ ON）
=
8.5mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
最大
DS （ ON）
=
12.0mΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
低栅极电荷：Q
g(10)
= 21nC （典型值） ，V
GS
= 10V
低栅极电阻
应用
核心电压DC-DC用于台式计算机和服务器
VRM用于中间总线架构
额定雪崩和100 ％测试
符合RoHS
LE
A
稀土
I
DF
D
M
E
N
TA
TIO
L
E
N
MP
G
D
摹 S
I- PAK
(TO-251AA)
S
短引线I- PAK
G
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
- 连续（模具有限公司）
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
工作和存储温度
（注1 ）
（注2 ）
参数
评级
25
±20
35
60
224
73
50
-55至175
mJ
W
°C
A
单位
V
V
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻，结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻，结到环境TO- 252,1in
2
铜层的面积
3.0
100
52
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8780
FDU8780
FDU8780
设备
FDD8780
FDU8780
FDU8780_F071
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-251AA
1
带尺寸
13’’
N / A （管）
N / A （管）
胶带宽度
12mm
不适用
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
75个单位
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2006仙童半导体公司
FDD8780 / FDU8780版本B
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
B
VDSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
DS
= 20V,
V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
J
= 150°C
25
12
1
250
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 250μA ，参考
25°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
T
J
= 175°C
1.2
1.8
-6.3
6.5
9.1
10.4
8.5
12.0
15.0
m
2.5
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
1080
265
180
0.9
1440
355
270
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
DD
= 13V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
V
DD
= 13V ，我
D
= 35A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 17
7
9
43
24
21
11.2
3.5
4.7
14
18
69
38
29
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 35A
V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 35A ，的di / dt = 100A / μs的
0.92
0.84
28
20
1.25
1.0
42
30
V
ns
nC
注意事项：
1:
脉冲时间< 300μS ，占空比= 2 ％ 。
2:
起始物为
J
= 25
o
C，L = 0.3mH ，我
AS
= 22A ，V
DD
= 23V, V
GS
= 10V.
2
FDD8780 / FDU8780版本B
www.fairchildsemi.com
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
= 10V
60
I
D
，漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
归
漏极至源极导通电阻
70
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 10V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3V
1
2
3
V
DS
，漏源极电压（ V）
4
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
60
70
图1.地区特点
图2.归一导通电阻与漏
电流和栅极电压
40
r
DS （ ON）
，导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 35A
V
GS
= 10V
I
D
= 35A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
30
20
T
J
= 175
o
C
10
T
J
= 25
o
C
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温
(
o
C
)
200
0
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.归一通电阻VS结
温度
70
图4.导通电阻与栅极至源极
电压
200
100
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
1.0
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 0V
10
T
J
= 175
o
C
T
J
= 175
o
C
T
J
=
25
o
C
1
T
J
= 25
o
C
0.1
0.01
1E-3
0.0
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
，门源电压（ V）
4.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管正向
VS电压源电流
3
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FDD8780 / FDU8780版本B
FDD8780 / FDU8780的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 10V
4000
8
电容（pF）
C
国际空间站
6
V
DD
= 13V
1000
4
2
0
0
V
DD
= 16V
C
RSS
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
5
10
15
20
25
100
0.1
Q
g
，栅极电荷（ NC）
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
50
图8.电容VS漏源极电压
70
I
D
，漏电流（ A）
I
AS
，雪崩电流
(
A
)
60
50
40
30
20
10
R
θ
JC
= 3.0 C / W
o
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
10
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 4.5V
T
J
= 150
o
C
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
300
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度
(
o
C
)
图9.松开电感开关
能力
500
10us
图10.最大连续漏极电流与
外壳温度
7000
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175
–
T
C
----------------------
-
150
100
I
D
，漏电流（ A）
100us
1000
10
受
包
操作在此
区域可以
受
r
DS （ ON）
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
=
25
o
C
1ms
10ms
DC
1
100
单脉冲
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
50
30
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
,
脉冲宽度（S ）
图11.正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
4
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JC
占空比，降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
0.01
单脉冲
1E-3
-5
10
10
-4
10
10
10
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
-3
-2
-1
10
0
10
1
图13.瞬态热响应曲线
5
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