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FDD86540的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2012年2月

FDD86540

N沟道的PowerTrench

MOSFET

60 V ， 50 A， 4.1 mΩ的

特点

最大

DS （ ON）

= 4.1毫欧，在V

GS

= 10 V，I

D

= 21.5 A

最大

DS （ ON）

= 5毫欧，在V

GS

= 8 V，I

D

= 19.5 A

100 ％ UIL测试

符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET的设计专门为

提高了整体效率和最大限度地减少开关节点

使用的DC / DC转换振铃同步或

传统开关PWM controllers.It已被优化

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

，开关速度快和体

二极管的反向恢复性能。

应用

在隔离式DC -DC初级开关

同步整流器器

负荷开关

D

G

S

G

D

O -2 52

T

-P A K

（ T O服务-252 ）

S

MOSFET的最大额定值

T

C

= 25 C ，除非另有说明

符号

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续（包装有限公司）

I

D

- 连续（硅有限公司）

-Continuous

-Pulsed

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

单脉冲雪崩能量

功耗

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

（注3）

T

C

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

（注1A ）

参数

评级

60

±20

50

136

21.5

120

228

127

3.1

-55到+150

mJ

W

°C

A

单位

V

工作和存储结温范围

热特性

R

θJC

R

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

0.98

40

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDD86540

设备

FDD86540

包

D-PAK(TO-252)

带尺寸

13 ’’

胶带宽度

12 mm

QUANTITY

2500台

2012仙童半导体公司

FDD86540版本C

1

www.fairchildsemi.com

FDD86540的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

T

J

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

ΔBV

DSS

ΔT

J

I

DSS

I

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0 V

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

60

28

1

±100

V

毫伏/°C的

μA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

ΔT

J

r

DS （ ON）

g

FS

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

μA

I

D

= 250

μA,

参考25 ℃下

V

GS

= 10 V，I

D

= 21.5 A

V

GS

= 8 V，I

D

= 19.5 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 21.5 A，T

J

= 125 °C

V

DS

= 10 V，I

D

= 21.5 A

2

3.1

-11

3.4

4.1

5.2

75

4.1

5

6.3

S

mΩ

4

V

毫伏/°C的

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

4767

1409

48

0.6

6340

1880

90

pF

Ω

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏“米勒”充电

V

GS

= 0 V至10 V

V

GS

= 0 V至8 V

V

DD

= 30 V,

I

D

= 21.5 A

V

DD

= 30 V，I

D

= 21.5 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 6

Ω

26

15

31

6.9

65

54

23

12

42

28

49

14

90

75

ns

nC

漏源二极管的特性

V

SD

t

rr

Q

rr

源极 - 漏极二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS

= 0 V，I

S

= 21.5 A

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.6 A

（注2 ）

0.8

0.7

56

43

1.3

1.2

90

69

V

ns

nC

I

F

= 21.5 A， di / dt的= 100 A / μs的

注意事项：

1:

R

θJA

是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。

R

θJC

由设计而

θJA

是通过用户的电路板的设计来确定。

一个），安装在一个时40℃ / W的

1年

2

2盎司纯铜垫

B） 96 ° C / W安装时

最低垫

2:

脉冲测试：脉冲宽度< 300

μs,

占空比< 2.0 ％。

3:

起始物为

J

= 25

°

C，L = 0.3 mH的，我

AS

= 39 A，V

DD

= 54 V, V

GS

= 10 V.

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FDD86540的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

120

I

D

，漏电流（ A）

归

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 10 V

V

GS

= 8 V

8

V

GS

= 6 V

V

GS

= 5 V

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

90

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

6

V

GS

= 5.5 V

60

V

GS

= 5.5 V

4

V

GS

= 6 V

30

V

GS

= 5 V

2

V

GS

= 8 V

V

GS

= 10 V

0

1

2

3

4

5

0

V

DS

，漏源极电压（ V）

30

60

I

D

,

漏电流（ A）

90

120

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

20

1.7

归

漏极至源极导通电阻

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-75

I

D

= 21.5 A

V

GS

= 10 V

源导通电阻

(

m

Ω

)

I

D

= 21.5 A

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

r

DS （ON ），

漏

15

10

T

J

= 125

o

C

5

T

J

= 25

o

C

-50

-25

0

25 50 75 100 125 150

T

J

,

结温

(

o

C

)

0

4

5

6

7

8

9

10

V

GS

,

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

120

I

S

，反向漏电流（ A）

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

200

100

10

T

J

= 150

o

C

脉冲持续时间= 80

μ

s

占空比= 0.5 ％ MAX

V

GS

= 0 V

I

D

，漏电流（ A）

90

V

DS

= 5 V

1

T

J

= 25

o

C

60

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

0.1

T

J

= -55

o

C

30

T

J

= -55

o

C

0.01

0.001

0.0

0

2

3

4

5

6

7

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

GS

，门源电压（ V）

V

SD

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

V

GS

，门源电压（ V）

10

I

D

= 21.5 A

V

DD

= 20 V

10000

C

国际空间站

8

电容（pF）

V

DD

= 30 V

1000

C

OSS

6

V

DD

= 40 V

4

2

100

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

C

RSS

0

10

20

30

40

50

60

70

10

0.1

1

10

60

Q

g

，栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

140

R

θ

JC

= 0.98 C / W

o

100

I

AS

，雪崩电流（ A）

I

D

,

漏电流（ A）

120

V

GS

= 10 V

100

V

GS

= 8 V

T

J

= 25

o

C

80

60

40

不限按包

10

T

J

= 100

o

C

o

C

T

J

= 125

20

100 300

1

0.01

0.1

1

10

0

25

50

75

100

o

125

150

t

AV

，一次雪崩（毫秒）

T

C

,

外壳温度

(

C

)

图9.松开电感

交换能力

200

100

I

D

，漏电流（ A）

图10.最大连续漏极

电流与外壳温度

10000

P

（ PK）

,

瞬态峰值功率（ W）

单脉冲

R

θ

JC

= 0.98

o

C / W

T

C

= 25

o

C

10

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

μ

s

1毫秒

1000

1

单脉冲

T

J

=最大额定

R

θ

JC

= 0.98

o

C / W

T

C

= 25

o

C

10毫秒

DC

0.1

1

10

100 200

100

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

V

DS

，漏源极电压（ V）

T，脉冲宽度（秒）

图11.正向偏置安全

工作区

图12.单脉冲最大

功耗

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MOSFET

典型特征

T

J

= 25 C ，除非另有说明

2

占空比，降序排列

1

归热

阻抗Z

θ

JC

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

R

θ

JC

= 0.98 C / W

o

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

DUTY因子：D = T

1

/t

2

PEAK牛逼

J

= P

DM

X Z

θJC

个R

θJC

+ T

C

0.01

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图13.结至外壳瞬态热响应曲线

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